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LM5121QMH/NOPB穩(wěn)壓IC

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-28

穩(wěn)壓IC的EMI,除了了解特定應(yīng)用的適當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)外,了解如何測(cè)量EMI也很重要,因?yàn)檫@些知識(shí)將使您深入了解如何減少EMI。EMI測(cè)量通常分為傳導(dǎo)和輻射,這揭示了測(cè)量方法和EMI的產(chǎn)生方式。雖然傳導(dǎo)發(fā)射通常與較低頻率(<30 MHz)相關(guān),而輻射發(fā)射通常與較高頻率(>30 MHz)相關(guān),但兩者之間的區(qū)別并不那么簡(jiǎn)單,因?yàn)閭鲗?dǎo)和輻射頻率范圍確實(shí)重疊。
傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量旨在量化設(shè)備產(chǎn)生并返回其電源的EMI。重要的是:減少許多應(yīng)用中的這些排放,因?yàn)槠渌舾须娐吠ǔ_B接到相同的電源線(xiàn)。在處理現(xiàn)代汽車(chē)中數(shù)量不斷增加的長(zhǎng)線(xiàn)束時(shí),降低傳導(dǎo)電磁干擾尤為重要。
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低噪音和精度-TI穩(wěn)壓IC發(fā)展趨勢(shì)-2
增強(qiáng)電源和信號(hào)完整性,以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和準(zhǔn)確性。
為了比較大限度地提高系統(tǒng)性能和可靠性,監(jiān)控、調(diào)節(jié)和處理電源鏈中信號(hào)的能力至關(guān)重要。高精度系統(tǒng)需要精確的低噪聲基準(zhǔn),以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進(jìn)的電路和測(cè)試技術(shù),以提高精度并將失真降至比較低。
?高級(jí)功能,如陶瓷封裝和電路板應(yīng)力管理技術(shù)
管理硅和電路板壓力。
系統(tǒng)噪音緩解
?技術(shù)進(jìn)步,使系統(tǒng)級(jí)抗干擾性更好
具有高電源抑制比(PSRR)、低壓差調(diào)節(jié)器(LDO)和片上濾波的干擾和噪聲。
高PSRR可實(shí)現(xiàn)更好的濾波和更低的輸出噪聲。
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升壓穩(wěn)壓器-穩(wěn)壓IC
將輸入電壓高效轉(zhuǎn)換到更高的輸出電壓
查看所有產(chǎn)品
我們品類(lèi)豐富的升壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列包括同步和非同步器件,這些器件能夠以高達(dá) 96% 的效率滿(mǎn)足從幾毫安到 100A 等各種應(yīng)用的需求。我們的產(chǎn)品具有有助于延長(zhǎng)電池壽命的低靜態(tài)電流 (IQ)、實(shí)現(xiàn)小尺寸的高功率密度和實(shí)現(xiàn)低 EMI 的展頻技術(shù)等關(guān)鍵特性。您可以找到升壓、SEPIC 和反激式解決方案。
按類(lèi)別分類(lèi):
升壓控制器(外部開(kāi)關(guān))
升壓轉(zhuǎn)換器(集成開(kāi)關(guān))
升壓模塊(集成電感器)
按類(lèi)型選擇
控制器
我們提供靈活的同步和非同步升壓控制器以支持更高的功率級(jí)別。
我們的低功耗升壓轉(zhuǎn)換器可滿(mǎn)足您對(duì)小尺寸解決方案、低系統(tǒng)成本和高功率密度的需求。
我們的升壓模塊支持小解決方案尺寸、高功率密度和快速設(shè)計(jì)。

圖8說(shuō)明了時(shí)域和頻域中的這些參數(shù)。-穩(wěn)壓IC技術(shù)專(zhuān)題
在CISPR 25等標(biāo)準(zhǔn)中,通常會(huì)將fm設(shè)置在9 kHz左右,以?xún)?yōu)化低頻段,但這恰好也在音頻范圍內(nèi)。為了解決這一問(wèn)題,您可以進(jìn)一步以偽隨機(jī)方式調(diào)制三角調(diào)制,以傳播可聽(tīng)能量,而不會(huì)對(duì)傳導(dǎo)和輻射EMI性能產(chǎn)生重大影響。下頁(yè)的圖9說(shuō)明了時(shí)域和頻域中的這種調(diào)制模式,這是TPS55165-Q1(同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器)上的一個(gè)功能。
EMI不僅限于單個(gè)頻帶(因此也限于單個(gè)RBW),而是多個(gè)頻帶的事實(shí)帶來(lái)了困境,因?yàn)閿U(kuò)頻通常只能針對(duì)單個(gè)頻帶的改進(jìn)。解決這個(gè)問(wèn)題的一種新方法是一種稱(chēng)為雙隨機(jī)擴(kuò)頻(DRSS)的數(shù)字?jǐn)U頻技術(shù)。DRS背后的基本原理是疊加兩個(gè)調(diào)制剖面,每個(gè)調(diào)制剖面針對(duì)不同的RBW。有關(guān)更多信息,請(qǐng)參閱應(yīng)用報(bào)告“EMI抑制技術(shù),雙隨機(jī)擴(kuò)頻”
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取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專(zhuān)題
為了幫助很好小化無(wú)源濾波的尺寸,針對(duì)高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管參考設(shè)計(jì)采用了隔離轉(zhuǎn)換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示,改進(jìn)后的內(nèi)部變壓器結(jié)構(gòu)在內(nèi)部一次和二次層之間插入了一個(gè)額外的輔助繞組層(如黑色所示),用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內(nèi)半初級(jí)到次級(jí)接口,并有助于產(chǎn)生抵消CM電壓,使外半初級(jí)層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過(guò)從抵消層推送反相CM電流,使從外半初級(jí)層注入二次層的CM電流為零。凈效應(yīng)(流入二次層的CM電流接近于零)減少了CM發(fā)射,明顯幫助設(shè)計(jì)滿(mǎn)足EMI頻譜標(biāo)準(zhǔn),且CM濾波很好小。

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TI穩(wěn)壓IC的EMI不再是事后諸葛亮,因?yàn)樗锌赡茉谠O(shè)計(jì)階段后期造成重大挫折,這將耗費(fèi)時(shí)間和金錢(qián)。
開(kāi)關(guān)電源(SMPS)是現(xiàn)代技術(shù)中**普遍的電路之一,在大多數(shù)應(yīng)用中,它比線(xiàn)性穩(wěn)壓器的效率有了極大的提高。
但這種效率是有代價(jià)的,因?yàn)殚_(kāi)關(guān)電源中的功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的開(kāi)關(guān)使其
是電磁干擾的主要來(lái)源,而電磁干擾反過(guò)來(lái)又會(huì)影響可靠性。EMI主要來(lái)自不連續(xù)的輸入電流、開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)上的快速轉(zhuǎn)換率、,
以及功率環(huán)路中寄生電感引起的沿開(kāi)關(guān)邊緣的附加振鈴。
下頁(yè)的圖1說(shuō)明了這些元素中的每一個(gè)如何使用buck轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓诓煌念l帶中表現(xiàn)出來(lái)。
例如。隨著壓力的增加,增加開(kāi)關(guān)頻率以減小尺寸和成本,并增加轉(zhuǎn)換率以提高
效率、電磁干擾問(wèn)題加劇。因此,有必要結(jié)合具有成本效益且易于集成的EMI緩解技術(shù)不要影響電源設(shè)計(jì)。

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深圳市特克電子技術(shù)有限公司公司是一家專(zhuān)門(mén)從事集成電路,芯片,IC,二三極管產(chǎn)品的生產(chǎn)和銷(xiāo)售,是一家生產(chǎn)型企業(yè),公司成立于2013-11-01,位于福永街道白石廈社區(qū)鳳凰花苑2棟1703-1706。多年來(lái)為國(guó)內(nèi)各行業(yè)用戶(hù)提供各種產(chǎn)品支持。主要經(jīng)營(yíng)集成電路,芯片,IC,二三極管等產(chǎn)品服務(wù),現(xiàn)在公司擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì),對(duì)于產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)要求極為嚴(yán)格,完全按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研發(fā)和生產(chǎn)。深圳市特克電子技術(shù)有限公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)不斷緊跟集成電路,芯片,IC,二三極管行業(yè)發(fā)展趨勢(shì),研發(fā)與改進(jìn)新的產(chǎn)品,從而保證公司在新技術(shù)研發(fā)方面不斷提升,確保公司產(chǎn)品符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和要求。深圳市特克電子技術(shù)有限公司以市場(chǎng)為導(dǎo)向,以創(chuàng)新為動(dòng)力。不斷提升管理水平及集成電路,芯片,IC,二三極管產(chǎn)品質(zhì)量。本公司以良好的商品品質(zhì)、誠(chéng)信的經(jīng)營(yíng)理念期待您的到來(lái)!

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