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重慶碳納米管器件及電路芯片流片

來源: 發(fā)布時間:2023-12-23

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺可為客戶提供芯片測試服務(wù)。在微波測試、直流測試、光電測試、微結(jié)構(gòu)表征分析等方面,都能夠提供準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)解析。熱特性測試也是研究院的專業(yè)領(lǐng)域,研究院通過嚴(yán)格的實驗流程和先進(jìn)的設(shè)備,確保結(jié)果的準(zhǔn)確性。研究院的公共技術(shù)服務(wù)平臺為客戶提供了一站式的解決方案,滿足了半導(dǎo)體領(lǐng)域不同芯片的測試需求。研究院的目標(biāo)是通過持續(xù)創(chuàng)新和技術(shù)服務(wù)的不斷提升,為客戶提供更加優(yōu)良的服務(wù),為推動芯片技術(shù)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司擁有先進(jìn)的硅基氮化鎵產(chǎn)品開發(fā)技術(shù)。重慶碳納米管器件及電路芯片流片

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南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)服務(wù),可進(jìn)行以下先進(jìn)集成材料制備和研發(fā):1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質(zhì)晶圓,用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器;2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質(zhì)晶圓,用于低損耗光學(xué)平臺;3)AlGaAs-on-insulator,絕緣體上AlGaAs晶圓,用于光量子器件等新一代片上光源平臺;4)Miro-Cavity-SOI,內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓,用于環(huán)柵GAA,MEMS等器件平臺;5)SionSiC/Diamond,解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸;6)GaNonSiC,解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸;7)支持特定襯底功能薄膜材料異質(zhì)晶圓定制研發(fā)。黑龍江金剛石器件及電路芯片設(shè)計南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司公共技術(shù)服務(wù)平臺可以提供微組裝服務(wù)。

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南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供光電器件及電路技術(shù)開發(fā)。研究院擁有先進(jìn)的光電器件及電路制備工藝,能夠為客戶提供定制化的技術(shù)開發(fā)方案和工藝加工服務(wù)。公司致力于研發(fā)光電集成芯片,以應(yīng)對新體制微波光子雷達(dá)和光通信等領(lǐng)域的發(fā)展需求。在此領(lǐng)域,光芯片、器件與模塊將為通信網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用提供強(qiáng)有力的支撐。無論是在技術(shù)研發(fā)上,還是在工藝制備上,研究院都秉持著高標(biāo)準(zhǔn)和嚴(yán)謹(jǐn)精神。通過不斷創(chuàng)新和努力奮斗,研究院將不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)水平,以滿足客戶的需求。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開發(fā)服務(wù),該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產(chǎn)品具有耐功率、高速等優(yōu)勢,工作頻率涵蓋1GHz~300GHz,截止頻率達(dá)600GHz;可用于接收端的大功率限幅,提高抗干擾能力;可用于無線輸能或遠(yuǎn)距離無線充電,可大幅提高整流功率和效率,實現(xiàn)裝置的小型化;用于太赫茲系統(tǒng),可提高太赫茲固態(tài)源輸出功率,實現(xiàn)太赫茲源小型化,為6G通信等未來應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術(shù)開發(fā)服務(wù)。

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南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的高功率密度熱源產(chǎn)品由熱源管芯和熱源集成外殼組成,并采用了先進(jìn)的厚金技術(shù)。熱源管芯的背面可以與任意熱沉進(jìn)行金錫等焊料集成,也滿足與外殼集成后,在任意熱沉進(jìn)行機(jī)械集成。這種靈活的設(shè)計使得熱源可以根據(jù)客戶的要求進(jìn)行定制,尺寸可以進(jìn)行調(diào)整。這款高功率密度熱源產(chǎn)品適用于微系統(tǒng)或微電子領(lǐng)域的熱管、微流以及新型材料的散熱技術(shù)開發(fā)。同時,它還可以對熱管理技術(shù)進(jìn)行定量的表征和評估。公司可以根據(jù)客戶的需求,設(shè)計和開發(fā)各種熱源微結(jié)構(gòu)及其功率密度。這款產(chǎn)品不僅具有高功率密度,還具有良好的可定制性和適應(yīng)性。芯谷高頻研究院的太赫茲測試能力,能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)500GHz的電路功率測試和噪聲測試。青海熱源芯片流片

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南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司的CVD用固態(tài)微波功率源產(chǎn)品具有以下特點:采用第三代氮化鎵半導(dǎo)體,具有高頻率一致性和穩(wěn)定性, 且具有集成度高,尺寸小、壽命高等特性;可直接與各類射頻CVD設(shè)備直接集成,應(yīng)用于金剛石等材料的生長;可設(shè)計與研制不同工作模式的氮化鎵基固態(tài)微波功率源,滿足各類射頻CVD設(shè)備對高可靠、高集成、高微波特性的技術(shù)需求,提升CVD設(shè)備的穩(wěn)定性;主要用于各類射頻CVD設(shè)備,為其提供微波功率,可擴(kuò)展應(yīng)用為微波消毒、微波醫(yī)療等領(lǐng)域;本公司可依據(jù)客戶要求進(jìn)行各類微波功率大小和功率頻率的設(shè)計與開發(fā),相對傳統(tǒng)微波功率源具有性能高、穩(wěn)定性好的特性。重慶碳納米管器件及電路芯片流片

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