本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開(kāi)一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法。該測(cè)試方法包括以下步驟：將多個(gè)待測(cè)試芯片放置于多個(gè)tray盤(pán)中，每一個(gè)tray盤(pán)中放置多個(gè)待測(cè)試芯片，將多個(gè)tray盤(pán)放置于自動(dòng)上料裝置，并在自動(dòng)下料裝置及不良品放置臺(tái)上分別放置一個(gè)空tray盤(pán)；移載裝置從自動(dòng)上料裝置的tray盤(pán)中取出待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置進(jìn)行測(cè)試；芯片測(cè)試完成后，移載裝置將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置的空tray盤(pán)中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)的空tray盤(pán)中；當(dāng)自動(dòng)上料裝置的一個(gè)tray盤(pán)中的待測(cè)試芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置的空tray盤(pán)中放滿(mǎn)測(cè)試合格的芯片后，移載裝置將自動(dòng)上料裝置的空tray盤(pán)移載至自動(dòng)下料裝置。IC外觀檢測(cè)是對(duì)芯片外部的特征、標(biāo)識(shí)、尺寸等進(jìn)行檢測(cè)的過(guò)程,也是保證IC質(zhì)量和性能的重要手段。湖北MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷(xiāo)

第二z軸移動(dòng)組件24包括轉(zhuǎn)矩電機(jī)240、高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241、兩個(gè)同步帶輪242、直線導(dǎo)軌243。轉(zhuǎn)矩電機(jī)240固定于吸嘴基板232上，兩個(gè)同步帶輪242分別相對(duì)設(shè)置于吸嘴基板232的上下兩側(cè)，兩個(gè)同步帶輪242通過(guò)高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241相連，轉(zhuǎn)矩電機(jī)240與其中一個(gè)同步帶輪242相連。直線導(dǎo)軌243固定于吸嘴基板232上，真空吸嘴26通過(guò)滑塊固定于直線導(dǎo)軌243上，滑塊與高扭機(jī)時(shí)規(guī)皮帶相連。轉(zhuǎn)矩電機(jī)240驅(qū)動(dòng)其中同步帶輪242轉(zhuǎn)動(dòng)，同步帶輪242帶動(dòng)高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241轉(zhuǎn)動(dòng)，高扭矩時(shí)規(guī)皮帶241通過(guò)滑塊帶動(dòng)真空吸嘴26在直線導(dǎo)軌243上上下移動(dòng)。鄂州MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷(xiāo)Mixed Signal Test: 驗(yàn)證DUT數(shù)?；旌想娐返墓δ芗靶阅軈?shù)。

該測(cè)試方法包括以下步驟：s1：將多個(gè)待測(cè)試芯片放置于多個(gè)tray盤(pán)中，每一個(gè)tray盤(pán)中放置多個(gè)待測(cè)試芯片，將多個(gè)tray盤(pán)放置于自動(dòng)上料裝置40，并在自動(dòng)下料裝置50及不良品放置臺(tái)60上分別放置一個(gè)空tray盤(pán)。例如每一個(gè)tray盤(pán)較多可放置50個(gè)芯片，則在自動(dòng)上料裝置40的每一個(gè)tray盤(pán)中放置50個(gè)芯片，然后可以將10個(gè)裝滿(mǎn)芯片的tray盤(pán)放置于自動(dòng)上料裝置40上，且10個(gè)tray盤(pán)上下疊放。s2：移載裝置20從自動(dòng)上料裝置40的tray盤(pán)中取出待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置30進(jìn)行測(cè)試。

使用本實(shí)施例的芯片測(cè)試機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí)，首先在自動(dòng)上料裝置40上放置多個(gè)，tray盤(pán)，每一個(gè)tray盤(pán)上均放滿(mǎn)或放置多個(gè)待測(cè)試芯片，同時(shí)在自動(dòng)下料裝置50和不良品放置臺(tái)60上分別放置空的tray盤(pán)。測(cè)試機(jī)啟動(dòng)后，由移載裝置20從自動(dòng)上料裝置40的tray盤(pán)中吸取待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置30進(jìn)行測(cè)試，芯片測(cè)試完成后，移載裝置20將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空tray盤(pán)中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)60的空tray盤(pán)中放置。當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤(pán)中的芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置50的空tray盤(pán)中全部裝滿(mǎn)測(cè)試后的芯片后，移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40的空tray盤(pán)移載至自動(dòng)下料裝置50。本發(fā)實(shí)施例的芯片測(cè)試機(jī)的結(jié)構(gòu)緊湊，體積較小，占地面積只為一平米左右，可滿(mǎn)足小批量的芯片測(cè)試需求。RF Test: 測(cè)試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。

芯片測(cè)試設(shè)備漏電流測(cè)試是指測(cè)試模擬或數(shù)字芯片高阻輸入管腳電流，或者是把輸出管腳設(shè)置為高阻狀態(tài)，再測(cè)量輸出管腳上的電流。盡管芯片不同，漏電大小會(huì)不同，但在通常情況下，漏電流應(yīng)該小于 1uA。測(cè)試芯片每個(gè)電源管腳消耗的電流是發(fā)現(xiàn)芯片是否存在災(zāi)難性缺陷的比較快的方法之一。每個(gè)電源管腳被設(shè)置為預(yù)定的電壓，接下來(lái)用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備的參數(shù)測(cè)量單元測(cè)量這些電源管腳上的電流。這些測(cè)試一般在測(cè)試程序的開(kāi)始進(jìn)行，以快速有效地選出那些完全失效的芯片。電源測(cè)試也用于保證芯片的功耗能滿(mǎn)足終端應(yīng)用的要求。設(shè)計(jì)公司主要目標(biāo)是根據(jù)市場(chǎng)需求來(lái)進(jìn)行芯片研發(fā)，在整個(gè)設(shè)計(jì)過(guò)程中，需要一直考慮測(cè)試相關(guān)的問(wèn)題。鄂州MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷(xiāo)

如果設(shè)計(jì)有錯(cuò)誤則無(wú)法測(cè)試，需要重新拆裝電路甚至燒壞芯片或設(shè)備。湖北MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷(xiāo)

對(duì)于光學(xué)IC，還需要對(duì)其進(jìn)行給定光照條件下的電氣性能測(cè)試。chiptest主要設(shè)備：探針平臺(tái)（包括夾持不同規(guī)格chip的夾具）。chiptest輔助設(shè)備：無(wú)塵室及其全套設(shè)備。chiptest能測(cè)試的范圍和wafertest是差不多的，由于已經(jīng)經(jīng)過(guò)了切割、減薄工序，還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來(lái)。但chiptest效率比wafertest要低不少。packagetest是在芯片封裝成成品之后進(jìn)行的測(cè)試。由于芯片已經(jīng)封裝，所以不再需要無(wú)塵室環(huán)境，測(cè)試要求的條件較大程度上降低。湖北MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷(xiāo)