南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司精心打造的公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái),是芯片工藝與微組裝測(cè)試技術(shù)的領(lǐng)航者。該平臺(tái)匯聚了一支由行業(yè)專業(yè)的學(xué)者與技術(shù)高手組成的精英團(tuán)隊(duì),他們憑借豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)和深厚的專業(yè)功底,致力于為全球客戶提供比較好質(zhì)的技術(shù)咨詢與解決方案。在芯片工藝服務(wù)領(lǐng)域,平臺(tái)憑借先進(jìn)的工藝設(shè)備與強(qiáng)大的技術(shù)創(chuàng)新能力,能夠靈活應(yīng)對(duì)客戶的多樣化需求,從制程方案的精心策劃到工藝流程的精細(xì)打磨,再到高效精細(xì)的工藝代工服務(wù),每一個(gè)環(huán)節(jié)都力求完美,助力客戶在芯片制造領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。芯谷高頻研究院可提供6英寸及以下晶圓鍵合服務(wù),并具備介質(zhì)、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力,鍵合精度達(dá)2um。江西SBD芯片設(shè)計(jì)
南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司專注于Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術(shù)開發(fā),為客戶提供專業(yè)的技術(shù)解決方案。與傳統(tǒng)的SiLDMOS相比,該芯片具有更高的工作頻率、更大的功率和更小的體積等優(yōu)勢(shì)。同時(shí),與SiC基GaN芯片相比,Si基GaN芯片具備低成本、高密度集成和大尺寸等優(yōu)勢(shì)。該芯片適應(yīng)于C、Ka、W等主流波段的攻放、開關(guān)、低噪放等芯片應(yīng)用,具有較優(yōu)的市場(chǎng)前景。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司可為客戶提供定制化的Si基GaN射頻器件和電路芯片研制與代工服務(wù),滿足客戶在5G通信基站、高效能源、汽車?yán)走_(dá)、手機(jī)終端、人工智能等領(lǐng)域的需求??傊暇┲须娦竟雀哳l器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司在Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術(shù)領(lǐng)域擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)和高水平的技術(shù)實(shí)力。通過不斷創(chuàng)新和努力奮斗,研究院將繼續(xù)提升產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)水平,為相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。內(nèi)蒙古光電器件及電路器件及電路芯片工藝技術(shù)服務(wù)芯片在智能家居領(lǐng)域的應(yīng)用,如智能門鎖、智能照明等,提高了家居的舒適性和便捷性。
該平臺(tái)在微組裝及測(cè)試領(lǐng)域也展現(xiàn)出了非凡的實(shí)力與遠(yuǎn)見。通過引進(jìn)國際的微組裝生產(chǎn)線與高精度測(cè)試設(shè)備,平臺(tái)構(gòu)建了從器件性能測(cè)試、精密模塊組裝到系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證的完整服務(wù)體系。依托專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)與嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系,平臺(tái)確保客戶產(chǎn)品不僅性能,更能在復(fù)雜多變的市場(chǎng)環(huán)境中保持強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。南京中電芯谷公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)始終將客戶需求放在,堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新與持續(xù)改進(jìn)的發(fā)展理念。平臺(tái)將不斷加大研發(fā)投入,拓展服務(wù)范圍,提升服務(wù)質(zhì)量,以更加靈活、高效、專業(yè)的服務(wù)方式,滿足客戶的多元化需求。同時(shí),平臺(tái)也將積極與國內(nèi)外企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)開展合作與交流,共同推動(dòng)高頻器件產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)升級(jí),為行業(yè)的繁榮發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司,在太赫茲芯片這一前沿科技領(lǐng)域,構(gòu)筑了堅(jiān)實(shí)的研發(fā)基石與深厚的專業(yè)底蘊(yùn)。公司匯聚了一支由行業(yè)精英組成的研發(fā)團(tuán)隊(duì),他們不僅擁有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),更秉持著對(duì)技術(shù)的無限熱愛與不懈追求,持續(xù)在太赫茲芯片的廣闊天地中探索與突破。這支團(tuán)隊(duì)以創(chuàng)新思維為帶領(lǐng),不斷挑戰(zhàn)技術(shù)極限,致力于將太赫茲芯片技術(shù)推向新的高度。為了支撐這一宏偉目標(biāo),南京中電芯谷配備了前列的研發(fā)設(shè)備與精密儀器,構(gòu)建起一套完善的研發(fā)體系,為科研人員提供了的實(shí)驗(yàn)環(huán)境與創(chuàng)作舞臺(tái)。這些先進(jìn)工具不僅滿足了多樣化的研發(fā)需求,更為創(chuàng)新靈感的火花提供了肥沃的土壤,使得每一次嘗試都充滿可能,每一份努力都能結(jié)出豐碩的果實(shí)。 芯谷高頻研究院的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品可直接與各類射頻CVD設(shè)備直接集成,應(yīng)用于金剛石等材料的生長(zhǎng)。
南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的跨尺度材料熱物性測(cè)試儀,是一款專為材料熱物性研究設(shè)計(jì)的先進(jìn)儀器。這款測(cè)試儀具備高精度、高效率的特點(diǎn),可對(duì)各種材料的熱物性進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量,為科研人員提供可靠的數(shù)據(jù)支持。在技術(shù)指標(biāo)、測(cè)試精度和穩(wěn)定性方面,該儀器達(dá)到了行業(yè)較高水平。其操作簡(jiǎn)便,能夠滿足多種測(cè)試需求,包括熱導(dǎo)率、熱阻等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量。這使得科研人員能夠更快速、準(zhǔn)確地獲取材料的熱物性數(shù)據(jù),推動(dòng)科研工作的進(jìn)展。此外,該測(cè)試儀能夠有效解決現(xiàn)有設(shè)備在評(píng)估大尺寸、微米級(jí)厚度以及超高導(dǎo)熱率材料方面的難題,為科研工作注入新的活力。其高度的市場(chǎng)認(rèn)可度表明,南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司在熱物性測(cè)試領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力得到了較高認(rèn)可。選擇南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的跨尺度材料熱物性測(cè)試儀,意味著客戶將獲得一款高效、可靠的測(cè)試設(shè)備,為客戶的材料研究工作提供有力支持。公司期待與您共同推動(dòng)科研工作的進(jìn)步,探索更多可能。芯谷高頻研究院可以對(duì)外提供光電芯片測(cè)試服務(wù),包括光電集成芯片在片耦合測(cè)試、集成微波光子芯片測(cè)試等。上海光電芯片定制開發(fā)
芯谷高頻研究院的熱物性測(cè)試儀可有效解決無法實(shí)現(xiàn)大尺寸、微米級(jí)厚度、及其超高熱導(dǎo)率等材料的熱評(píng)估難題。江西SBD芯片設(shè)計(jì)
針對(duì)傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱性能不足的問題,南京中電芯谷成功研發(fā)了SionSiC/Diamond材料,這一突破性成果為高功率、高頻率應(yīng)用提供了理想的散熱解決方案,明顯提升了電子器件的穩(wěn)定性和可靠性。此外,GaNonSiC材料的問世,更是解決了自支撐GaN襯底高性能器件散熱受限的難題,為高溫、高功率環(huán)境下的電子器件設(shè)計(jì)提供了新的可能,進(jìn)一步拓寬了GaN材料的應(yīng)用領(lǐng)域。值得一提的是,南京中電芯谷還提供支持特定襯底功能薄膜材料的異質(zhì)晶圓定制研發(fā)服務(wù),這一舉措不僅滿足了客戶多樣化的需求,更為公司贏得了普遍的市場(chǎng)認(rèn)可與好評(píng)。公司將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展的理念,不斷探索與突破,為異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)的未來發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。 江西SBD芯片設(shè)計(jì)