灰度光刻的就是利用灰度光刻掩膜版（掩膜接觸式光刻）或者計算機控制激光束或者電子束劑量從而達到在某些區(qū)域完全曝透，而某些區(qū)域光刻膠部分曝光，從而在襯底上留下3D輪廓形態(tài)的光刻膠結構。微透鏡陣列也是類似，可以通過劑量分布的控制來控制其輪廓形態(tài)。需要注意，灰度光刻方法獲得的微透鏡陣列的表面粗糙度相比于熱回流和噴墨法獲得的透鏡要大的多，約為Ra=100nm，前兩者可以會的Ra=50nm的球面。微納3D打印與灰度光刻有點類似，但是原理不同，我們常見的微納3D打印技術是雙光子聚合和微納金屬3D打印技術，利用該技術我們理論上可以獲得任意想要的結構，不光是微透鏡陣列結構（如下圖5所示），該方法的優(yōu)勢是可以完全按照設計獲得想要的結構，對于雙光子聚合的微結構，我們需要通過LIGA工藝獲得金屬模具，但是對于微納金屬3D打印獲得的微納米結構可以直接進行后續(xù)的復制工作，并通過納米壓印技術進行復制。Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技（上海）有限公司帶您一起了解雙光子灰度光刻系統(tǒng)的應用。黑龍江2GL灰度光刻無掩光刻

傳感器對可控技術的重要性，在眾多領域都是顯而易見的，無論是從簡單的家用電器，還是到可穿戴設備，甚至到航空應用，只有控制良好的流程才有被優(yōu)化的可能。理想的傳感器應該具有高敏感度，不易故障，并且易于集成到流程中等優(yōu)點。光纖端面的微型傳感器在這個方面具有巨大的潛力。這些傳感器空間占有率小，可以輕松多路復用，并且不需要額外的外部能源供應。對于這些基于光纖的傳感器的加工，雙光子聚合技術已被證明是其完美的搭檔。事實上，任何設計模型都能在微觀尺寸上被實現(xiàn)。然而，大多數(shù)設計都是靜態(tài)的，打印出來的部件在被加工出來后不能進行進一步的活動。北京工業(yè)級灰度光刻三維光刻相比于傳統(tǒng)的二進制光刻技術，灰度光刻技術可以更高效地利用光刻膠，降低成本。

QuantumXshape是一款真正意義上的全能機型?；陔p光子聚合技術，該激光直寫系統(tǒng)不只是快速成型制作的特別好的機型，同時適用于基于晶圓上的任何亞微米精度的2.5D及3D形狀的規(guī)模化生產(chǎn)。QuantumXshape在3D微納加工領域非常出色的精度，比肩于Nanoscribe公司在表面結構應用上突破性的雙光子灰度光刻(2GL®)。全新的QuantumXshape的高精度有賴于其高能力的體素調制比和超精細處理網(wǎng)格，從而實現(xiàn)亞體素的尺寸控制。此外，受益于雙光子灰度光刻對體素的微調，該系統(tǒng)在表面微結構的制作上可達到超光滑，同時保持高精度的形狀控制。

Nanoscribe的PhotonicProfessionalGT2雙光子無掩模光刻系統(tǒng)的設計多功能性配合打印材料的多方面選擇性，可以實現(xiàn)微機械元件的制作，例如用光敏聚合物，納米顆粒復合物，或水凝膠打印的遠程操控可移動微型機器人，并可以選擇添加金屬涂層。此外，微納米器件也可以直接打印在不同的基材上，甚至可以直接打印于微機電系統(tǒng)（MEMS）。雙光子灰度光刻技術可以一步實現(xiàn)真正具有出色形狀精度的多級衍射光學元件（DOE），并且滿足DOE納米結構表面的橫向和縱向分辨率達到亞微米量級。由于需要多次光刻，刻蝕和對準工藝，衍射光學元件（DOE）的傳統(tǒng)制造耗時長且成本高。而利用增材制造即可簡單一步實現(xiàn)多級衍射光學元件，可以直接作為原型使用，也可以作為批量生產(chǎn)母版工具。微納3D打印和灰度光刻技術有什么區(qū)別？

Nanoscribe雙光子灰度光刻系統(tǒng)QuantumX,Nanoscribe的全球頭一次創(chuàng)建的工業(yè)級雙光子灰度光刻無掩模光刻系統(tǒng)QuantumX，適用于制造微光學衍射以及折射元件。Nanoscribe的全球頭一次創(chuàng)造工業(yè)級雙光子灰度光刻無掩模光刻系統(tǒng)QuantumX，適用于制造微光學衍射以及折射元件。由Nanoscribe研發(fā)的IP系列光刻膠是用于特別高分辨率微納3D打印的標準材料。所打印的亞微米級別分辨率器件具有特別高的形狀精度，屬于目前市場上易于操作的“負膠”。IP樹脂作為高效的打印材料，是Nanoscribe微納加工解決方案的基本組成部分之一。Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技（上海）有限公司帶您了解目前灰度光刻技術的發(fā)展現(xiàn)狀。德國德國灰度光刻設備

成本低：無掩膜光刻技術無需制作昂貴的掩膜版，因此可以降低光刻成本。黑龍江2GL灰度光刻無掩光刻

近年來，實現(xiàn)微納尺度下的3D灰度光刻結構在包括微機電（MEMS）、微納光學及微流控研究領域內備受關注，良好的線性側壁灰度結構可以很大程度上提高維納器件的靜電力學特性，信號通訊性能及微流通道的混合效率等。相比一些獲取灰度結構的傳統(tǒng)手段，如超快激光刻蝕工藝、電化學腐蝕或反應離子刻蝕等，灰度直寫圖形曝光結合干法刻蝕可以更加方便地制作任意圖形的3D微納結構。該方法中，利用微鏡矩陣（DMD）開合控制的激光灰度直寫曝光表現(xiàn)出更大的操作便捷性、易于設計等特點，不需要特定的灰度色調掩膜版，結合軟件的圖形化設計可以直觀地獲得灰度結構。黑龍江2GL灰度光刻無掩光刻