光電流指在入射光照射下光電探測器所產(chǎn)生的光生電流，暗電流可以定義為沒有光入射的情況下探測器存在的漏電流。其大小影響著光接收機(jī)的靈敏度大小，是探測器的主要指標(biāo)之一。暗電流主要包括以下幾種：①耗盡區(qū)中邊界的少子擴(kuò)散電流;②載流子的產(chǎn)生-復(fù)合電流，通過在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效減小載流子的產(chǎn)生-復(fù)合電流，通常對于高純度的單晶硅產(chǎn)生-復(fù)合電流可以降低到2*1011A/nm2以下;③表面泄漏電流，在制造工藝結(jié)束時，對芯片表面進(jìn)行鈍化處理，可以將表面漏電流降低到1011A/nm2量級。當(dāng)然，暗電流也受探測器工作溫度和偏置電壓的影響。探測器的暗電流與噪聲是分不開的，通常光電探測器的噪聲主要分為暗電流噪聲、散粒噪聲和熱噪聲：a暗電流噪聲：對于一個光電探測器來講，可接收的光功率是由探測器的暗電流大小決定的，所以減小探測器的暗電流能提高光接收機(jī)的靈敏度;b散粒噪聲：當(dāng)探測器接收入射光時，散粒噪聲就產(chǎn)生于光子的產(chǎn)生-復(fù)合過程中。由于光生載流子的數(shù)量變化規(guī)律服從泊松統(tǒng)計分部，所以光生載流子的產(chǎn)生過程存在散粒噪聲;c熱噪聲：由于導(dǎo)體中電子的隨機(jī)運(yùn)動會產(chǎn)生導(dǎo)體兩端電壓的波動，因此就會產(chǎn)生熱噪聲。光電探測器必須和光信號的調(diào)制形式、信號頻率及波形相匹配。飛博光電高速光電探測器解釋

光電探測器，屬于光線傳感器的一種，它常用于攝像頭和其他成像設(shè)備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案，并通過這些圖案創(chuàng)造出圖像。不同的光電探測器用于感知光譜的不同部分。例如，夜視眼鏡中使用的光電探測器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測器應(yīng)用于攝像頭，這些攝像頭通過環(huán)境中化學(xué)物質(zhì)反射光線的方式來辨別它們。光電探測器的多功能程度主要取決于三個因素：運(yùn)行速度、感知低強(qiáng)度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來說，如果工程師們改善了這三個因素中的某一個，那么另外兩個因素中就會至少有一個變得惡化。飛博光電高速光電探測器解釋APD適用于接收靈敏度要求高的長距離傳輸和高速率通信系統(tǒng)。

光電探測器必須和光信號的調(diào)制形式、信號頻率及波形相匹配，以保證得到?jīng)]有頻率失真的輸出波形和良好的時間響應(yīng)。這種情況主要是選擇響應(yīng)時間短或上限頻率高的器件，但在電路上也要注意匹配好動態(tài)參數(shù)；光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配，以保證有足夠大的轉(zhuǎn)換系數(shù)、線性范圍、信噪比及快速的動態(tài)響應(yīng)等；為使器件能長期穩(wěn)定可靠地工作，必須注意選擇好器件的規(guī)格和使用的環(huán)境條件，并且要使器件在額定條件下才能使用。

光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。光電探測器在國民經(jīng)濟(jì)的各個領(lǐng)域有較廣的用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導(dǎo)彈制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨(dú)探測器組成。PIN優(yōu)點(diǎn)在于響應(yīng)度高響應(yīng)速度快，頻帶也較寬工作電壓低。

光伏探測器基于光照產(chǎn)生電勢差，用測電勢差的原理。它分為光電池與光電二極管兩種類型，光電池主要是把光能轉(zhuǎn)換為電能的器件，目前有硒光電池、硅光電池、砷化鎵及鍺光電池等，但目前運(yùn)用較廣的是硅光電池。光電二級管分為P-N結(jié)光電二極管、PIN光電二級管、雪崩光電二極管、光電三級管等。PIN光電二極管又稱快速光電二極管，與一般的光電二極管相比，它具有不的時間常量，并使光譜響應(yīng)范轉(zhuǎn)向長波方向移動，其峰值波長可移至1.04~1.06um而與YAG激光器的發(fā)射波長相對應(yīng)。它具有靈敏度高的優(yōu)點(diǎn)。它是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間夾了一層本征半導(dǎo)體構(gòu)成的。因?yàn)楸菊靼雽?dǎo)體近似于介質(zhì)，這就相當(dāng)于增大了P-N結(jié)結(jié)電容兩個電極之間的距離，使結(jié)電容變得很小。其次，P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體中耗盡層的寬度是隨反向電壓增加而加寬的，隨著反偏壓的增大，結(jié)電容也要變得很小。由于I層的存在，而P區(qū)一般做得很薄，入射光子只能在I層內(nèi)被吸收，而反向偏壓主要集中在I區(qū)，形成高電場區(qū)，I區(qū)的光生載流子在強(qiáng)電場作用下加速運(yùn)動，所以載流子渡越時間常量減小，從而改善了光電二極管的頻率響應(yīng)。同時I層的引入加大了耗盡區(qū)，展寬了光電轉(zhuǎn)換的有效工作區(qū)域，從而使靈敏度得以提高。熱探測器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高，從而改變了它的電學(xué)性能。廣東2GHZ APD光電探測器交易價格

為了達(dá)到比較好的探測器的響應(yīng)速度，需要在探測器的吸收層厚度和光電探測器的面積中折衷。飛博光電高速光電探測器解釋

兩束滿足相干條件的信號稱為相干信號，相干條件（CoherentCondition）：這兩束信號在相遇區(qū)域：①振動方向相同；②振動頻率相同；③相位相同或相位差保持恒定那么在兩束信號相遇的區(qū)域內(nèi)就會產(chǎn)生干涉現(xiàn)象。能發(fā)出相互干涉的信號的兩個信號源就叫相干信號源。在相干信號源情況下正確估計信號方向(即解相干或去相關(guān))的關(guān)鍵問題是如何通過一系列處理或變換使得信號協(xié)方差矩陣的秩得到有效恢復(fù)，從而正確估計信號源的方向。目前關(guān)于解相干的處理基本有兩大類：一類是降維處理;另一類是非降維處理。飛博光電高速光電探測器解釋

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