設計低 EMI 電源-穩(wěn)壓IC
探索這個綜合培訓系列，了解更多關于 EMI 的基礎知識、有助于減少排放的各種技術(shù)等
隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集和互連，減少電磁干擾 (EMI) 的影響正成為越來越重要的系統(tǒng)設計考慮因素。EMI 不再是事后的想法，因為它有可能在設計階段后期造成重大挫折，耗費時間和金錢。
TI 提供多種功能和技術(shù)來減輕所有相關頻段中的 EMI。我們的設備和技術(shù)不僅可以幫助設計人員改進濾波器尺寸和成本，還可以減少設計時間和復雜性。
為了幫助您設計更高效的電源以滿足 EMI 要求，請從我們的綜合培訓系列開始，我們首先提供 EMI 的基礎知識，然后深入了解特定的 IC 和封裝創(chuàng)新、有關外部組件選擇和布局的設計技巧以及以特定應用的 EMI 主題結(jié)束。
本培訓系列的主題概述：
EMI 的基本原理
通過 IC 和封裝創(chuàng)新降低 EMI
通過輸入濾波器設計、PCB 和 BOM 優(yōu)化降低 EMI
特定應用的 EMI 注意事項
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數(shù)據(jù)表SMPS設備評估模塊中公布的傳導和輻射EMI結(jié)果根據(jù)**嚴格的工業(yè)和汽車EMI標準進行測試，數(shù)據(jù)表中公布的結(jié)果有助于您提前了解設備的EMI性能。您可以通過單擊設備數(shù)據(jù)表第一頁上的“針對**EMI要求進行了優(yōu)化”來訪問詳細的EMI報告。LM62440-Q1數(shù)據(jù)表中的EMI報告包括CISPR 25 5級傳導和輻射設置的完整數(shù)據(jù)。
此外，TI可以在內(nèi)部執(zhí)行系統(tǒng)級EMI建模和測量，以幫助您驗證EMI性能并加快循環(huán)時間。
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具有TILDO的處理器-穩(wěn)壓IC
在FPGA和處理器中，開關噪聲會威脅性能。TI的穩(wěn)壓IC-LDO為當今的處理器和FPGA提供干凈、準確和高效的電源。高PSRRLDO消除紋波，提供高輸出精度（比較大1%），并提供250mV及以下的低壓差。它們還具有***的電壓范圍和小型、堅固的封裝，適用于許多應用。使用高性能AEC-Q100LDO增強您的汽車電源穩(wěn)壓ICTI的AEC-Q100LDO通過低IQ、低噪音、高PSRR、反向電池和電流保護等功能優(yōu)化您的汽車應用，以提供可靠、清潔的電源。
什么是TI穩(wěn)壓IC的EMI， 續(xù)。。。
TI穩(wěn)壓IC的EMI如 下頁的圖2顯示了傳導發(fā)射的通用測試設置，包括電源、線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡（LISN）、EMI接收器、電源線和被測設備（DUT）。LISN起著關鍵作用，充當?shù)屯V波器，確保重復性和
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EMI測量的可比性，并為DUT提供精確的阻抗。圖2還說明了一個重要的細分
發(fā)射到共模（CM）和差模（DM）電流。DM電流在電源線及其回路之間流動，在低頻率下是主導因素。
CM電流在每條電源線和地面之間流動，是高頻下的主導因素。
增強型熱棒? QFN公司
增強型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能，并具有更低開關節(jié)點電容的額外優(yōu)勢，從而大降低了振鈴。在具有增強型熱棒QFN的設備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器采用增強型熱棒QFN，下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強型HotRod QFN不僅提高了效率，還包括封裝中心有一個大型模具連接墊（DAP）的封裝外形。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過PCB更好地散熱，并將結(jié)溫升高降低15%以上。此外，VIN、GND和開關節(jié)點引腳上較低的RLC寄生也會提高效率并降低EMI。正如預期的那樣，這會產(chǎn)生更好的EMI，尤其是在交換機節(jié)點振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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依托穩(wěn)壓IC的支持，TI的電池管理產(chǎn)品、工具和專業(yè)知識使工程師更容易設計更高效、更持久和更可靠的電池供電應用。TI為汽車、工業(yè)和個人電子應用領域的新電池化學和技術(shù)帶來了前列解決方案。創(chuàng)新包括更快、更酷的電池充電器、具有先進精度和集成度的汽車監(jiān)控和保護IC準確可靠的儀表。
電池管理基礎知識除了電池管理**、易于使用的工具和培訓外，TI還提供評估板、參考設計和教育視頻，以簡化開發(fā)周期，讓您更快地將產(chǎn)品推向市場。有關更多信息，請訪問TECH-TREK官網(wǎng)/電池
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