光伏探測(cè)器基于光照產(chǎn)生電勢(shì)差，用測(cè)電勢(shì)差的原理。它分為光電池與光電二極管兩種類(lèi)型，光電池主要是把光能轉(zhuǎn)換為電能的器件，目前有硒光電池、硅光電池、砷化鎵及鍺光電池等，但目前運(yùn)用較廣的是硅光電池。光電二級(jí)管分為P-N結(jié)光電二極管、PIN光電二級(jí)管、雪崩光電二極管、光電三級(jí)管等。PIN光電二極管又稱(chēng)快速光電二極管，與一般的光電二極管相比，它具有不的時(shí)間常量，并使光譜響應(yīng)范轉(zhuǎn)向長(zhǎng)波方向移動(dòng)，其峰值波長(zhǎng)可移至1.04~1.06um而與YAG激光器的發(fā)射波長(zhǎng)相對(duì)應(yīng)。它具有靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)。它是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間夾了一層本征半導(dǎo)體構(gòu)成的。因?yàn)楸菊靼雽?dǎo)體近似于介質(zhì)，這就相當(dāng)于增大了P-N結(jié)結(jié)電容兩個(gè)電極之間的距離，使結(jié)電容變得很小。其次，P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體中耗盡層的寬度是隨反向電壓增加而加寬的，隨著反偏壓的增大，結(jié)電容也要變得很小。由于I層的存在，而P區(qū)一般做得很薄，入射光子只能在I層內(nèi)被吸收，而反向偏壓主要集中在I區(qū)，形成高電場(chǎng)區(qū)，I區(qū)的光生載流子在強(qiáng)電場(chǎng)作用下加速運(yùn)動(dòng)，所以載流子渡越時(shí)間常量減小，從而改善了光電二極管的頻率響應(yīng)。同時(shí)I層的引入加大了耗盡區(qū)，展寬了光電轉(zhuǎn)換的有效工作區(qū)域，從而使靈敏度得以提高。光電探測(cè)器區(qū)別于光子探測(cè)器的比較大特點(diǎn)是對(duì)光輻射的波長(zhǎng)無(wú)選擇性。廣東10G多模 PIN光電探測(cè)器要求
光電二極管的工作原理同光電池一樣，都是基于PN結(jié)的光伏效應(yīng)工作的。主要特點(diǎn)是結(jié)區(qū)面積小，通常工作于反偏置狀態(tài)。因此內(nèi)建電場(chǎng)很強(qiáng)，結(jié)區(qū)較寬，結(jié)電容小，因此頻率特性爺比光電池好，但光電流較小。PIN光電二極管PN半導(dǎo)體中間夾了一層本征半導(dǎo)體，由于本征半導(dǎo)體近似于介質(zhì)，相當(dāng)于增大了NPNj結(jié)之間的距離，使結(jié)電容變小。PN半導(dǎo)體中耗盡層寬度隨反向電壓增加而加寬，將P區(qū)做得很薄，由于I層的存在，入射光子只能在I層被吸收，因此在I層形成高電場(chǎng)區(qū)，I區(qū)的光電子在強(qiáng)電場(chǎng)下加速運(yùn)動(dòng)，使得載流子渡越時(shí)間非常短，因此可以有效減小時(shí)間常數(shù)，提高工作頻率特性。廣東50GHZ PIN光電探測(cè)器質(zhì)量PIN適用于中、短距離和中、低速率系統(tǒng)，尤以PIN/FET 組件使用較多。
利用外光電效應(yīng)制成的光子型探測(cè)器是真空電子器件，如光電管、光電倍增管和紅外變像管等。這些器件都包含一個(gè)對(duì)光子敏感的光電陰極，當(dāng)光子投射到光電陰極上時(shí)，光子可能被光電陰極中的電子吸收，獲得足夠大能量的電子能逸出光電陰極而成為自由的光電子。在光電管中，光電子在帶正電的陽(yáng)極的作用下運(yùn)動(dòng)，構(gòu)成光電流。光電倍增管與光電管的差別在于，在光電倍增管的光電陰極與陽(yáng)極之間設(shè)置了多個(gè)電位逐級(jí)上升并能產(chǎn)生二次電子的電極（稱(chēng)為打拿極）。從光電陰極逸出的光電子在打拿極電壓的加速下與打拿極碰撞，發(fā)生倍增效應(yīng)，然后形成較大的光電流信號(hào)。因此，光電倍增管具有比光電管高得多的靈敏度。紅外變像管是一種紅外-可見(jiàn)圖像轉(zhuǎn)換器,它由光電陰極、陽(yáng)極和一個(gè)簡(jiǎn)單的電子光學(xué)系統(tǒng)組成。光電子在受到陽(yáng)極加速的同時(shí)又受到電子光學(xué)系統(tǒng)的聚焦，當(dāng)它們撞擊在與陽(yáng)極相連的磷光屏上時(shí)，便發(fā)出綠色的光像信號(hào)。
光電探測(cè)器的基本工作機(jī)理包括三個(gè)過(guò)程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。當(dāng)探測(cè)器表面有光照射時(shí)，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價(jià)帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流。當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時(shí)，光波的能量隨著傳播會(huì)逐漸衰減，其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過(guò)測(cè)試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外，還可以用來(lái)分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當(dāng)本征吸收開(kāi)始時(shí)，半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對(duì)于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時(shí)導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。暗電流可以定義為沒(méi)有光入射的情況下探測(cè)器存在的漏電流。
光電探測(cè)器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。光電探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有較廣的用途。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。光電流在外部電路作用下形成電信號(hào)并輸出。廣東50GHZ PIN光電探測(cè)器質(zhì)量
為了達(dá)到比較好的探測(cè)器的響應(yīng)速度，需要在探測(cè)器的吸收層厚度和光電探測(cè)器的面積中折衷。廣東10G多模 PIN光電探測(cè)器要求
半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的性能在很大程度上取決于制備探測(cè)器所用的半導(dǎo)體材料。本征半導(dǎo)體材料比摻雜半導(dǎo)體材料更加有用。本征半導(dǎo)體材料既能用來(lái)制作光導(dǎo)型探測(cè)器，又能制做光伏型探測(cè)器；而摻雜半導(dǎo)體只能做成光導(dǎo)型探測(cè)器。截止波長(zhǎng)較長(zhǎng)的半導(dǎo)體光子型探測(cè)器，大多數(shù)必須在較低溫度下工作，如77K，38K或4.2K。同一探測(cè)器在室溫下的探測(cè)率明顯低于低溫下的探測(cè)率。為了保持半導(dǎo)體光子型探測(cè)器的正常工作，常把探測(cè)器置于低溫容器（杜瓦瓶）中，或用微型致冷器使探測(cè)器達(dá)到較低的工作溫度。廣東10G多模 PIN光電探測(cè)器要求
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