PN結(jié)加正向電壓時，產(chǎn)生多子電流，與光生電流方向相反，并且電流比光生電流大得多，此時無法作為光探測器。PN結(jié)處于反向偏壓狀態(tài)時，產(chǎn)生的光電子會被反向偏壓迅速通過電場與電極收集，產(chǎn)生反向光電流，通過檢測光電流大小即可得到光功率強(qiáng)度。處于零偏壓的PN結(jié)可作為光電池使用。一個大面積的PN結(jié)，做好上下極的接觸引線便構(gòu)成一個光電池。一般光敏面做成梳齒狀，可以減小光生載流子的復(fù)合以提高能量轉(zhuǎn)換效率，減小串聯(lián)電阻。對于光電池，負(fù)載電阻較大時，輸出線性較差，可獲得較大的輸出電壓，對于不同的入射光強(qiáng)，也會具有不同的最大輸入功率，往往采用多個光電池的串-并聯(lián)組合運(yùn)用。為了達(dá)到比較好的探測器的響應(yīng)速度，需要在探測器的吸收層厚度和光電探測器的面積中折衷。2GHZ APD光電探測器廠家現(xiàn)貨

在光電探測器中利用表面等離子體共振效應(yīng)可以有效地增強(qiáng)器件的光吸收，擴(kuò)展器件的光吸收譜，從而產(chǎn)生更多的電子空穴對，提高器件的響應(yīng)電流，并且共振波長能夠被金屬納米結(jié)構(gòu)的介電環(huán)境，尺寸和形狀所改變，從而調(diào)節(jié)吸收波段。規(guī)律性分布的金屬納米結(jié)構(gòu)，如孔陣列或者柵線等，能夠和光發(fā)生相互作用，從而提升器件的光吸收能力。除此之外，從圖中能夠看出在金屬納米粒子的表面存在著大量自由振蕩的電子，并且其具有一定的頻率，當(dāng)這個頻率與入射光的頻率相等時，那么在金屬納米粒子表面的局部區(qū)域內(nèi)光子與電子發(fā)生共振，從而極大地增強(qiáng)了器件對光的吸收。后者的激發(fā)條件比較簡單，即金屬納米粒子的大小應(yīng)小于入射光的波長，且改變其大小能夠調(diào)控共振波段，因此可調(diào)節(jié)性更好，應(yīng)用更加靈活，被較廣地用于加強(qiáng)器件的性能。廣東2GHZ APD光電探測器均價光電探測器的性能指標(biāo)主要由量子效率、響應(yīng)度、響應(yīng)速度和本征帶寬、光電流，暗電流和噪聲等指標(biāo)組成。

為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號，光電探測器不僅要和被測信號、光學(xué)系統(tǒng)相匹配，而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配，使每個相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)。現(xiàn)將光電探測器件的應(yīng)用選擇要點(diǎn)歸納如下：光電探測器必須和輻射信號源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測量波長是紫外波段，則選用光電倍增管或?qū)ｉT的紫外光電半導(dǎo)體器件；如果信號是可見光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件；如果是紅外信號，則選用光敏電阻，近紅外選用Si光電器件或光電倍增管。

光電探測器的基本工作機(jī)理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號。當(dāng)探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收。半導(dǎo)體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當(dāng)本征吸收開始時，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。半導(dǎo)體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。

雪崩光電二極管（APD）當(dāng)二極管PN結(jié)上加上足夠強(qiáng)的反向電壓的時候，耗盡區(qū)存在一個很強(qiáng)的場，足夠使強(qiáng)電場飄移的光生載流子獲得充分的動能來通過晶格原子碰撞產(chǎn)生新的載流子，新的載流子再次碰撞形成更多載流子，這樣就實現(xiàn)了雪崩式的載流子倍增。但這同時也會造成噪聲的放大當(dāng)入射光功率腳較小時，多采用APD，此時引入的噪聲不大，在入射光功率較大時，雪崩增益引起的噪聲貢獻(xiàn)占主要優(yōu)勢，可能帶來光電流的失真，采用APD帶來的好處不大，采用PIN更為合適。光電探測器在國際和國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域有很多用途。飛博光電相干接收機(jī)光電探測器24小時服務(wù)

在相干光通信中主要利用了相干調(diào)制和外差檢測技術(shù)。2GHZ APD光電探測器廠家現(xiàn)貨

固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制（如照相自動曝光）中得到采用；光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件，它除用做探測器件外，還可作太陽能變換器；硅光電二極管體積小、響應(yīng)快、可靠性高，而且在可見光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率，因而在各種工業(yè)控制中獲得應(yīng)用。硅雪崩管由于增益高、響應(yīng)快、噪聲小，因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半導(dǎo)體材料的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種光探測器件。所謂光電導(dǎo)效應(yīng)，是指由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導(dǎo)探測器在國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域有較廣用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨(dú)探測器組成。2GHZ APD光電探測器廠家現(xiàn)貨

深圳市飛博光電科技有限公司是一家（1）寬帶光源、可調(diào)諧光源、ASE、DTS 光源等測試設(shè)備和模塊 （2）窄線寬激光器、鈮酸鋰調(diào)制器、光電探測器，光放大器等器件。 （3）保偏跳線、波分復(fù)用器、保偏耦合器等無源器件。 （4）多款集成相干發(fā)射機(jī)器件。的公司，是一家集研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。公司自創(chuàng)立以來，投身于激光光源，光放大器，射頻放大器，光電探測器，是通信產(chǎn)品的主力軍。深圳市飛博光電不斷開拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo)，以產(chǎn)品為平臺，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價值，提供更優(yōu)服務(wù)。深圳市飛博光電始終關(guān)注通信產(chǎn)品市場，以敏銳的市場洞察力，實現(xiàn)與客戶的成長共贏。