測試步驟：MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接柵極和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回無限大，則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應該是無限大。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時表針指示的值一般是0，這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場，因為電場產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通，故萬用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好。場效應管的體積小，適合集成在微型電子設(shè)備中。杭州柵極場效應管

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管開啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf，各位工程時使用的時候請根據(jù)實際漏級電路ID，柵極驅(qū)動電壓Vg進行判斷。中山小噪音場效應管批發(fā)價格場效應管制造工藝成熟，產(chǎn)量大，成本低，有利于大規(guī)模應用。

在近期的工作中，小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場效應管，在查找相關(guān)資料時，經(jīng)常會看到另幾個元器件，比如mos管、二極管、三極管，網(wǎng)上甚至有種說法：場效應管和mos管就是一種東西。這種說法當然是不夠準確的，為了能夠更好地認識這幾種元器件，本文就給大家詳細科普一下！場效應管，場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管，主要有兩種類型（junction FET-JFET）和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

場效應管主要參數(shù)：場效應管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。場效應管的使用方法包括選擇合適的工作點和電源電壓，以及連接正確的外部電路。

導通時隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui、關(guān)斷時為DUi，若主功率管S可靠導通電壓為12V，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］。為保證導通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點：①電路結(jié)構(gòu)簡單可靠，具有電氣隔離作用。當脈寬變化時，驅(qū)動的關(guān)斷能力不會隨著變化。②該電路只需一個電源，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅(qū)動的管子時提供一個負壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，且有較高的抗干擾能力。但該電路存在的一個較大缺點是輸出電壓的幅值會隨著占空比的變化而變化。當D較小時，負向電壓小，該電路的抗干擾性變差，且正向電壓較高，應該注意使其幅值不超過MOSFET柵極的允許電壓。當D大于0.5時驅(qū)動電壓正向電壓小于其負向電壓，此時應該注意使其負電壓值不超過MOAFET柵極允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場合。場效應管的優(yōu)勢之一是具有高輸入阻抗，可以減少對輸入信號源的負載。廣州場效應管現(xiàn)貨直發(fā)

隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，場效應管性能不斷提升，有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。杭州柵極場效應管

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時，溝道在漏極一端出現(xiàn)預夾斷，如圖2(b)所示。再繼續(xù)增大vDS，夾斷點將向源極方向移動，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū)，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進入飽和區(qū)，iD幾乎只由vGS決定。杭州柵極場效應管