就不得不說(shuō)一下我們的主角—可控硅可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，它是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，有時(shí)也被叫做晶閘管?？煽毓枰?yàn)槠潴w積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能好的特點(diǎn)被普遍運(yùn)用在各種電子設(shè)備和產(chǎn)品上。在家用電器中，例如：調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)、電視、電冰箱中都使用可控硅器件，它與我們的生活是分不開的，那么，可控硅的分類又有哪些呢？1、按照關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來(lái)分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。2、按照引腳和極性來(lái)分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。3、按照封裝形式來(lái)分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。4、按照電流容量來(lái)分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。淄博正高電氣提供更多面的售后服務(wù)。東營(yíng)可控硅異相觸發(fā)器模塊廠家

導(dǎo)致可控硅模塊失控的原因有哪些呢？正高可控硅模塊廠家告訴你。1.可能就是可控硅模塊的正向阻斷力降低，比如說(shuō)在日常使用中，可控硅模塊長(zhǎng)時(shí)間安放不用，同時(shí)，又因?yàn)槊芊獠缓?，很可能?huì)受潮，這種情況下的正向阻斷能力就會(huì)降低，如果降低到低于整流變壓器的二次電壓，可控硅模塊就可能會(huì)失控了。2.原因往往就是電路中的維持電流過(guò)小所致，因?yàn)榘l(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子是以電感為主的大電流負(fù)載，對(duì)于半控橋來(lái)說(shuō)，電壓過(guò)零之后，電流不是零，即使半控橋在電感負(fù)載側(cè)設(shè)有續(xù)流管，不過(guò)要是續(xù)流管的管壓降高于導(dǎo)通的可控硅模塊的管壓降，電感上的電流除了大部分從續(xù)流管流過(guò)之外，仍然會(huì)有部分電流在原導(dǎo)通的可控硅上流過(guò)。3.造成可控硅模塊失控的原因就是在電路系統(tǒng)正常運(yùn)行的前提下，如果三相脈沖正常，即使維持電流很小，可控硅元件也可以確保正常換相，不會(huì)出現(xiàn)失控的情況，但是，如果出現(xiàn)了丟脈沖的情況，那么可控硅就不能保證正常換相，元件本身就可能會(huì)失控。以上就是造成可控硅模塊失控的三大可能原因，是影響可控硅模塊正常使用的關(guān)鍵要素，希望大家都能夠注意。遼寧單相可控硅調(diào)壓模塊廠家淄博正高電氣周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。

可控硅器件與雙極型晶體管有密切的關(guān)系，二者的傳導(dǎo)過(guò)程皆牽涉到電子和空穴，但可控硅的開關(guān)機(jī)制和雙極晶體管是不同的，且因?yàn)槠骷Y(jié)構(gòu)不同，可控硅器件有較寬廣范圍的電流、電壓控制能力。現(xiàn)今的可控硅器件的額定電流可以從幾毫安到5000A以上，額定電壓可以超過(guò)10000V?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。多用來(lái)作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)等。該器件被P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來(lái)改變電機(jī)端電壓的波形，從而改變電機(jī)端電壓的有效值,達(dá)到調(diào)速的目的。淄博可控硅模塊廠家當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時(shí),電機(jī)端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時(shí),即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減?。粚?dǎo)通角越小，導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小，所產(chǎn)生的磁場(chǎng)越小，則電機(jī)的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機(jī)的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。以上就是正高小編和大家講解的可控硅調(diào)速原理。眾所周知，雙向可控硅是在可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅。

不是一觸即通，只有當(dāng)可控硅的陽(yáng)極電流即主回路電流上升到可控硅的擎住電流IL以上時(shí)，管子才能導(dǎo)通，所以觸發(fā)脈沖信號(hào)應(yīng)有一定的寬度才能保證被觸發(fā)的可控硅可靠導(dǎo)通。例如：一般可控硅的導(dǎo)通時(shí)間在6μs左右，故觸發(fā)脈沖的寬度至少在6μs以上，一般取20～50μs，對(duì)于大電感負(fù)載，由于電流上升較慢，觸發(fā)脈沖寬度還應(yīng)加大，否則脈沖終止時(shí)主回路電流還未上升到可控硅的擎任電流以上，則可控硅又重新關(guān)斷，所以脈沖寬度下應(yīng)小于300μs，通常取1ms，相當(dāng)廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發(fā)脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發(fā)電路導(dǎo)通時(shí)間的一致性對(duì)于可控硅串并聯(lián)電路，要求并聯(lián)或者串聯(lián)的元件要同一時(shí)刻導(dǎo)通，使兩個(gè)管子中流過(guò)的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯(lián)電路中使導(dǎo)通較早的元件超出允許范圍，在串聯(lián)電路中使導(dǎo)通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對(duì)上述問(wèn)題，通常采取強(qiáng)觸發(fā)措施，使并聯(lián)或者串聯(lián)的可控硅盡量在同一時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通。三、觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內(nèi)工作，必須使觸發(fā)脈沖能在相應(yīng)的范圍內(nèi)進(jìn)行移相。淄博正高電氣一起不斷創(chuàng)新、追求共贏、共享全新市場(chǎng)的無(wú)限商機(jī)。

按照關(guān)斷速度來(lái)分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻可控硅。過(guò)零觸發(fā)，一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹，非過(guò)零觸發(fā)，無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)。以上就是可控硅的分類，你看懂了沒(méi)？在電子元器件中，運(yùn)用單向可控硅或者雙向可控硅作為家電的開關(guān)、調(diào)壓的執(zhí)行器件都是非常方便的，不是這樣，而且還可以控制直流、交流電路的負(fù)載功率。在這里，小編就和大家聊一下可控硅在現(xiàn)實(shí)生活中的應(yīng)用范圍：1、觸發(fā)電路的問(wèn)題如果要讓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通，除了要有足夠的觸發(fā)脈沖幅度和正確的極性以外，觸發(fā)電路和可控硅陰極之間必須有共同的參考點(diǎn)。有些電路從表面看，觸發(fā)脈沖被加到可控硅的觸發(fā)極G，但可控硅的陰極和觸發(fā)信號(hào)卻無(wú)共同參考點(diǎn)，觸發(fā)信號(hào)并未加到可控硅的G—K之間，可控硅不可能被觸發(fā)。2、電感負(fù)載的應(yīng)用可控硅用于控制電感負(fù)載，譬如電風(fēng)扇、交流接觸器、有變壓器的供電設(shè)備等，則不同。因?yàn)檫@種移相式觸發(fā)電路，可控硅在交流電半周持續(xù)期間導(dǎo)通，半周過(guò)零期間截止。當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間，加到電感負(fù)載兩端電壓為交流電的瞬時(shí)值。淄博正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣，產(chǎn)品規(guī)格齊全，歡迎咨詢。遼寧單相可控硅調(diào)壓模塊廠家

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由門級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽(yáng)極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽(yáng)極電流，即高于電流IL。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小。接通可控硅模塊的條件是將流過(guò)可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽(yáng)極電壓。2.增加負(fù)載電路中的電阻。以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您。過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因。可控硅模塊對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。東營(yíng)可控硅異相觸發(fā)器模塊廠家

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