場(chǎng)效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開啟電壓 UGSTH時(shí)，MOS 不導(dǎo)通?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū)：UDS 變化，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時(shí)，MOS 被擊穿，I_DID 突然增大，如果沒(méi)有限流電阻，將被燒壞。過(guò)損耗區(qū)：功率較大，需要加強(qiáng)散熱，注意較大功率。場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)。場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運(yùn)用時(shí)主要關(guān)注以下一些重點(diǎn)參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強(qiáng)型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。MOSFET有三個(gè)電極：柵極、漏極和源極?；葜莞叻€(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)

導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）：場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)的漏極與源極之間的電阻。它決定了電流通過(guò)器件時(shí)的壓降和功耗，較小的導(dǎo)通電阻意味著較低的功耗和較高的電流驅(qū)動(dòng)能力。較大漏極電流（I_D(max)）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電流，超過(guò)這個(gè)電流值可能會(huì)導(dǎo)致器件過(guò)熱、性能退化甚至長(zhǎng)久損壞。較大漏極-源極電壓（V_DS(max)）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的較大電壓。超過(guò)這個(gè)電壓值可能會(huì)導(dǎo)致場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿、熱損傷或其他形式的損壞。柵極電容（C_iss）：柵極與漏極之間的輸入電容。它影響了信號(hào)的傳輸速度和開關(guān)過(guò)程中的電荷存儲(chǔ)。惠州高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)JFET具有電路簡(jiǎn)單、工作穩(wěn)定的特點(diǎn)，適合于低頻放大器設(shè)計(jì)。

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等；當(dāng)然，如果能采用先進(jìn)的氣熱型電烙鐵，焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且確保安全；在未關(guān)斷電源時(shí)，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意。

測(cè)試步驟：MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬(wàn)用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái)，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無(wú)限大。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場(chǎng)，因?yàn)殡妶?chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通，故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好。場(chǎng)效應(yīng)管的電阻特性取決于柵極電壓，可實(shí)現(xiàn)精確控制。

現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過(guò)去的大功率晶體三極管，使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別，所以在應(yīng)用上，它的驅(qū)動(dòng)電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。在放大電路中，場(chǎng)效應(yīng)管可以起到線性放大的作用，輸出的信號(hào)與輸入信號(hào)成正比。徐州功耗低場(chǎng)效應(yīng)管加工

在使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)避免過(guò)流和過(guò)壓情況，以免損壞器件或影響電路性能?；葜莞叻€(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)

SOA失效（電流失效）再簡(jiǎn)單說(shuō)下第二點(diǎn)，SOA失效，SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式。關(guān)于SOA各個(gè)線的參數(shù)限定值可以參考下面圖片。1：受限于較大額定電流及脈沖電流2：受限于較大節(jié)溫下的RDSON。3：受限于器件較大的耗散功率。4：受限于較大單個(gè)脈沖電流。5：擊穿電壓BVDSS限制區(qū)。我們電源上的MOSFET，只要保證能器件處于上面限制區(qū)的范圍內(nèi)，就能有效的規(guī)避由于MOSFET而導(dǎo)致的電源失效問(wèn)題的產(chǎn)生。這個(gè)是一個(gè)非典型的SOA導(dǎo)致失效的一個(gè)解刨圖，由于去過(guò)鋁，可能看起來(lái)不那么直接，參考下?；葜莞叻€(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)