電力趨勢(shì)-穩(wěn)壓IC技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
我們一直在努力突破功耗的極限：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計(jì)技術(shù)，為您的應(yīng)用提供比較好的設(shè)備。無論您需要提高功率密度、延長(zhǎng)電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號(hào)完整性，還是在高壓下保持安全，我們都致力于與您攜手合作，幫助解決您的電源管理難題。德州儀器：您進(jìn)一步推動(dòng)電力發(fā)展的合作伙伴。
1、功率密度
提高功率密度，在較小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率，以降低系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能。
2、智商低
降低靜態(tài)電流以延長(zhǎng)電池和保質(zhì)期，同時(shí)不影響系統(tǒng)性能。
3、低電磁干擾
將干擾降至比較低，以降低系統(tǒng)成本并快速滿足EMI標(biāo)準(zhǔn)。
4、低噪音、高精度
增強(qiáng)電源和信號(hào)完整性，以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和準(zhǔn)確性。
5、隔離
通過高壓隔離柵傳輸信號(hào)和/或電源，以比較高的工作電壓和可靠性提高安全性。
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功率MOSFET概述：
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個(gè)低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺(tái)無法實(shí)現(xiàn)的組合。
NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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EMI建模能力
對(duì)任何電路進(jìn)行建模都是早期評(píng)估設(shè)計(jì)性能的重要方法，因此在縮短設(shè)計(jì)周期方面起著關(guān)鍵作用。
EMI建模是一個(gè)復(fù)雜的過程，涉及PCB的時(shí)域電路分析和頻域電磁仿真。
通過減少設(shè)計(jì)迭代次數(shù)，對(duì)EMI發(fā)射進(jìn)行建模可以更快速地滿足EMI標(biāo)準(zhǔn)限制。
讓我們回顧一下可用于建模EMI的一些選項(xiàng)。
使用WEBENCH®設(shè)計(jì)工具進(jìn)行低頻EMI設(shè)計(jì)
WEBENCH輸入濾波器設(shè)計(jì)工具可幫助您自動(dòng)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)妮斎霝V波器，以減輕符合CISPR 32和CISPR 25等標(biāo)準(zhǔn)的低頻（<30 MHz）傳導(dǎo)EMI噪聲。該工具優(yōu)化過濾器大小，同時(shí)確保設(shè)計(jì)符合特定標(biāo)準(zhǔn)。在設(shè)計(jì)濾波器時(shí)，保證了濾波器的穩(wěn)定性和變換器回路的穩(wěn)定性。此在線工具支持100多個(gè)TI power設(shè)備。
讓輸入EMI濾波器電感器保持無阻尼狀態(tài)是一個(gè)常見的錯(cuò)誤，這會(huì)對(duì)總體設(shè)計(jì)穩(wěn)定性產(chǎn)生負(fù)面影響。WEBENCH設(shè)計(jì)工具對(duì)輸入濾波器和開關(guān)電源進(jìn)行阻抗分析（如下圖23所示），并建議適當(dāng)?shù)淖枘峤M件以確保穩(wěn)定性。
升壓升壓轉(zhuǎn)換器-數(shù)據(jù)表規(guī)定了-穩(wěn)壓IC
集成功率MOSFET開關(guān)。可實(shí)現(xiàn)的實(shí)際輸出電流的粗略估計(jì)是占空比的函數(shù)，可以使用以下公式進(jìn)行估計(jì)：IOUT=0.65xISwitch（**小）x（VIN/VOUT）降壓升壓轉(zhuǎn)換器-ADC/DC轉(zhuǎn)換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調(diào)節(jié)輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。
TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個(gè)功率MOSFET，以節(jié)省空間并在操作模式之間無縫過渡。
分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個(gè)成員
轉(zhuǎn)換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個(gè)輸入軌產(chǎn)生調(diào)節(jié)的正負(fù)電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時(shí)為工業(yè)和汽車應(yīng)用提供了前列的性能。
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減少低頻發(fā)射的創(chuàng)新-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
讓我們看看TI在構(gòu)建其轉(zhuǎn)換器和控制器時(shí)使用的一些技術(shù)，以解決效率、EMI、尺寸和成本等基本權(quán)衡問題。
擴(kuò)頻-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
擴(kuò)頻利用能量守恒原理，通過在多個(gè)頻率上傳播能量來減少EMI峰值。然而，峰值敏感電路“看到”的能量可能不會(huì)減少；這取決于敏感電路的帶寬與方法之間的關(guān)系頻率調(diào)制。測(cè)量EMI時(shí)，頻譜分析儀充當(dāng)敏感電路，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置分辨率
帶寬（RBW）。因此，以***的方式對(duì)目標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行頻率調(diào)制非常重要。一般的經(jīng)驗(yàn)法則是，調(diào)制頻率fm大約等于目標(biāo)RBW，擴(kuò)展帶寬ΔfC約為±5%至±10%。
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穩(wěn)壓IC專題
由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會(huì)導(dǎo)致高頻開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，從而進(jìn)一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。
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下頁(yè)的圖7顯示了切換節(jié)點(diǎn)上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過在開關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動(dòng)路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度。這會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速度變慢，導(dǎo)致更快的發(fā)射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而，這種開關(guān)邊緣的減速會(huì)導(dǎo)致開關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。
深圳市特克電子技術(shù)有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念，先進(jìn)的管理經(jīng)驗(yàn)，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時(shí)刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評(píng)價(jià)，這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果，這些評(píng)價(jià)對(duì)我們而言是比較好的前進(jìn)動(dòng)力，也促使我們?cè)谝院蟮牡缆飞媳３謯^發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個(gè)新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同深圳市特克電子供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價(jià)值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認(rèn)真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長(zhǎng)！