探針臺(tái)由于動(dòng)子和定子間無相對(duì)摩擦故無磨損，使用壽命長(zhǎng)。而定子在加工過程中生產(chǎn)廠家根據(jù)不同的設(shè)計(jì)要求如分辨力等，用機(jī)加工的方法在一平面的鐵制鑄件上加工出若干個(gè)線槽，線槽間的距離即稱為平面電機(jī)的齒距，而定子則按不同的細(xì)分控制方式，按編制好的運(yùn)行程序借助于平面定子和動(dòng)子之間的氣墊才能實(shí)現(xiàn)步進(jìn)運(yùn)動(dòng)。對(duì)定子的損傷將直接影響工作臺(tái)的步進(jìn)精度及設(shè)備使用壽命，損壞嚴(yán)重將造成設(shè)備無法使用而報(bào)廢。由于平面電機(jī)的定子及動(dòng)子是完全暴露在空氣中，所以潮濕的環(huán)境及長(zhǎng)時(shí)期保養(yǎng)不當(dāng)將很容易使定子發(fā)生銹蝕現(xiàn)象，另外重物的碰撞及堅(jiān)銳器物的劃傷都將對(duì)定子造成損傷，而影響平面電機(jī)的步進(jìn)精度及使用壽命。探針臺(tái)從操作上來區(qū)分有：手動(dòng)，半自動(dòng)，全自動(dòng)。河南直流探針臺(tái)機(jī)構(gòu)

以往如果需要測(cè)試電子元器件或系統(tǒng)的基本電性能(如電流、電壓、阻抗等)或工作狀態(tài)，測(cè)試人員一般會(huì)采用表筆去點(diǎn)測(cè)。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于精密微小(納米級(jí))的微電子器件，表筆點(diǎn)到被測(cè)位置就顯得無能為力了。于是一種高精度探針座應(yīng)運(yùn)而生，利用高精度微探針將被測(cè)原件的內(nèi)部訊號(hào)引導(dǎo)出來，便于其電性測(cè)試設(shè)備(不屬于本機(jī)器)對(duì)此測(cè)試、分析。探針臺(tái)執(zhí)行機(jī)構(gòu)由探針座和探針桿兩部分組成.在探針座有X-Y-Z三向調(diào)節(jié)旋鈕，控制固定在針座上的探針桿做三向移動(dòng)，移動(dòng)范圍12mm，移動(dòng)精度可以達(dá)到0.7微米。這樣可以把探針很好的點(diǎn)到待測(cè)點(diǎn)上(說明探針是耗材，一般客戶自己準(zhǔn)備)，探針探測(cè)到的信號(hào)可以通過探針桿上的電纜傳輸?shù)脚c其連接的測(cè)試機(jī)上，從而得到電性能的參數(shù)。對(duì)于重復(fù)測(cè)試同種器件，多個(gè)點(diǎn)位的推薦使用探針臺(tái)安裝探卡進(jìn)行測(cè)試。廣東芯片測(cè)試探針臺(tái)生產(chǎn)廠家晶圓級(jí)半自動(dòng)面內(nèi)磁場(chǎng)探針臺(tái)詳細(xì)參數(shù)：垂直或面內(nèi)磁場(chǎng)探針臺(tái)，通用性設(shè)計(jì)；容納12寸晶圓。

手動(dòng)探針臺(tái)的使用方式：1.將樣品載入真空卡盤，開啟真空閥門控制開關(guān)，使樣品安全且牢固地吸附在卡盤上。2.使用卡盤X軸/Y軸控制旋鈕移動(dòng)卡盤平臺(tái)，在顯微鏡低倍物鏡聚焦下看清楚樣品。3.使用卡盤X軸/Y軸控制旋鈕移動(dòng)卡盤平臺(tái)將樣品待測(cè)試點(diǎn)移動(dòng)至顯微鏡下。4.顯微鏡切換為高倍率物鏡，在大倍率下找到待測(cè)點(diǎn)，再微調(diào)顯微鏡聚焦和樣品x-y，將影像調(diào)節(jié)清晰,帶測(cè)點(diǎn)在顯微鏡視場(chǎng)中心。5.確保針尖和被測(cè)點(diǎn)接觸良好后，則可以通過連接的測(cè)試設(shè)備開始測(cè)試。常見故障的排除當(dāng)您使用本儀器時(shí)，可能會(huì)碰到一些問題，下表列舉了常見的故障及解決方法。手動(dòng)探針臺(tái)技術(shù)參數(shù)。

晶圓測(cè)試是在半導(dǎo)體器件制造過程中執(zhí)行的一個(gè)步驟。在此步驟中，在將晶圓送至芯片準(zhǔn)備之前執(zhí)行，晶圓上存在的所有單個(gè)集成電路都通過對(duì)其應(yīng)用特殊測(cè)試模式來測(cè)試功能缺陷。晶圓測(cè)試由稱為晶圓探針器的測(cè)試設(shè)備執(zhí)行。晶圓測(cè)試過程可以通過多種方式進(jìn)行引用：晶圓終端測(cè)試(WFT)、電子芯片分類(EDS)和電路探針(CP)可能是很常見的。晶圓探針器是用于測(cè)試集成電路的機(jī)器（自動(dòng)測(cè)試設(shè)備）。對(duì)于電氣測(cè)試，一組稱為探針卡的微觀觸點(diǎn)或探針被固定在適當(dāng)?shù)奈恢茫瑫r(shí)真空安裝在晶圓卡盤上的晶圓被移動(dòng)到電接觸狀態(tài)。上海勤確科技有限公司與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天。

晶圓探針臺(tái)還可以在晶圓劃片線上執(zhí)行任何測(cè)試電路。一些公司從這些劃線測(cè)試結(jié)構(gòu)中獲得大部分有關(guān)器件性能的信息。當(dāng)特定芯片的所有測(cè)試圖案都通過時(shí)，它的位置會(huì)被記住，以便以后在IC封裝過程中使用。有時(shí)，芯片有內(nèi)部備用資源可用于修復(fù)（即閃存IC）；如果它沒有通過某些測(cè)試模式，則可以使用這些備用資源。如果故障管芯的冗余是不可能的，則管芯被認(rèn)為有故障并被丟棄。未通過電路通常在芯片中間用一個(gè)小墨水點(diǎn)標(biāo)記，或者通過/未通過信息存儲(chǔ)在一個(gè)名為wafermap的文件中。該地圖通過使用bins對(duì)通過和未通過的die進(jìn)行分類。然后將bin定義為好或壞的裸片。某些針尖位置低的扎傷AL層，對(duì)后續(xù)封裝壓焊有影響。河南直流探針臺(tái)機(jī)構(gòu)

探針卡虛焊和布線斷線或短路，測(cè)試時(shí)都要測(cè)不穩(wěn)。河南直流探針臺(tái)機(jī)構(gòu)

手動(dòng)探針臺(tái)應(yīng)用領(lǐng)域：Failureanalysis集成電路失效分析；Waferlevelreliability晶元可靠性認(rèn)證；Devicecharacterization元器件特性量測(cè)；Processmodeling塑性過程測(cè)試(材料特性分析)；ICProcessmonitoring制成監(jiān)控；PackagepartprobingIC封裝階段打線品質(zhì)測(cè)試；Flatpanelprobing液晶面板的特性測(cè)試；PCboardprobingPC主板的電性測(cè)試；ESD&TDRtestingESD和TDR測(cè)試；Microwaveprobing微波量測(cè)(高頻)；Solar太陽(yáng)能領(lǐng)域檢測(cè)分析；LED、OLED、LCD領(lǐng)域檢測(cè)分析。河南直流探針臺(tái)機(jī)構(gòu)