它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管模塊的特點(diǎn)：是“一觸即發(fā)”。但是，如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。那么，用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽(yáng)極電源(圖3中的開關(guān)S)或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽(yáng)極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓，那么，在電壓過零時(shí)，晶閘管模塊會(huì)自行關(guān)斷。三、用萬用表可以區(qū)分晶閘管模塊的三個(gè)電極嗎?怎樣測(cè)試晶閘管的好壞呢?普通晶閘管模塊的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋Rx100擋位來測(cè)。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測(cè)試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測(cè)它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽(yáng)極A了。測(cè)試晶閘管模塊的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關(guān)S，按一下按鈕開關(guān)SB，燈泡發(fā)光就是好的，不發(fā)光就是壞的。淄博正高電氣需要的是客戶的滿意，而唯有雙贏，利益共享。上海雙向晶閘管模塊

它在電加熱爐中也發(fā)揮著重要的作用，通過電控儀表的溫度傳感器來采集爐內(nèi)溫度，然后再由恒溫儀表來控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓，形成一個(gè)溫度閉環(huán)系統(tǒng)，來保持爐內(nèi)溫度恒定。下面正高電氣就來說說晶閘管模塊在電加熱爐中的作用。晶閘管模塊是電加熱爐控制裝置中關(guān)鍵的功率器件，整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管（可控硅）調(diào)壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系。晶閘管模塊選型的原則是考慮工作可靠性，即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V，選擇工作電壓為460V的晶閘管模塊，其他電壓的晶閘管模塊需要訂做。對(duì)晶閘管模塊電流的選擇，必須考慮加熱爐爐絲（或加熱件）的額定工作電流及智能可控硅調(diào)壓模塊的較大輸出電壓值，如果加熱絲為NTC或PTC特性的（即加熱絲額定電流隨溫度變化，開機(jī)時(shí)溫度很低，額定電流會(huì)很大或加熱到較高溫度時(shí)，額定電流會(huì)很大或加熱到較高溫度時(shí)，額定電流會(huì)很大），必須考慮加熱絲整個(gè)工作狀態(tài)的較大電流值，作為加熱絲的額定電流值來確定晶閘管智能模塊的規(guī)格大小。以上就是晶閘管模塊在電加熱爐的作用，想要了解更多關(guān)于晶閘管模塊的知識(shí)，可以多多關(guān)注我們的網(wǎng)站。威海晶閘管模塊哪家好淄博正高電氣與廣大客戶攜手共創(chuàng)碧水藍(lán)天。

是限制短路電流和保護(hù)晶閘管的有效措施，但負(fù)載時(shí)電壓會(huì)下降。在可逆系統(tǒng)中，逆變器在停止脈沖后會(huì)發(fā)生故障，因此通常采用快速反向脈沖的方法。③交流側(cè)通過電流互感器與過流繼電器相連，或通過過流繼電器與直流側(cè)相連，過流繼電器可在過流時(shí)動(dòng)作，斷開輸入端的自動(dòng)開關(guān)。設(shè)定值必須適合與產(chǎn)品串聯(lián)的快速熔斷器的過載特性?；蛘哒f，系統(tǒng)中儲(chǔ)存的能量過遲地被系統(tǒng)中儲(chǔ)存的能量過度消耗。主要發(fā)現(xiàn)由外部沖擊引起的過電壓主要有雷擊和開關(guān)分閘引起的沖擊電壓兩種。如果雷擊或者是高壓斷路器的動(dòng)作產(chǎn)生的過電壓是幾微妙到幾毫秒的電壓峰值，這樣的話是非常危險(xiǎn)的。開關(guān)引起的沖擊電壓可以分為下面兩類：（1）交流電源通斷引起的過電壓如交流開關(guān)分、合、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過電壓。由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路和電容局部電壓的影響，這些過電壓值是正常值的2～10倍以上。一般來說，開閉速度越快，空載斷開時(shí)的過電壓越高。（2）直流側(cè)產(chǎn)生過電壓如果切斷電路的話，電感會(huì)較大并且電流值也會(huì)較大，這樣就會(huì)產(chǎn)生較大的過電壓。這種情況經(jīng)常發(fā)生在負(fù)載切斷、導(dǎo)通的晶閘管模塊開路、快速熔斷器的熔絲熔斷等情況下。以上是晶閘管模塊過電壓的損壞。

采用強(qiáng)觸發(fā)方式可以使器件的開通時(shí)間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。下面，對(duì)正高晶閘管的強(qiáng)觸發(fā)予以詳細(xì)介紹：一.觸發(fā)脈沖幅值對(duì)晶閘管開通的影響晶閘管的門極觸發(fā)電流幅值對(duì)元件的開通速度有十分明顯的影響，高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時(shí)間。在觸發(fā)脈沖幅值為器件IGT時(shí)，器件雖可開通，但器件開通時(shí)間延遲明顯，會(huì)高達(dá)數(shù)十微妙，這對(duì)于整機(jī)設(shè)備的可靠控制、安全運(yùn)行是不利的。二.觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管開通的影響觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管的開通速度也有明顯的影響，觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長(zhǎng)，效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡，上升時(shí)間越短的情況下，晶閘管的開通時(shí)間也越短。三.晶閘管可靠觸發(fā)對(duì)門極觸發(fā)源要求(1)一般要求：觸發(fā)脈沖電流幅值：IG=10IGT;脈沖上升時(shí)間：tr≤1μs;(2)高di/dt下運(yùn)用：器件在高di/dt下運(yùn)用時(shí)，特別是當(dāng)晶閘管的阻斷電壓很高時(shí)，在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會(huì)超過門極電壓，嚴(yán)重時(shí)，甚至?xí)归T極電流倒流。這種負(fù)的門極電流會(huì)引起開通損耗增加，可能會(huì)導(dǎo)致器件高di/dt損壞。因此，我們要求在高di/dt下運(yùn)用時(shí)，門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V。淄博正高電氣得到市場(chǎng)的一致認(rèn)可。

利用過零觸發(fā)電路控制雙向晶閘管模塊的通斷。這樣，可以在負(fù)載上獲得完整的正弦波，但其缺點(diǎn)是適用于時(shí)間常數(shù)大于開關(guān)周期的系統(tǒng)，如恒溫裝置。過電壓會(huì)對(duì)晶閘管模塊造成怎樣的損壞？過電壓會(huì)損壞晶閘管。如果要保護(hù)晶閘管不受損壞，應(yīng)了解過電壓產(chǎn)生的原因，以免損壞。對(duì)于以下正高電氣，過電壓會(huì)對(duì)晶閘管模塊造成什么樣的損壞？以及產(chǎn)生電壓過點(diǎn)的原因是什么呢？對(duì)過電壓非常敏感。當(dāng)正向電壓超過udrm的某個(gè)值時(shí)，晶閘管會(huì)被誤導(dǎo)導(dǎo)，導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過一定的urrm值時(shí)，將立即損壞。因此，這么看來還是非常有必要去研究過電壓產(chǎn)生的原因以及控制過電壓的方法。1.過電壓保護(hù)過電的原因就是操作過電壓，并且根據(jù)過電壓保護(hù)的組成部分，分為交流保護(hù)還有直流以及元件保護(hù)，晶閘管的裝置可以采用過電壓的保護(hù)措施。2.過流保護(hù)電流超過正常的工作的電流的時(shí)候，可以成為過電流如果沒有保護(hù)措施，在過流時(shí)會(huì)因過熱而損壞。因此，有必要采取過流保護(hù)措施，在損壞前迅速消除過流。晶閘管裝置的過流保護(hù)可根據(jù)實(shí)際情況選擇其中一種或多種。保護(hù)措施的作用如下：①采用串聯(lián)電抗器（無整流變壓器）中的（無整流變壓器）或交流進(jìn)線中漏抗大的變壓器。淄博正高電氣推行現(xiàn)代化管理制度。濰坊晶閘管驅(qū)動(dòng)模塊生產(chǎn)廠家

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SCR是主流的功率器件，IGBT模塊發(fā)展迅速，大有取代SCR的趨勢(shì)。SCR在大容量、低頻的電力電子裝置中仍占主導(dǎo)地位。性能優(yōu)良的晶閘管派生器件有很多，如快速、雙向、逆導(dǎo)、門極可關(guān)斷及光控等晶閘管。IGBT晶閘管，其結(jié)構(gòu)為絕緣柵雙極場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以觸發(fā)導(dǎo)通，也可以觸發(fā)管斷，所以稱為全控器件；IGBT晶閘管優(yōu)點(diǎn)：輸入阻抗高、開關(guān)速度快、安全工作區(qū)寬、飽和壓降低（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大。應(yīng)用于小體積變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS以及逆變焊機(jī)當(dāng)中，是目前發(fā)展較為迅速的新一代功率器件。隨著封裝技術(shù)的發(fā)展，IGBT模塊已經(jīng)在很多運(yùn)用場(chǎng)合取代了SCR。晶閘管模塊和IGBT模塊工作原理對(duì)比兩者工作原理的不同就就是：晶閘管模塊是通過電流來控制，IGBT模塊是通過電壓變化來控制開關(guān)的。IGBT是可關(guān)斷的，晶閘管只能在電流過零時(shí)可關(guān)斷，工作頻率IGBT也比晶閘模塊高。IGBT是一種全控型電壓驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體開關(guān)，開通和關(guān)斷可控制；晶閘管需要電流脈沖驅(qū)動(dòng)開通，一旦開通，通過門極無法關(guān)斷，需要主電路電流關(guān)斷或很小才能關(guān)斷。晶閘管模塊像開關(guān)一樣通斷電流，像閘門一樣關(guān)停水流，它的作用就是一個(gè)字“閘”；所以晶閘管有兩個(gè)狀態(tài)，一個(gè)是導(dǎo)通狀態(tài)，一個(gè)是截至狀態(tài)。上海雙向晶閘管模塊

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