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紹興場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-16

我們經(jīng)??碝OS管的PDF參數(shù),MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,對開關(guān)應(yīng)用來說,RDS(ON)也是較重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),但對于充分的柵極驅(qū)動(dòng),RDS(ON)是一個(gè)相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外,慢慢升高的結(jié)溫也會(huì)導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的較簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。場效應(yīng)管的靈敏度較高,可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。紹興場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

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以上討論的是MOSFET ON狀態(tài)時(shí)電阻的選擇,在MOSFET OFF狀態(tài)時(shí)為了保證柵極電荷快速瀉放,此時(shí)阻值要盡量小。通常為了保證快速瀉放,在Rg上可以并聯(lián)一個(gè)二極管。當(dāng)瀉放電阻過小,由于走線電感的原因也會(huì)引起諧振(因此有些應(yīng)用中也會(huì)在這個(gè)二極管上串一個(gè)小電阻),但是由于二極管的反向電流不導(dǎo)通,此時(shí)Rg又參與反向諧振回路,因此可以抑制反向諧振的尖峰。估算導(dǎo)通損耗、輸出的要求和結(jié)區(qū)溫度的時(shí)候,就可以參考前文所指出的方法。MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域非常普遍,遠(yuǎn)非一兩篇文章可以概括。耗盡型場效應(yīng)管注意事項(xiàng)場效應(yīng)管在高頻電路中表現(xiàn)出色,能夠保持較低的失真和較高的效率。

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在近期的工作中,小編接觸到了之前不太熟悉的一種電子元器件——場效應(yīng)管,在查找相關(guān)資料時(shí),經(jīng)常會(huì)看到另幾個(gè)元器件,比如mos管、二極管、三極管,網(wǎng)上甚至有種說法:場效應(yīng)管和mos管就是一種東西。這種說法當(dāng)然是不夠準(zhǔn)確的,為了能夠更好地認(rèn)識(shí)這幾種元器件,本文就給大家詳細(xì)科普一下!場效應(yīng)管,場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管,主要有兩種類型(junction FET-JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

雪崩失效分析(電壓失效),底什么是雪崩失效呢,簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖,做為電源工程師可以簡單了解下。可能我們經(jīng)常要求器件生產(chǎn)廠家對我們電源板上的MOSFET進(jìn)行失效分析,大多數(shù)廠家都光給一個(gè)EAS.EOS之類的結(jié)論,那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢,下面是一張經(jīng)過雪崩測試失效的器件圖,我們可以進(jìn)行對比從而確定是否是雪崩失效。場效應(yīng)管可通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)輸出電流,具有較好的線性特性。

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MOSFET管基本結(jié)構(gòu)與工作原理:mos管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡單描述。MOS場效應(yīng)三極管分為:增強(qiáng)型(又有N溝道、P溝道之分)及耗盡型(分有N溝道、P溝道)。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見上圖。其中:電極 D(Drain) 稱為漏極,相當(dāng)雙極型三極管的集電極;電極 G(Gate) 稱為柵極,相當(dāng)于的基極;電極 S(Source)稱為源極,相當(dāng)于發(fā)射極。場效應(yīng)管雖然體積小,但在現(xiàn)代電子技術(shù)中的作用不可忽視。東莞金屬場效應(yīng)管測量方法

場效應(yīng)管具有較高的耐熱性能,適用于高溫環(huán)境。紹興場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

場效應(yīng)管與晶體管的比較:(1)場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。(4)場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。紹興場效應(yīng)管廠家供應(yīng)

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