和從所述實(shí)質(zhì)上平坦的***表面的至少一部分去除所述電絕緣材料。可以至少部分通過(guò)機(jī)加工執(zhí)行所述去除步驟。可以至少部分通過(guò)單點(diǎn)飛切執(zhí)行所述去除步驟。可以至少部分通過(guò)銑削執(zhí)行所述去除步驟。所述方法可以包括在所述去除步驟之后的附加步驟：去除所述導(dǎo)體中的一些部分以調(diào)節(jié)所述線圈的電學(xué)屬性。所述電學(xué)屬性可以是電阻。所述方法可以包括在所述去除步驟之后的附加步驟：測(cè)量所述線圈的電阻。所述方法可以包括在所述去除步驟之后的附加步驟：測(cè)量所述線圈的q因子。根據(jù)另一方面，公開了一種制造線圈的方法，包括如下步驟：提供導(dǎo)電材料的片材；用電絕緣材料的層覆蓋所述片材的至少一側(cè)；卷繞所述片材和層以形成卷；和橫向于所述卷的長(zhǎng)度切割所述卷以形成線圈。本發(fā)明的另外的實(shí)施例、特征和優(yōu)點(diǎn)以及各個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作將參考隨附附圖在下文更詳細(xì)地進(jìn)行描述。附圖說(shuō)明附圖并入本文中并構(gòu)成說(shuō)明書的部分，并且通過(guò)舉例但決不是限制的方式圖示了本發(fā)明的實(shí)施例的方法和系統(tǒng)。所述附圖和詳細(xì)描述一起進(jìn)一步用來(lái)解釋本文所呈現(xiàn)的方法和系統(tǒng)的原理，以使得相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人能夠?qū)嵤┖褪褂帽疚乃尸F(xiàn)的方法和系統(tǒng)。在附圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相同的或功能類似的元件。立繞扁平線圈是一種結(jié)合了立繞和扁平線圈特點(diǎn)的線圈類型。萬(wàn)州區(qū)電感線圈

    具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例**用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明提供的一種充電線圈加工方法包括步驟：采用激光沿著螺旋切割線將銅箔切割成螺旋狀銅線；其中，切割過(guò)程中，所述激光以螺旋線行進(jìn)軌跡沿著所述螺旋切割線運(yùn)動(dòng)。為了便于理解本發(fā)明的技術(shù)方案，需要對(duì)螺旋切割線和激光的螺旋線行進(jìn)軌跡分別進(jìn)行解釋說(shuō)明。圖1為加工完成的充電線圈示意圖，圖2為局部放大示意圖，相鄰銅線1之間的間隙為螺旋切割線2。圖3為激光的一種螺旋線行進(jìn)軌跡，圖中的行進(jìn)軌跡為螺旋圓，較佳地，所述螺旋圓的直徑大于等于(d+)mm，其中，d為所述螺旋切割線的線寬。還可以采用螺旋橢圓或其他的平滑的螺旋線代替，激光加工前，可以根據(jù)需要在激光加工設(shè)備上對(duì)螺旋線的形狀進(jìn)行編程設(shè)定，本發(fā)明不作限定。本發(fā)明中激光按照螺旋線行進(jìn)軌跡運(yùn)動(dòng)，沿著螺旋切割線2對(duì)銅箔進(jìn)行切割，如圖4所示，得到充電線圈。采用螺旋線行進(jìn)軌跡替代傳統(tǒng)的線條軌跡進(jìn)行激光切割加工，可以保證加工過(guò)程中線圈不同位置的反射性相同，切割出的銅線毛刺相對(duì)較少，線圈縫寬。四川扁平線圈設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)車載線圈是由導(dǎo)線繞制成多個(gè)匝數(shù)和形狀的線圈，可以產(chǎn)生強(qiáng)度較高的磁場(chǎng)和感應(yīng)電勢(shì)。

    d為所述螺旋切割線的線寬。進(jìn)一步地，所述采用激光沿著螺旋切割線將銅箔切割成螺旋狀銅線的步驟之前還包括：將所述銅箔固定于治具上。進(jìn)一步地，所述治具上設(shè)置有若干通向所述治具的上表面的吸附孔。進(jìn)一步地，所述治具的上表面上設(shè)有螺旋線槽，所述螺旋線槽正對(duì)所述螺旋切割線。進(jìn)一步地，所述螺旋線槽的寬度大于所述螺旋切割線的線寬。進(jìn)一步地，所述螺旋線槽的寬度為(d+)mm，其中，d為所述螺旋切割線的線寬。進(jìn)一步地，所述激光的參數(shù)為：波長(zhǎng)355nm，功率為40w。一種無(wú)線充電裝置，包括充電線圈，所述充電線圈采用如上所述的方法制作而成。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于：本發(fā)明的充電線圈加工方法中，采用螺旋線行進(jìn)軌跡替代傳統(tǒng)的線條軌跡進(jìn)行激光切割加工，可以保證加工過(guò)程中線圈不同位置的反射性相同，切割出的銅線毛刺相對(duì)較少，線圈縫寬(即相鄰銅線間的間隙)更均勻，此外采用螺旋線加工的方式熱量累積少、效率更高。采用本發(fā)明的方法，可加工出縫寬精度為。附圖說(shuō)明圖1是一種加工完成的螺旋狀銅線的示意圖。圖2是圖1的螺旋狀銅線的局部放大示意圖。圖3是本發(fā)明中激光的一種螺旋線行進(jìn)軌跡示意圖。圖4是本發(fā)明的一種充電線圈加工方法示意圖。

    光刻系統(tǒng)200包括照射系統(tǒng)230。照射系統(tǒng)230包括光源205，光源205產(chǎn)生脈沖光束210，并將脈沖光束210引導(dǎo)至對(duì)晶片220上的微電子特征進(jìn)行圖案化的光刻曝光設(shè)備或掃描儀215。晶片220放置在晶片臺(tái)222上，晶片臺(tái)222構(gòu)造成保持晶片220并連接到定位器，該定位器配置成根據(jù)某些參數(shù)準(zhǔn)確地定位晶片220。光束210也被引導(dǎo)通過(guò)束準(zhǔn)備系統(tǒng)212，束準(zhǔn)備系統(tǒng)212能夠包括修改光束210的多個(gè)方面的光學(xué)元件。例如，束準(zhǔn)備系統(tǒng)212能夠包括反射或折射光學(xué)元件、光脈沖展寬器和光學(xué)光闌(包括自動(dòng)遮蔽件)。光譜特征選擇系統(tǒng)250基于控制系統(tǒng)185的輸入來(lái)微調(diào)光源205的光譜輸出。光刻系統(tǒng)200使用具有例如在深紫外線(duv)范圍或極紫外線(euv)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的光束210。光刻系統(tǒng)100還包括測(cè)量(或量測(cè))系統(tǒng)270和控制系統(tǒng)185。量測(cè)系統(tǒng)270測(cè)量光束的一個(gè)或更多個(gè)光譜特征(諸如帶寬和/或波長(zhǎng))。量測(cè)系統(tǒng)270推薦地包括多個(gè)傳感器。量測(cè)系統(tǒng)270接收被從束分離裝置260改變方向的光束210的一部分，所述束分離裝置260放置在光源205和掃描儀215之間的路徑中。束分離裝置260將光束210的***部分引導(dǎo)至量測(cè)系統(tǒng)270中，將光束210的第二部分朝向掃描儀215引導(dǎo)。在一些實(shí)施方式中。光伏扁平線圈的工作原理是通過(guò)繞制線圈的電流產(chǎn)生磁場(chǎng)，再由磁場(chǎng)感應(yīng)出電壓。

具有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖**是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明中無(wú)線充電線圈制作的流程示意圖；其中，圖中各附圖標(biāo)記：01-銅箔；1-銅線圈層；11-內(nèi)焊盤；12-外焊盤；2-襯底；3-***絕緣層；4-第二絕緣層；5-導(dǎo)電銅膠帶。具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例**用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者間接在該另一個(gè)元件上。當(dāng)一個(gè)元件被稱為是“連接于”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或間接連接至該另一個(gè)元件上。需要理解的是。無(wú)線充線圈的品質(zhì)和性能對(duì)充電效率、充電距離和充電安全性有著重要影響。永州立繞線圈聯(lián)系人

立繞線圈在電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用，它可以作為電感器、變壓器、濾波器等組件使用。萬(wàn)州區(qū)電感線圈

    所述***對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上垂直于所述線圈的平面，所述第二對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上平行于所述線圈的平面；和電絕緣材料，在所述***對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)上，所述第二對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)沒有任何電絕緣材料，所述永磁體和線圈布置成使得當(dāng)充足幅值的電流流過(guò)所述線圈時(shí)在所述永磁體和線圈之間形成力。7.一種在光刻設(shè)備中用于定位掩模版或晶片的平臺(tái)，所述平臺(tái)包括：臺(tái)；和致動(dòng)器，機(jī)械耦接至所述臺(tái)，所述致動(dòng)器包括永磁體和具有扁平線的實(shí)質(zhì)上平坦的線圈，所述扁平線包括：導(dǎo)體，具有實(shí)質(zhì)上矩形的橫截面，且具有***對(duì)側(cè)邊和第二對(duì)側(cè)邊，所述***對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上垂直于所述線圈的平面，所述第二對(duì)側(cè)邊定向成實(shí)質(zhì)上平行于所述線圈的平面；和在所述***對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)上的電絕緣材料，所述第二對(duì)側(cè)邊的側(cè)邊中的至少一個(gè)沒有任何電絕緣材料，所述永磁體和線圈布置成使得當(dāng)充足幅值的電流流過(guò)所述線圈時(shí)在所述永磁體和線圈之間形成力。8.一種制造線圈的方法，包括以下步驟：提供一長(zhǎng)度的扁平線，所述扁平線包括具有實(shí)質(zhì)上矩形的橫截面的導(dǎo)體，用電絕緣材料覆蓋所述導(dǎo)體；將所述長(zhǎng)度的扁平線卷繞成實(shí)質(zhì)上平坦的線圈。萬(wàn)州區(qū)電感線圈