可選地，根據(jù)拍攝時(shí)刻和地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角，包括：根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角?？蛇x地，根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角，包括：根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x，y，d，t)?？蛇x地，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，包括：根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率提高了6％～10％。山東高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬報(bào)價(jià)

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法。為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案為：一種用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；甘肅上打光太陽(yáng)光譜模擬銷量本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟。

WTi-Al2O3金屬陶瓷基太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層在600℃退火前后反射光譜變化圖、微結(jié)構(gòu)和熱強(qiáng)化機(jī)理示意圖   金屬納米粒子嵌入到陶瓷基體中組成的金屬陶瓷薄膜是太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層的**工作層，其熱穩(wěn)定性和綜合光學(xué)性能直接決定著整個(gè)涂層的光熱轉(zhuǎn)換效率。高溫下，金屬陶瓷膜內(nèi)金屬納米粒子的團(tuán)聚、長(zhǎng)大、氧化及涂層內(nèi)層間原子的擴(kuò)散遷徙，往往會(huì)導(dǎo)致成分和微結(jié)構(gòu)的變化，從而誘發(fā)涂層光學(xué)性能的衰減 (不可逆性)。如何解決上述問(wèn)題，構(gòu)建熱穩(wěn)定性優(yōu)異、熱發(fā)射率低且吸收率高的太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層，是光熱技術(shù)應(yīng)用所面臨的重要材料基礎(chǔ)問(wèn)題。  

HN-9332儀器的寬波長(zhǎng)覆蓋范圍允許在整個(gè)光譜的可見(jiàn)區(qū)域進(jìn)行快速的“測(cè)量”光譜。然而，許多夫瑯和費(fèi)譜線和大多數(shù)大氣譜線都比HN-9332儀器的分辨率窄。需要更高分辨率的光譜儀來(lái)詳細(xì)檢查太陽(yáng)光譜的感興趣區(qū)域；例如HF-8989。02高分辨率太陽(yáng)光譜下圖顯示了太陽(yáng)光譜中一個(gè)特別有趣的區(qū)域。這個(gè)位于689nm附近的區(qū)域主要是由地球大氣中的氧氣引起的大地吸收。在這里，可以清楚地觀察到氧帶的R-和P-分支中的單個(gè)吸收線，較強(qiáng)的吸收線在線中心顯示~100%的吸收。左邊是一個(gè)高分辨率的太陽(yáng)光譜，它是用629nm波段的HF-8989-3光譜儀拍攝的。為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時(shí)，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體。

表明了所能達(dá)到的效率上限。雖然所用的材料花費(fèi)很大，但用于制造這種電池的技術(shù)很有前途。通過(guò)降低成本和回收利用這些生長(zhǎng)基底，未來(lái)類似的產(chǎn)品可能將被推向市場(chǎng)。背景技術(shù)：在平板型太陽(yáng)能集熱器的生產(chǎn)中，往往要在吸熱體(吸熱板)的基材的外表面鍍一層薄膜，以提高對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收，以往使用的化學(xué)鍍膜，對(duì)環(huán)境污染大，而且對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收不好。由于在濺鍍化合物薄膜時(shí)，若直接以化合物當(dāng)作靶材，則所濺鍍出來(lái)的薄膜會(huì)與靶材成份有所差別，且因?yàn)椴煌镔|(zhì)被離子擊出的濺擊產(chǎn)額不同，因此不容易控制化合物的成份組成與性撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜。上海AM0太陽(yáng)光譜模擬工廠

我們的新設(shè)備能夠解鎖存儲(chǔ)在長(zhǎng)波長(zhǎng)光子中的能量，這些是傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池力所未逮之處。山東高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬報(bào)價(jià)

步驟5)中，靶材為鉻靶，功率為11kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為110sccm，氧氣流量為90sccm，制得的吸收膜的厚度為80nm；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層；步驟6)中，靶材為硅靶，功率為6kw，電壓為560v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為220sccm，氧氣流量為30sccm，制得的抗反射膜的厚度為120nm。山東高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬報(bào)價(jià)

昊躍光學(xué)科技（蘇州）有限公司致力于電子元器件，是一家貿(mào)易型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋天文觀察濾光片，太陽(yáng)光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務(wù)為理念，秉持誠(chéng)信為本的理念，打造電子元器件良好品牌。在社會(huì)各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造高質(zhì)量服務(wù)體驗(yàn)，為客戶成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。