具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實施例,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法,包括以下依次進行的步驟:1)反應(yīng)性濺鍍制備強化膜:在***真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻,反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜;膜層包括6層,從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強化膜。上海代理太陽光譜模擬銷量
可選地,根據(jù)拍攝時刻和地理經(jīng)度,計算拍攝時刻的太陽時角,包括:根據(jù)ω(x,t)=(12-t)×15°-l(x)計算太陽時角,其中,t為拍攝時刻,ω(x,t)為坐標(biāo)為(x,y)的像素點在t時刻對應(yīng)的太陽時角??蛇x地,根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度,計算拍攝時刻的太陽高度角,包括:根據(jù)α(x,y,d,t)=arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x,t)],計算太陽高度角α(x,y,d,t)。可選地,根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程,計算相對大氣光學(xué)質(zhì)量,包括:根據(jù)其中,z表示地理位置(l(x),b(y))處的海拔高度,r(α,z)為相對大氣光學(xué)質(zhì)量。山西高級太陽光譜模擬撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅,反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟。
根據(jù)τs(α,z)=0.2710-0.2939×τd(α,z)(9)其中,τs(α,z)為散射輻射大氣透明度系數(shù)。s27,根據(jù)大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度、直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角,計算太陽直接輻射強度。在本實施例一可行的方式中,根據(jù)ed(d,α,z)=e(d)×τd(α,z)×sinα(x,y,d,t)(10)計算太陽直接輻射強度ed(d,α,z)。s28,根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角,計算太陽散射輻射強度。在本實施例一可行的方式中,根據(jù)計算太陽散射輻射強度es(α,z),k2為常系數(shù),根據(jù)大氣質(zhì)量渾濁程度,取值范圍通常為0.6≤k2≤0.9。s103,根據(jù)太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度,計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽總輻照強度。在本實施例一可行的方式中,根據(jù)
陽光是一種**度、易獲得的光源,包括數(shù)千個“內(nèi)置”的校準(zhǔn)光譜特征。許多研究都需要用到這種質(zhì)量的光源,例如日光誘導(dǎo)葉綠素?zé)晒?;植被,作物和礦物的地物光譜,高光譜,以及多光譜測試;地球大氣層研究等等。LightMachinery的高分辨率光譜儀,不但可以用來測試太陽光譜,也可以利用其高分辨率測試的夫朗和費線反演太陽自轉(zhuǎn),大氣水汽等等。顯示太陽光譜**直接的方法是將直射陽光耦合到連接到光譜儀輸入端口的光纖中。某些型號的LightMachinery光譜儀提供了必要的光通量和靈敏度來記錄太陽光譜,只需將光纖端部大致對準(zhǔn)太陽的方向即可。相互反應(yīng)生成所需的化合物沉積在基材上,此種濺鍍系統(tǒng)稱為反應(yīng)性濺鍍。
根據(jù)拍攝時刻和所地理經(jīng)度,計算拍攝時刻的太陽時角。在本實施例一可行的方式中,可根據(jù)ω(x,t)=(12-t)×15°-l(x)(5)計算太陽時角,其中,t為拍攝時刻,ω(x,t)為坐標(biāo)為(x,y)的像素點在t時刻對應(yīng)的太陽時角。s24,根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度,計算拍攝時刻的太陽高度角。在本實施例一可行的方式中,可根據(jù)α(x,y,d,t)=arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x,t)](6)計算太陽高度角α(x,y,d,t)。這種太陽能電池非常昂貴,但研究者認(rèn)為其**重要的是表明了所能達到的效率上限。天津購買太陽光譜模擬購買
反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜。上海代理太陽光譜模擬銷量
1)反應(yīng)性濺鍍制備強化膜:在***真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻,反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜;步驟1)中,吸熱體的基材為不銹鋼片;步驟1)中,靶材為鉻靶,功率為9kw,電壓為500v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為120sccm,氧氣流量為80sccm,制得的強化膜的厚度為70nm;膜厚是根據(jù)工藝要求可調(diào)整的;2)濺鍍制備低發(fā)射率膜:在第二真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜;上海代理太陽光譜模擬銷量
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