南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)可為客戶提供全流程芯片制造工藝技術(shù)服務(wù)。平臺(tái)擁有先進(jìn)的設(shè)備和專業(yè)的團(tuán)隊(duì)，通過多道工藝環(huán)節(jié)，包括光刻、金屬化、高溫處理、鍵合等，提供技術(shù)支持，幫助客戶實(shí)現(xiàn)芯片從設(shè)計(jì)到制造的全過程。該技術(shù)服務(wù)平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)在于，能夠?yàn)榭蛻籼峁└咝?、?zhǔn)確、定制化的服務(wù)。不論是在工藝的選擇，還是在設(shè)備操作和技術(shù)咨詢方面，平臺(tái)都能夠全力滿足客戶的需求。從技術(shù)咨詢，到流片調(diào)試、產(chǎn)品測(cè)試，研究院將貼心地為客戶提供技術(shù)服務(wù)。芯谷高頻研究院的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品可直接與各類射頻CVD設(shè)備直接集成，應(yīng)用于金剛石等材料的生長。重慶硅基氮化鎵器件及電路芯片測(cè)試

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司擁有先進(jìn)的硅基氮化鎵產(chǎn)品開發(fā)技術(shù)。公司致力于提高半導(dǎo)體器件的性能。在研發(fā)過程中，公司深度探究硅基氮化鎵器件與芯片技術(shù)，不斷創(chuàng)新，不斷提高研究水平。目前，公司已經(jīng)擁有一批有經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力的團(tuán)隊(duì)，在硅基氮化鎵方面擁有多年的研究和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。公司采用先進(jìn)的工藝流程，推行高效率的管理模式，不斷探索創(chuàng)新型的研發(fā)模式，以提升企業(yè)的研究開發(fā)能力和效率。在市場(chǎng)方面，公司積極總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，探究市場(chǎng)需求，根據(jù)客戶的具體需求進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)開發(fā)，為客戶提供質(zhì)量優(yōu)秀的硅基氮化鎵產(chǎn)品。未來，公司將繼續(xù)不斷創(chuàng)新和發(fā)展，秉承“科技改變生活，創(chuàng)新鑄就未來”的理念，不斷推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展。遼寧金剛石器件及電路芯片測(cè)試南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供太赫茲放大器系列芯片技術(shù)開發(fā)服務(wù)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供GaAs太赫茲SBD管芯技術(shù)開發(fā)服務(wù)，該芯片具有結(jié)電容小、截止頻率高等特點(diǎn)，是截止頻率高的電子元器件；同時(shí)，該系列芯片具有低寄生、高頻響的優(yōu)勢(shì)。針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景，根據(jù)客戶需求，公司可定制化開發(fā)具有不同規(guī)格的單管、對(duì)管、等變阻、變?nèi)莨苄?。該芯片可用于太赫茲通信、雷達(dá)、測(cè)試等技術(shù)領(lǐng)域中毫米波、太赫茲各頻段混頻、倍頻、檢波電路。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司將不斷提高該芯片性能水平，為客戶提供更好的服務(wù)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司可以對(duì)外提供光電芯片測(cè)試服務(wù)，包括光電集成芯片在片耦合測(cè)試、集成微波光子芯片測(cè)試等。在光電芯片測(cè)試方面，公司經(jīng)驗(yàn)豐富，設(shè)備先進(jìn)，能夠高效準(zhǔn)確地完成多種測(cè)試任務(wù)。對(duì)于光電集成芯片在片耦合性能測(cè)試和集成微波光子芯片測(cè)試，公司都可以提供專業(yè)的測(cè)試服務(wù)。公司擁有先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備和設(shè)施，可以滿足多種測(cè)試需求。此外，公司擁有一支專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，致力于提高測(cè)試技術(shù)的精度和效率。公司致力于為客戶提供高質(zhì)量的測(cè)試服務(wù)，助力光電芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開發(fā)服務(wù)。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開發(fā)服務(wù)，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產(chǎn)品具有耐功率、高速等優(yōu)勢(shì)，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達(dá)600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無線輸能或遠(yuǎn)距離無線充電，可大幅提高整流功率和效率，實(shí)現(xiàn)裝置的小型化；用于太赫茲系統(tǒng)，可提高太赫茲固態(tài)源輸出功率，實(shí)現(xiàn)太赫茲源小型化，為6G通信等未來應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司太赫茲測(cè)試設(shè)備可以達(dá)到500GHz的測(cè)試頻率。海南化合物半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)服務(wù)

芯谷高頻研究院的熱物性測(cè)試儀可有效解決無法實(shí)現(xiàn)大尺寸、微米級(jí)厚度、及其超高熱導(dǎo)率等材料的熱評(píng)估難題。重慶硅基氮化鎵器件及電路芯片測(cè)試

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對(duì)外提供太赫茲放大器系列芯片技術(shù)開發(fā)服務(wù)。研究院自主研發(fā)的太赫茲半導(dǎo)體固態(tài)器件及單片集成電路，頻率覆蓋范圍包括140GHz、220GHz、300GHz、340GHz等。這些產(chǎn)品涵蓋了驅(qū)放、功放、低噪放等，并且還可為客戶提供全套的太赫茲芯片解決方案。這些太赫茲芯片可以應(yīng)用于太赫茲安檢、無損探測(cè)、太赫茲高速通信系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域，在實(shí)現(xiàn)安全檢測(cè)和無損檢測(cè)方面發(fā)揮重要作用。研究院將持續(xù)努力，不斷創(chuàng)新，為客戶提供更多高質(zhì)量的產(chǎn)品和服務(wù)，為太赫茲領(lǐng)域的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。重慶硅基氮化鎵器件及電路芯片測(cè)試