整流器可以分為兩類：一是不可控整流器；二是可控硅整流器（也就是我們經(jīng)常說的晶閘管）。在這里，正高就和大家聊一下晶閘管的基礎(chǔ)知識。1、晶閘管模塊介紹晶閘管模塊是一種多層半導(dǎo)體，它與晶體管的構(gòu)造相似。晶閘管是由三個部件（陽極、陰極、柵極）組成，它不像兩端二極管（陽極、陰極）一樣，無論二極管的陽極電壓如何大于陰極電壓，也不會受控制，晶閘管可以控制，所以晶閘管也叫作可控硅整流器或者是可控硅。2、晶閘管模塊基本晶閘管模塊是一種單向器件，就是說它只能在一個方向上傳導(dǎo)，除此之外，晶閘管還可以用作很多材料的加工制作，如：碳化硅、砷化鎵等。但是，硅相比于晶閘管，它具有良好的導(dǎo)熱性及高電壓性，因此，硅之類的也被稱之為可控硅整流器。3、晶閘管模塊原理晶閘管模塊的工作原理可以分為三部分，具體的三部分可以分為：一、轉(zhuǎn)發(fā)阻止模式、二、正向?qū)Ｊ?、三、反向阻塞模式?、晶閘管模塊應(yīng)用晶閘管模塊大部分應(yīng)用于大電流的食用，它的作用是專門減少電路中的內(nèi)部消耗；晶閘管還可以用于控制電路中的功率，而不需要使用晶閘管的開關(guān)控制實現(xiàn)以無任何損耗。晶閘管模塊也可以用于整流，即從交流電到直流電的過程。淄博正高電氣依托多年來完善的服務(wù)經(jīng)驗。濰坊晶閘管模塊
使用晶閘管模塊的的八大常識晶閘管模塊是使用范圍非常廣，在使用的過程中需要注意很多細(xì)節(jié)，還有一些使用常識，下面正高電氣來介紹下使用晶閘管模塊的八大常識。1、模塊在手動控制時，對所用電位器有何要求？電位器的功率大于，阻值范圍—100K。2、模塊電流選型原則是什么？當(dāng)模塊導(dǎo)通角大于100度時，可以按如下原則選取電流：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)或：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的3倍。3、模塊正常工作的條件一個+12V直流穩(wěn)壓電源（模塊內(nèi)部的工作電源）；一個0~10V控制信號（0~5V、0~10mA、4~20mA均可，用于對輸出電壓進(jìn)行調(diào)整的控制信號）。供電電源和負(fù)載（供電電源一般為電網(wǎng)或供電變壓器，接模塊輸入端子；負(fù)載為負(fù)載，接模塊輸出端子）4、+l2V穩(wěn)壓電源要求輸出電壓：+12V±，紋波電壓小于50mv；輸出電流：>；5、模塊是一個開環(huán)控制系統(tǒng)還是閉環(huán)控制系統(tǒng)晶閘管智能模塊是開環(huán)系統(tǒng)；穩(wěn)流、穩(wěn)壓模塊是閉環(huán)系統(tǒng)。6、開環(huán)控制與閉環(huán)控制用途有何區(qū)別？開環(huán)控制隨負(fù)載和電網(wǎng)的變化而變化。控制信號與輸出電流、電壓不是線性關(guān)系；閉環(huán)控制在一定的負(fù)載和電網(wǎng)范圍內(nèi)能保持輸出電流或者電壓穩(wěn)定。濰坊晶閘管模塊淄博正高電氣降低客戶風(fēng)險才是能夠良好合作的開始。
晶閘管的狀態(tài)怎么改變，它有一個控制極，又叫觸發(fā)極，給觸發(fā)極加控制電壓，就可使晶閘管的狀態(tài)反轉(zhuǎn)；不同材料、不同結(jié)構(gòu)的晶閘管，控制極的控制電壓的性質(zhì)、幅度、寬度、作用都不一樣。只有晶閘管陽極和門極同時承受正向電壓時，晶閘管才能導(dǎo)通，兩者缺一不可。晶閘管一旦導(dǎo)通后，門極將失去控制作用，門極電壓對管子以后的導(dǎo)通與關(guān)斷均不起作用，故門極控制電壓只要是有一定寬度的正向脈沖電壓即可，這個脈沖稱為觸發(fā)脈沖。要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，必須使陽極電流降低到某一個數(shù)值以下。這可通過增加負(fù)載電阻降低陽極電流，使其接近于0。IGBT模塊是一個非通即斷的開關(guān)，由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT管是靠的是它的柵源極的電壓變換來完成工作的，當(dāng)柵源極加+12V(大于6V，一般取12V到15V)時IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負(fù)壓時，IGBT關(guān)斷，加負(fù)壓就是為了可靠關(guān)斷。IGBT的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制的。當(dāng)柵極加正電壓時，MOSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導(dǎo)通，此時，從P+區(qū)注到N一區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制。
但應(yīng)注意以下問題：1.模塊的交流輸入端采用整流變壓器與電網(wǎng)進(jìn)行隔離，以減少模塊與電網(wǎng)的相互干擾。2.和普通電力半導(dǎo)體器件一樣，晶閘管智能模塊承受過電壓和電流的性能較差，短時間的過電壓和過電流都會使模塊損壞。正高帶你了解快速晶閘管模塊的特點。普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導(dǎo)通或關(guān)斷需要一定時間，同時陽極電壓上升速度太快時，會使元件誤導(dǎo)通；陽極電流上升速度太快時，會燒毀元件。人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管模塊，我們將它稱為快速晶閘管模塊。它具有以下幾個特點。一、關(guān)斷時間(toff)短導(dǎo)通的晶閘管模塊，當(dāng)切斷正向電流時。并不能馬上"關(guān)斷"，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導(dǎo)通。從切斷正向電流直到控制極恢復(fù)控制能力需要的時間，叫做關(guān)斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過程，實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導(dǎo)通速度快.能耐較高的電流上升率(dI/dt)控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管模塊。淄博正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣，產(chǎn)品規(guī)格齊全，歡迎咨詢。
發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時刻都相同，也就是控制角和導(dǎo)通角都相等，那么，單結(jié)晶體管張弛振蕩器怎樣才能與交流電源準(zhǔn)確地配合以實現(xiàn)有效的控制呢?為了實現(xiàn)整流電路輸出電壓“可控”，必須使晶閘管模塊承受正向電壓的每半個周期內(nèi)，觸發(fā)電路發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時刻都相同，這種相互配合的工作方式，稱為觸發(fā)脈沖與電源同步。十、怎樣才能做到同步呢?大家再看調(diào)壓器的電路圖(圖1)。請注意，在這里單結(jié)晶體管張弛振蕩器的電源是取自橋式整流電路輸出的全波脈沖直流電壓。在晶閘管模塊沒有導(dǎo)通時，張弛振蕩器的電容器C被電源充電，UC按指數(shù)規(guī)律上升到峰點電壓UP時，單結(jié)晶體管VT導(dǎo)通，在VS導(dǎo)通期間，負(fù)載RL上有交流電壓和電流，與此同時，導(dǎo)通的VS兩端電壓降很小，迫使張弛振蕩器停止工作。當(dāng)交流電壓過零瞬間，晶閘管VS被迫關(guān)斷，張弛振蕩器得電，又開始給電容器C充電，重復(fù)以上過程。這樣，每次交流電壓過零后，張弛振蕩器發(fā)出個觸發(fā)脈沖的時刻都相同，這個時刻取決于RP的阻值和C的電容量。調(diào)節(jié)RP的阻值，就可以改變電容器C的充電時間，也就改變了個Ug發(fā)出的時刻，相應(yīng)地改變了晶閘管的控制角，使負(fù)載RL上輸出電壓的平均值發(fā)生變化，達(dá)到調(diào)壓的目的。雙向晶閘管模塊的T1和T2不能互換。淄博正高電氣產(chǎn)品質(zhì)量好，收到廣大業(yè)主一致好評。濰坊晶閘管模塊
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采用強(qiáng)觸發(fā)方式可以使器件的開通時間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。下面，對正高晶閘管的強(qiáng)觸發(fā)予以詳細(xì)介紹：一.觸發(fā)脈沖幅值對晶閘管開通的影響晶閘管的門極觸發(fā)電流幅值對元件的開通速度有十分明顯的影響，高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時間。在觸發(fā)脈沖幅值為器件IGT時，器件雖可開通，但器件開通時間延遲明顯，會高達(dá)數(shù)十微妙，這對于整機(jī)設(shè)備的可靠控制、安全運行是不利的。二.觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管開通的影響觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管的開通速度也有明顯的影響，觸發(fā)脈沖上升時間越長，效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡，上升時間越短的情況下，晶閘管的開通時間也越短。三.晶閘管可靠觸發(fā)對門極觸發(fā)源要求(1)一般要求：觸發(fā)脈沖電流幅值：IG=10IGT;脈沖上升時間：tr≤1μs;(2)高di/dt下運用：器件在高di/dt下運用時，特別是當(dāng)晶閘管的阻斷電壓很高時，在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會超過門極電壓，嚴(yán)重時，甚至?xí)归T極電流倒流。這種負(fù)的門極電流會引起開通損耗增加，可能會導(dǎo)致器件高di/dt損壞。因此，我們要求在高di/dt下運用時，門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V。濰坊晶閘管模塊
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