內(nèi)置MOSFET的IC當(dāng)然 不用我們?cè)倏紤]了，一般大于1A電流會(huì)考慮外置MOSFET.為了獲得到更大、更靈活的LED功率能力，外置MOSFET是獨(dú)一的選擇方式，IC需要合適 的驅(qū)動(dòng)能力,MOSFET輸入電容是關(guān)鍵的參數(shù)。下圖Cgd和Cgs是MOSFET等效結(jié)電容。一般IC的PWM OUT輸出內(nèi)部集成了限流電阻，具體數(shù)值大小同IC的峰值驅(qū)動(dòng)輸出能力有關(guān)，可以近似認(rèn)為R=Vcc/Ipeak.一般結(jié)合IC驅(qū)動(dòng)能力 Rg選擇在10-20Ω左右。一般的應(yīng)用中IC的驅(qū)動(dòng)可以直接驅(qū)動(dòng)MOSFET，但是考慮到通常驅(qū)動(dòng)走線不是直線，感量可能會(huì)更大,并且為了防止外部干擾，還是要使用Rg驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行抑制.考慮到走線分布電容的影響,這個(gè)電阻要盡量靠近MOSFET的柵極。場(chǎng)效應(yīng)管有三種類型，分別是MOSFET、JFET和IGBT，它們各自具有不同的特性和應(yīng)用領(lǐng)域。深圳小噪音場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

合理的熱設(shè)計(jì)余量，這個(gè)就不多說(shuō)了，各個(gè)企業(yè)都有自己的降額規(guī)范，嚴(yán)格執(zhí)行就可以了，不行就加散熱器。MOSFET發(fā)熱原因分析，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。東莞MOS場(chǎng)效應(yīng)管制造商選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)考慮其耐壓、耐流等參數(shù)，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。

在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí)，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作?？傊?，確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛(ài)好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。

計(jì)算導(dǎo)通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)便攜 式設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對(duì)于工業(yè)設(shè)計(jì)，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電 阻的各種電氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。計(jì)算系統(tǒng)的散熱要求。設(shè)計(jì)人員必須考慮兩種不同的情況，即較壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)較壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量，能 確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導(dǎo)體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及較大的結(jié)溫。開(kāi)關(guān)損耗其實(shí)也是一個(gè)很重要的指標(biāo)。從下圖可以看到，導(dǎo)通瞬間的電壓電流乘積相當(dāng)大。一定程度上決定了器件的開(kāi)關(guān)性能。不過(guò)，如果系統(tǒng)對(duì)開(kāi)關(guān)性能要求比較高，可以選擇柵極電荷QG比較小的功率MOSFET。場(chǎng)效應(yīng)管還具有低輸出阻抗，可以提供較大的輸出電流。

現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開(kāi)關(guān)電源部分除了采用了PFC技術(shù)外，在元器件上的開(kāi)關(guān)管均采用性能優(yōu)異的MOS管取代過(guò)去的大功率晶體三極管，使整機(jī)的效率、可靠較大程度上提高，故障率大幅的下降。MOS管和大功率晶體三極管在結(jié)構(gòu)、特性有著本質(zhì)上的區(qū)別，所以在應(yīng)用上，它的驅(qū)動(dòng)電路比晶體三極管復(fù)雜。所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)雙極性晶體管的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。場(chǎng)效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色。廣州金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管具有較長(zhǎng)的使用壽命，可靠性高，降低了設(shè)備的維護(hù)成本。深圳小噪音場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開(kāi)啟電壓Vgs（th），只不過(guò)這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管開(kāi)啟速度較主要關(guān)注的參數(shù)是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開(kāi)延遲時(shí)間t d(on/off)、上升/下降時(shí)間tr / tf，各位工程時(shí)使用的時(shí)候請(qǐng)根據(jù)實(shí)際漏級(jí)電路ID，柵極驅(qū)動(dòng)電壓Vg進(jìn)行判斷。深圳小噪音場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨直發(fā)