傳感MEMS技術是指用微電子微機械加工出來的、用敏感元件如電容、壓電、壓阻、熱電耦、諧振、隧道電流等來感受轉換電信號的器件和系統(tǒng)。它包括速度、壓力、濕度、加速度、氣體、磁、光、聲、生物、化學等各種傳感器，按種類分主要有:面陣觸覺傳感器、諧振力敏感傳感器、微型加速度傳感器、真空微電子傳感器等。傳感器的發(fā)展方向是陣列化、集成化、智能化。由于傳感器是人類探索自然界的觸角，是各種自動化裝置的神經元，且應用領域普遍，未來將備受世界各國的重視。將多晶硅和摻雜劑放入單晶爐內的石英坩堝中，將溫度升高至1420℃以上，得到熔融狀態(tài)的多晶硅。四川微透鏡半導體器件加工設計

MEMS制造工藝是下至納米尺度，上至毫米尺度微結構加工工藝的通稱。廣義上的MEMS制造工藝，方式十分豐富，幾乎涉及了各種現代加工技術。起源于半導體和微電子工藝，以光刻、外延、薄膜淀積、氧化、擴散、注入、濺射、蒸鍍、刻蝕、劃片和封裝等為基本工藝步驟來制造復雜三維形體的微加工技術。微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設計、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應用技術，涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS和NEMS）。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列適用技術，研制微型傳感器、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化、批量化、成本低的鮮明特點，對現代的生活、生產產生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產業(yè)。吉林新材料半導體器件加工設備在MEMS制程中，刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法。

干法刻蝕種類很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕。介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕，如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度強。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。

干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術。當氣體以等離子體形式存在時，它具備兩個特點：一方面等離子體中的這些氣體化學活性比常態(tài)下時要強很多，根據被刻蝕材料的不同，選擇合適的氣體，就可以更快地與材料進行反應，實現刻蝕去除的目的；另一方面，還可以利用電場對等離子體進行引導和加速，使其具備一定能量，當其轟擊被刻蝕物的表面時，會將被刻蝕物材料的原子擊出，從而達到利用物理上的能量轉移來實現刻蝕的目的。因此，干法刻蝕是晶圓片表面物理和化學兩種過程平衡的結果。在熱處理的過程中，晶圓上沒有增加或減去任何物質，另外會有一些污染物和水汽從晶圓上蒸發(fā)。

單晶圓清洗取代批量清洗是先進制程的主流，單晶圓清洗通常采用單晶圓清洗設備，采用噴霧或聲波結合化學試劑對單晶圓進行清洗。單晶圓清洗首先能夠在整個制造周期提供更好的工藝控制，即改善了單個晶圓和不同晶圓間的均勻性，這提高了良率；其次更大尺寸的晶圓和更緊縮的制程設計對于雜質更敏感，那么批量清洗中若出現交叉污染的影響會更大，進而危及整批晶圓的良率，這會帶來高成本的芯片返工支出；另外圓片邊緣清洗效果更好，多品種小批量生產的適配性等優(yōu)點也是單晶圓清洗的優(yōu)勢之一。懸浮區(qū)熔法加工工藝：先從上、下兩軸用夾具精確地垂直固定棒狀多晶錠。河北新結構半導體器件加工哪家靠譜

摻雜原子的注入所造成的晶圓損傷會被熱處理修復，這稱為退火，溫度一般在1000℃左右。四川微透鏡半導體器件加工設計

MEMS采用類似集成電路(IC)的生產工藝和加工過程，用硅微加工工藝在一硅片上可同時制造成百上千個微型機電裝置或完整的MEMS。使MEMS有極高的自動化程度，批量生產可大幅度降低生產成本;而且地球表層硅的含量為2%。幾乎取之不盡，因此MEMS產品在經濟性方面更具競爭力。MEMS可以把不同功能、不同敏感方向或制動方向的多個傳感器或執(zhí)行器集成于一體，或形成微傳感器陣列和微執(zhí)行器陣列。甚至把多種功能的器件集成在一起，形成復雜的微系統(tǒng)。微傳感器、微執(zhí)行器和微電子器件的集成可制造出高可靠性和穩(wěn)定性的微型機電系統(tǒng)。四川微透鏡半導體器件加工設計