光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發(fā)生改變。光電探測器在國民經(jīng)濟的各個領域有較廣的用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等；在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。光電探測器在光通信系統(tǒng)中實現(xiàn)將光轉變成電的作用。飛博光電50GHZ PIN光電探測器質量

光電探測器，屬于光線傳感器的一種，它常用于攝像頭和其他成像設備中。它們可以感知稱為“光子”的基本粒子的圖案，并通過這些圖案創(chuàng)造出圖像。不同的光電探測器用于感知光譜的不同部分。例如，夜視眼鏡中使用的光電探測器就是用于感知肉眼不可見的熱輻射。還有一些光電探測器應用于攝像頭，這些攝像頭通過環(huán)境中化學物質反射光線的方式來辨別它們。光電探測器的多功能程度主要取決于三個因素：運行速度、感知低強度光線的能力、感知的頻譜范圍。通常來說，如果工程師們改善了這三個因素中的某一個，那么另外兩個因素中就會至少有一個變得惡化。飛博光電雙通道平衡光電探測器是什么光子照射在半導體材料上產(chǎn)生光生載流子。

光電探測器件的應用選擇，實際上是應用時的一些事項或要點。在很多要求不太嚴格的應用中，可采用任何一種光電探測器件。不過在某些情況下，選用某種器件會更合適些。例如，當需要比較大的光敏面積時，可選用真空光電管，因其光譜響應范圍比較寬，故真空光電管普遍應用于分光光度計中。當被測輻射信號微弱、要求響應速度較高時，采用光電倍增管比較合適，因為其放大倍數(shù)可達10^4～10^8以上，這樣高的增益可使其信號超過輸出和放大線路內的噪聲分量，使得對探測器的限制只剩下光陰極電流中的統(tǒng)計變化。因此，在天文學、光譜學、激光測距和閃爍計數(shù)等方面，光電倍增管得到廣泛應用。

利用內光電效應制成的光子型探測器是用半導體材料制成的固態(tài)電子器件，主要包括光電導探測器和光伏型探測器等。光電導探測器具有光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發(fā)到導帶，從而產(chǎn)生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。光伏型探測器通常由半導體PN結構成，其原理是利用PN結的內建電場將光生載流子（用光照射半導體時，若光子的能量等于或大于半導體的禁帶寬度，則價帶中的電子吸收光子后進入導帶，產(chǎn)生電子-空穴對）掃出結區(qū)而形成信號。當探測器受到光照(輻照)、體內發(fā)生本征光吸收時，產(chǎn)生兩種帶相反電荷的光生載流子（電子和空穴）。這兩種光生載流子一開始局限于光照區(qū)，隨后由于存在濃度梯度，其中一部分擴散到PN結區(qū)，在PN結內建電場的作用下，分別聚集到結的兩端，形成電壓信號。如PN結兩端連成一個回路，則形成電流信號。為了達到比較好的探測器的響應速度，需要在探測器的吸收層厚度和光電探測器的面積中折衷。

光電探測器件的應用選擇，實際上是應用時的一些事項或要點。在很多要求不太嚴格的應用中，可采用任何一種光電探測器件。不過在某些情況下，選用某種器件會更合適些。例如，當需要比較大的光敏面積時，可選用真空光電管，因其光譜響應范圍比較寬，故真空光電管普遍應用于分光光度計中。當被測輻射信號微弱、要求響應速度較高時，采用光電倍增管較合適，因為其放大倍數(shù)可達10^4～10^8以上，這樣高的增益可使其信號超過輸出和放大線路內的噪聲分量，使得對探測器的限制只剩下光陰極電流中的統(tǒng)計變化。因此，在天文學、光譜學、激光測距和閃爍計數(shù)等方面，光電倍增管得到廣泛應用。PIN缺點在于I層電阻很大管子的輸出電流小，一般多為零點幾微安至數(shù)微安。飛博光電50GHZ PIN光電探測器質量

探測器表面存在一定寬度的接觸摻雜區(qū)域，其中也會產(chǎn)生光子的消耗。飛博光電50GHZ PIN光電探測器質量

在光電探測器中利用表面等離子體共振效應可以有效地增強器件的光吸收，擴展器件的光吸收譜，從而產(chǎn)生更多的電子空穴對，提高器件的響應電流，并且共振波長能夠被金屬納米結構的介電環(huán)境，尺寸和形狀所改變，從而調節(jié)吸收波段。規(guī)律性分布的金屬納米結構，如孔陣列或者柵線等，能夠和光發(fā)生相互作用，從而提升器件的光吸收能力。除此之外，從圖中能夠看出在金屬納米粒子的表面存在著大量自由振蕩的電子，并且其具有一定的頻率，當這個頻率與入射光的頻率相等時，那么在金屬納米粒子表面的局部區(qū)域內光子與電子發(fā)生共振，從而極大地增強了器件對光的吸收。后者的激發(fā)條件比較簡單，即金屬納米粒子的大小應小于入射光的波長，且改變其大小能夠調控共振波段，因此可調節(jié)性更好，應用更加靈活，被較廣地用于加強器件的性能。飛博光電50GHZ PIN光電探測器質量

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