觸發(fā)二極管，觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管，英文名稱為Diode AC switch,簡寫為DIAC，觸發(fā)二極管實際上是一種電壓控制元件，一般的它們都有一個觸發(fā)電壓，當兩端電壓低于這個觸發(fā)電壓的時候，二極管是開路狀態(tài)，當電壓達到觸發(fā)電壓的時候，二極管瞬間導通，將電壓輸出。雙向二極管的正反兩個方向都有穩(wěn)壓作用，就如同兩個穩(wěn)壓二極管反向串連，它的兩端不論正反哪個反向達到了穩(wěn)定電壓（既其中一個穩(wěn)壓極管）的反向擊穿電壓都可以使得其兩端的電壓基本保持不變（在其允許的電流范圍內(nèi)），因此正常情況下觸發(fā)二極管是雙向都不導通的。觸發(fā)二極管的引腳沒有正負極性的區(qū)分，原理圖的種類比較多，一般都是兩個二極管集成在一起的，觸發(fā)二極管的原理圖和PCB庫如下圖所示。二極管的原理是基于PN結(jié)的特性，其中P區(qū)富含正電荷，N區(qū)富含負電荷。廣州電子電路二極管供應商

在操作中，一個單獨的電流通過由鎳鉻合金制成的高電阻燈絲（加熱器），將陰極加熱到紅熱狀態(tài)（800-1000℃）后可導致它釋放電子到真空。這一過程即熱發(fā)射。陰極通常涂有堿土金屬氧化物，如鋇或鍶的氧化物。因為它們具有較低的功函數(shù)，可使發(fā)射的電子數(shù)量增加。有些真空管則直接加熱鎢絲，鎢絲則既作為加熱器也是陰極本身。交流電會在負極及與其同心的陽極板之間整流，當板子帶正電時，靜電會從負極處吸引電子。所以電子即從陰極連通到陽極成為了電流。然而當極性反轉(zhuǎn)陽極板帶有負電時，陽極板不會發(fā)射電子，而陰極也并不會吸引電子，因而沒有電流會產(chǎn)生。如此則保證了電流的單向流通，即從陰極流向陽極板。光敏二極管規(guī)格二極管有正負兩個端子，包括正向?qū)ê头聪蚪刂箖煞N狀態(tài)。

二極管應用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關(guān)，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態(tài)，相當于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。利用二極管的開關(guān)特性，可以組成各種邏輯電路。3.限幅，二極管正向?qū)ê?，它的正向壓降基本保持不變（硅管?.7V，鍺管為0.3V）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內(nèi)。

江崎二極管，阻尼二極管又稱隧道二極管、穿隧效應二極管、穿隧二極管、透納二極管，英文名稱為Tunnel Diode，它是一種可以高速切換的半導體二極管，其切換速度可到達微波頻率的范圍，其原理是利用量子穿隧效應。它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。江崎二極管是采用砷化鎵（GaAs）和銻化鎵（GaSb）等材料混合制成的半導體二極管，其優(yōu)點是開關(guān)特性好，速度快、工作頻率高；缺點是熱穩(wěn)定性較差。一般應用于某些開關(guān)電路或高頻振蕩等電路中。二極管作為電子元器件的重要一員，其發(fā)展和應用推動了電子技術(shù)的進步。

二極管概述，二極管，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。晶體二極管的主要是PN結(jié)，關(guān)于PN結(jié)首先要了解三個概念。本征半導體：指不含任何摻雜元素的半導體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半導體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價雜質(zhì)的半導體，如在本征半導體中Si(4+)中摻入Al(3+)的半導體。N型半導體：摻雜了產(chǎn)生空穴的含較低電價雜質(zhì)的半導體，如在本征半導體中硅Si(4+)中摻入磷P(5+)的半導體。由P型半導體和N型半導體相接觸時，就產(chǎn)生一個獨特的PN結(jié)界面，在界面的兩側(cè)形成空間電荷層，構(gòu)成自建電場。二極管在電子設(shè)備中常用于信號調(diào)節(jié)，如調(diào)整音頻或視頻信號的幅度。廣州電子電路二極管供應商

二極管是電子電路中的基礎(chǔ)元件，具有單向?qū)щ娦?，常用于整流、開關(guān)等電路中。廣州電子電路二極管供應商

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很??；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點。廣州電子電路二極管供應商