場(chǎng)效應(yīng)管（FieldEffectTransistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種利用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。它具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功率小、易于集成等特點(diǎn)。在電路中，場(chǎng)效應(yīng)管通常用字母“Q”表示。場(chǎng)效應(yīng)管一般具有3個(gè)極，即柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。它的工作原理是當(dāng)柵極接的負(fù)偏壓增大時(shí)，溝道減少，漏極電流減??；當(dāng)柵極接的負(fù)偏壓減小時(shí)，耗盡層減小，溝道增大，漏極電流增大。漏極電流受柵極電壓的控制，因此場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，即通過(guò)輸入電壓的變化來(lái)控制輸出電流的大小，從而達(dá)到放大等目的。場(chǎng)效應(yīng)管在電路中被廣泛應(yīng)用于放大、調(diào)制、阻抗變換、恒流源、可變電阻等場(chǎng)合。此外，它還有許多其他應(yīng)用，如開關(guān)電源、逆變器、電子鎮(zhèn)流器等。場(chǎng)效應(yīng)管在電路設(shè)計(jì)和電子設(shè)備中扮演著非常重要的角色。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源，通過(guò)控制柵極電壓，可以實(shí)現(xiàn)輸出電流的穩(wěn)定控制。東莞加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試判定:柵極用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說(shuō)明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的，可以互換使用，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。  注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞。 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管推薦場(chǎng)效應(yīng)管可以用于放大音頻和射頻信號(hào)。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。

深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區(qū)，成立于2010年，占地面積10000余平方米，是一家專業(yè)的半導(dǎo)體研發(fā)制造商。我司專注于半導(dǎo)體元器件的研發(fā)、生產(chǎn)、加工和銷售。作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，憑借多年的經(jīng)驗(yàn)和發(fā)展，現(xiàn)已達(dá)年產(chǎn)50億只生產(chǎn)規(guī)模。我司主營(yíng)場(chǎng)效應(yīng)管，二極管，三極管，穩(wěn)壓電路，晶閘管，可控硅等半導(dǎo)體元器件，超過(guò)8種封裝如：SOT-23，SOT-23-3L，SOT-23-5L，SOT-23-6L，TO-252，TO-251，SOT-89，SOT-223等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信，計(jì)算機(jī)，電源，節(jié)能燈，玩具，儀器儀表，家用電器，工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域，且可承接OEM/ODM定制。 場(chǎng)效應(yīng)管可以用于功率放大器設(shè)計(jì)。

膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲，別有一番霸道氣勢(shì)。在一般的設(shè)計(jì)中場(chǎng)效應(yīng)管特長(zhǎng)沒有得到充分發(fā)揮，甚至認(rèn)為聲音偏冷、偏暗，其實(shí)這不是場(chǎng)效應(yīng)管的原因。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管，晶體管的線路是不能發(fā)揮出場(chǎng)效應(yīng)管的特性的；另一方面，這些電路通常使用AB類的偏置。根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性，在低偏置時(shí)具有嚴(yán)重的非線性，帶來(lái)嚴(yán)重的失真，解決的辦法是讓其工作在A類狀態(tài)，特別是單端A類，瞬態(tài)特性較好，音質(zhì)純美，偶次諧波豐富，音色悅耳動(dòng)聽，更具有電子管的醇美音色。 P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。上海加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)

電路將一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)增強(qiáng)型N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管組合在一起使用。東莞加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)

根據(jù)材料的不同，場(chǎng)效應(yīng)管可以分為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）和JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）兩種。MOSFET是目前應(yīng)用*****的場(chǎng)效應(yīng)管，它由金屬柵極、絕緣層和半導(dǎo)體構(gòu)成。JFET則是由PN結(jié)構(gòu)構(gòu)成，柵極與半導(dǎo)體之間沒有絕緣層。MOSFET具有輸入電容小、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于高頻放大和開關(guān)電路；而JFET具有輸入電容大、噪聲低等特點(diǎn)，適用于低頻放大和調(diào)節(jié)電路。場(chǎng)效應(yīng)管具有許多獨(dú)特的特點(diǎn)，使其在電子器件中得到廣泛應(yīng)用。首先，場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗高，可以減小輸入信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng)，提高電路的靈敏度。其次，場(chǎng)效應(yīng)管的輸出阻抗低，可以提供較大的輸出電流，適用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載電路。此外，場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲低，可以提高電路的信噪比。此外，場(chǎng)效應(yīng)管還具有體積小、功耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，適用于集成電路和便攜式設(shè)備。東莞加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)