示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的操作s2計(jì)算過程流程圖，如圖2所示，該操作例如可以包括s21～s28。s21，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度。在本實(shí)施例可行方式中，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，選取圖像中一點(diǎn)為原點(diǎn)建立直角坐標(biāo)系，例如，可以在左上角建立直角坐標(biāo)系，圖像左上角向右為x軸正方向，圖像左上角向下為y軸正方向，還可以選取圖像的中心點(diǎn)為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系，向右為x軸正方向，向上為y軸正方向，具體建立坐標(biāo)系的方式本發(fā)明不做限制。這樣，可以得到圖像總每一像素點(diǎn)的坐標(biāo)值(x，y)，像素點(diǎn)的灰度值可用g(x，y)表示。每一像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理坐標(biāo)為(by-1，lx-1)，該地理坐標(biāo)表示該像素點(diǎn)**的地球上的位置在地里坐標(biāo)系中用經(jīng)度和緯度表示地面點(diǎn)位置的球面坐標(biāo)。經(jīng)檢測(cè)，本申請(qǐng)制備的膜層的吸收率為93％～97％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的吸收率提高了3％～9％。貴州下打光太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)

5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟1)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為30～120nm。河南AM0太陽(yáng)光譜模擬公司相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。

步驟2)中，靶材為銅靶，功率為7kw，電壓為520v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為320sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為200nm；3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻，反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜；步驟3)中，靶材為鉻靶，功率為7kw，電壓為420v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為240sccm，氮?dú)饬髁繛?3sccm，制得的緩沖膜的厚度為90nm；

在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟2)中，靶材為銅靶，氬氣流量為50～500sccm，制得的低發(fā)射率膜的厚度為180～220nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟3)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氮?dú)饬髁繛?0～100sccm，制得的緩沖膜的厚度為30～150nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟4)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～500sccm，氮?dú)饬髁繛?0～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的過渡膜的厚度為30～100nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中，步驟5)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～300sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的吸收膜的厚度為30～120nm。比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率提高了6％～10％。

為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時(shí)，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體，相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上，此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。如果所通入的氣體含量剛好足夠與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，使得在靶材表面甚少形成化合物，則有利濺射的進(jìn)行。相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進(jìn)行反應(yīng)，也會(huì)在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。因此，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，提高光熱轉(zhuǎn)換的效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的技術(shù)問題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：這一新設(shè)備利用了聚光光伏(CPV)電池板，利用透鏡將太陽(yáng)光集中到微小尺度的太陽(yáng)能電池上。海南AM1.5太陽(yáng)光譜模擬公司

這一新設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換太陽(yáng)光為電力的效率是44.5%，有望成為世界上效率的太陽(yáng)能電池。貴州下打光太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)

可選地，根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)，包括：根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，取值范圍通常為0.8≤k1≤0.9；根據(jù)τs(α，z)＝0.2710-0.2939×τd(α，z)，其中，τs(α，z)為散射輻射大氣透明度系數(shù)。可選地，根據(jù)大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽(yáng)高度角，計(jì)算太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度，包括：根據(jù)ed(d，α，z)＝e(d)×τd(α，z)×sinα(x，y，d，t)計(jì)算太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度ed(d，α，z)。貴州下打光太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)

昊躍光學(xué)，2020-01-16正式啟動(dòng)，成立了天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等幾大市場(chǎng)布局，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升HYO的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，把握市場(chǎng)機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。業(yè)務(wù)涵蓋了天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等諸多領(lǐng)域，尤其天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì)，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等實(shí)現(xiàn)一體化，建立了成熟的天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡運(yùn)營(yíng)及風(fēng)險(xiǎn)管理體系，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)，擁有一大批專業(yè)人才。值得一提的是，昊躍光學(xué)致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案，在有效降低用戶成本的同時(shí)，更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘HYO的應(yīng)用潛能。