真回轉(zhuǎn)率控制
盡管有上述技術(shù)，在一些設(shè)計(jì)中，高頻EMI（60至250 MHz）可能仍不在規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)限值范圍內(nèi)。為了通過行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，減輕和提高裕度的一種方法是使用與開關(guān)轉(zhuǎn)換器的啟動(dòng)電容串聯(lián)的電阻器。使用電阻器可以降低開關(guān)邊緣轉(zhuǎn)換率，從而降低EMI，但會帶來效率降低的預(yù)期損失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等開關(guān)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)使得可以使用電阻器來選擇高側(cè)FET驅(qū)動(dòng)器在開啟期間的強(qiáng)度。如下頁圖22所示，通過RBOOT引腳（teal虛線環(huán)）的電流被倍增，并從CBOOT（紅色虛線）穿過，以打開高壓側(cè)功率MOSFET。通過這樣做，電阻器可以控制轉(zhuǎn)換速率，但不會遭受串聯(lián)啟動(dòng)電阻器運(yùn)行大部分電流時(shí)發(fā)生的效率損失。當(dāng)RBOOT對CBOOT短路時(shí)，上升時(shí)間很快；開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波在高于150 MHz之前不會衰減。如果CBOOT和RBOOT通過700Ω保持連接，則在將13.5 V轉(zhuǎn)換為5 V時(shí)，回轉(zhuǎn)時(shí)間將增加到10 ns。此緩慢上升時(shí)間可使開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波中的能量在大多數(shù)情況下在50 MHz附近衰減。
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穩(wěn)壓IC-開放式機(jī)架PTH08T2xx“T2”電源模塊高電流模塊，
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減少低頻發(fā)射的創(chuàng)新-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
讓我們看看TI在構(gòu)建其轉(zhuǎn)換器和控制器時(shí)使用的一些技術(shù)，以解決效率、EMI、尺寸和成本等基本權(quán)衡問題。
擴(kuò)頻-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
擴(kuò)頻利用能量守恒原理，通過在多個(gè)頻率上傳播能量來減少EMI峰值。然而，峰值敏感電路“看到”的能量可能不會減少；這取決于敏感電路的帶寬與方法之間的關(guān)系頻率調(diào)制。測量EMI時(shí)，頻譜分析儀充當(dāng)敏感電路，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置分辨率
帶寬（RBW）。因此，以***的方式對目標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行頻率調(diào)制非常重要。一般的經(jīng)驗(yàn)法則是，調(diào)制頻率fm大約等于目標(biāo)RBW，擴(kuò)展帶寬ΔfC約為±5%至±10%。
圖10顯示了時(shí)域中的DRSS調(diào)制剖面，三角形包絡(luò)瞄準(zhǔn)較低的RBW，疊加偽隨機(jī)序列瞄準(zhǔn)較高的RBW。
穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
圖11顯示了LM5156-Q1的傳導(dǎo)發(fā)射性能，LM5156-Q1是一種非同步boost控制器，有無DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz頻段以及30至108 MHz頻段的頻譜峰值***降低，這是CISPR 25汽車標(biāo)準(zhǔn)的兩個(gè)關(guān)鍵頻段。LM5157-Q1非同步boost轉(zhuǎn)換器還具有DRS功能，并實(shí)現(xiàn)類似的性能。
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擴(kuò)頻技術(shù)適用于非隔離拓?fù)浜透綦x拓?fù)洌驗(yàn)檫@兩種拓?fù)涞腅MI源相似，而頻率擴(kuò)展提供了相同的好處。
帶集成變壓器的UCC12040和UCC12050隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器能夠通過CISPR 32 B級EMI測試限值，部分原因是內(nèi)部擴(kuò)頻技術(shù)。
低靜態(tài)電流（IQ）-穩(wěn)壓IC趨勢知識
在不影響電池操作系統(tǒng)的系統(tǒng)性能的情況下延長電池和保質(zhì)期，在空載或輕載條件下實(shí)現(xiàn)高效率需要電源解決方案在保持**電源電流的同時(shí)嚴(yán)格調(diào)節(jié)輸出。
憑借TI的**智商技術(shù)和產(chǎn)品組合，您可以比較大限度地延長電池運(yùn)行時(shí)間，并在下一次設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)低功耗。
低待機(jī)功率
?使用**泄漏組件和新型控制拓?fù)溲娱L電池運(yùn)行時(shí)間
快速響應(yīng)時(shí)間
?通過快速喚醒電路和自適應(yīng)偏置增強(qiáng)系統(tǒng)功能，以提高動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間，同時(shí)保持**靜態(tài)功耗
小外形尺寸
?應(yīng)用程序支持模具和封裝尺寸，無需通過TI的**電路技術(shù)，降低靜態(tài)功耗。
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TI穩(wěn)壓IC-減少高頻發(fā)射的創(chuàng)新
到目前為止，我們描述的EMI緩解技術(shù)通常會減少低頻發(fā)射（<30 MHz），相應(yīng)減少所需的無源濾波量以及相關(guān)的尺寸、體積和成本效益。現(xiàn)在，讓我們看看設(shè)計(jì)用于緩解高頻發(fā)射（>30 MHz）的技術(shù)。
火棒? 包裹
減少高頻發(fā)射的主要方法之一是非常小化功率回路電感。TI的降壓轉(zhuǎn)換器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
從鍵合線封裝到基于引線框架的倒裝芯片（熱棒）封裝，有助于降低功率回路電感，進(jìn)而減少開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。
UCC38C45DGKR穩(wěn)壓IC
特克集團(tuán)，2013-11-01正式啟動(dòng)，成立了集成電路，芯片，IC，二三極管等幾大市場布局，應(yīng)對行業(yè)變化，順應(yīng)市場趨勢發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升TI,ST,MAXIM,MICROCHIP,INFINEON,ADI,NXP,VISHAY,DIODES,TTESEMI的市場競爭力，把握市場機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。旗下TI,ST,MAXIM,MICROCHIP,INFINEON,ADI,NXP,VISHAY,DIODES,TTESEMI在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位，品牌價(jià)值持續(xù)增長，有望成為行業(yè)中的佼佼者。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于集成電路，芯片，IC，二三極管等實(shí)現(xiàn)一體化，建立了成熟的集成電路，芯片，IC，二三極管運(yùn)營及風(fēng)險(xiǎn)管理體系，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)，擁有一大批專業(yè)人才。深圳市特克電子技術(shù)有限公司業(yè)務(wù)范圍涉及包括意法ST、鉭電容AVX、德州儀器TI、微芯Microchip、美臺Diodes、安森美ON、特克TTESEMI、恩智浦NXP、亞德諾ADI、美信Maxim、英飛凌Infineon、力特Littelfuse、威世VISHAY、安世半導(dǎo)體Nexperia、瑞薩電子Renesas、Micron、凌云邏輯Cirrus Logic、萬代AOS、英特矽爾Intersil、賽靈思XILINX等等超過30余品牌等多個(gè)環(huán)節(jié)，在國內(nèi)電子元器件行業(yè)擁有綜合優(yōu)勢。在集成電路，芯片，IC，二三極管等領(lǐng)域完成了眾多可靠項(xiàng)目。