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珠海增強型場效應管定制

來源: 發(fā)布時間:2024-08-02

MOSFET選型注意事項:MOSFET的選型基礎MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導 通。導通時,電流可經(jīng)開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,因此,總 是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空,器件將不能按設計意圖工作,并可能在不恰當?shù)臅r刻導通或關閉,導致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當源極和柵極間的電 壓為零時,開關關閉,而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關閉,但仍然有微小電流存在,這稱之為漏電流,即IDSS。場效應管結構簡單,易于集成,有助于電子設備的小型化、輕量化。珠海增強型場效應管定制

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以N溝道為例,它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+,再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通,二者總保持等電位。當漏接電源正極,源極接電源負極并使VGS=0時,溝道電流(即漏極電流)ID=0。隨著VGS逐漸升高,受柵極正電壓的吸引,在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子,形成從漏極到源極的N型溝道,當VGS大于管子的開啟電壓VTN(一般約為+2V)時,N溝道管開始導通,形成漏極電流ID。場效應晶體管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分別發(fā)明,但是實用的器件一直到1952年才被制造出來(結型場效應管,Junction-FET,JFET)。1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET),從而大部分代替了JFET,對電子行業(yè)的發(fā)展有著深遠的意義。珠海增強型場效應管定制場效應管驅(qū)動電路簡單,只需一個電壓信號即可實現(xiàn)控制,降低電路復雜度。

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場效應管注意事項:(1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。(2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接入電路中,要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓,等等。(3)MOS場效應管由于輸入阻抗極高,所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場效應管放入塑料盒子內(nèi),保存時較好放在金屬盒內(nèi),同時也要注意管的防潮。

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點與柵極間的電壓不再相等,靠近源極一端的電壓較大,這里溝道較厚,而漏極一端電壓較小,其值為VGD=vGS-vDS,因而這里溝道較薄。但當vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大,靠近漏極的溝道越來越薄,當vDS增加到使VGD=vGS-vDS=VT(或vDS=vGS-VT)時,溝道在漏極一端出現(xiàn)預夾斷,如圖2(b)所示。再繼續(xù)增大vDS,夾斷點將向源極方向移動,如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區(qū),故iD幾乎不隨vDS增大而增加,管子進入飽和區(qū),iD幾乎只由vGS決定。場效應管有多種類型,如JFET、MOSFET等,滿足不同應用需求。

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導電溝道的形成:當vGS數(shù)值較小,吸引電子的能力不強時,漏——源極之間仍無導電溝道出現(xiàn),如圖1(b)所示。vGS增加時,吸引到P襯底表面層的電子就增多,當vGS達到某一數(shù)值時,這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,且與兩個N+區(qū)相連通,在漏——源極間形成N型導電溝道,其導電類型與P襯底相反,故又稱為反型層,如圖1(c)所示。vGS越大,作用于半導體表面的電場就越強,吸引到P襯底表面的電子就越多,導電溝道越厚,溝道電阻越小。MOSFET適用于各種電路中的信號放大,功率放大和開關控制等應用。珠海增強型場效應管定制

場效應管是一種半導體器件,用于放大或開關電路中的信號。珠海增強型場效應管定制

靜態(tài)電特性:注①:Vgs(off)其實就是開啟電壓Vgs(th),只不過這里看的角度不一樣。注②:看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds(on)大小有差異,不知道的回去前面重新看。動態(tài)點特性:注①:Ciss = Cgs + Cgd ;Coss = Cds ;Crss = Cgd;注②:MOS管開啟速度較主要關注的參數(shù)是Qg,也就是形成反型層需要的總電荷量!注③:接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf,各位工程時使用的時候請根據(jù)實際漏級電路ID,柵極驅(qū)動電壓Vg進行判斷。珠海增強型場效應管定制

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