低噪音和精度-TI穩(wěn)壓IC發(fā)展趨勢(shì)-2
增強(qiáng)電源和信號(hào)完整性，以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和準(zhǔn)確性。
為了比較大限度地提高系統(tǒng)性能和可靠性，監(jiān)控、調(diào)節(jié)和處理電源鏈中信號(hào)的能力至關(guān)重要。高精度系統(tǒng)需要精確的低噪聲基準(zhǔn)，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進(jìn)的電路和測(cè)試技術(shù)，以提高精度并將失真降至比較低。
?高級(jí)功能，如陶瓷封裝和電路板應(yīng)力管理技術(shù)
管理硅和電路板壓力。
系統(tǒng)噪音緩解
?技術(shù)進(jìn)步，使系統(tǒng)級(jí)抗干擾性更好
具有高電源抑制比（PSRR）、低壓差調(diào)節(jié)器（LDO）和片上濾波的干擾和噪聲。
高PSRR可實(shí)現(xiàn)更好的濾波和更低的輸出噪聲。
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有源EMI濾波-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專(zhuān)題
為了大幅改善低頻頻譜中的發(fā)射，LM25149-Q1降壓控制器采用了有源EMI濾波方法。集成有源EMI濾波器通過(guò)充當(dāng)有效的低阻抗分流器，減少輸入端的DM傳導(dǎo)發(fā)射。圖12顯示了buck控制器的有源EMI濾波器如何連接到輸入線。傳感和注入引腳通過(guò)各自的電容器連接到輸入端。有源EMI濾波器塊內(nèi)的有源元件放大感測(cè)信號(hào)，并通過(guò)注入電容器注入適當(dāng)?shù)姆礃O性信號(hào)，以**小化輸入線上的整體干擾。這減少了
過(guò)濾所需無(wú)源元件的負(fù)擔(dān)，從而減少其尺寸、體積和成本。
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低靜態(tài)電流（IQ）-穩(wěn)壓IC趨勢(shì)知識(shí)
在不影響電池操作系統(tǒng)的系統(tǒng)性能的情況下延長(zhǎng)電池和保質(zhì)期，在空載或輕載條件下實(shí)現(xiàn)高效率需要電源解決方案在保持**電源電流的同時(shí)嚴(yán)格調(diào)節(jié)輸出。
憑借TI的**智商技術(shù)和產(chǎn)品組合，您可以比較大限度地延長(zhǎng)電池運(yùn)行時(shí)間，并在下一次設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)低功耗。
低待機(jī)功率
?使用**泄漏組件和新型控制拓?fù)溲娱L(zhǎng)電池運(yùn)行時(shí)間
快速響應(yīng)時(shí)間
?通過(guò)快速喚醒電路和自適應(yīng)偏置增強(qiáng)系統(tǒng)功能，以提高動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間，同時(shí)保持**靜態(tài)功耗
小外形尺寸
?應(yīng)用程序支持模具和封裝尺寸，無(wú)需通過(guò)TI的**電路技術(shù)，降低靜態(tài)功耗。
功率MOSFET概述：
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個(gè)低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺(tái)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的組合。
NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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穩(wěn)壓IC-開(kāi)放式機(jī)架PTH08T2xx“T2”電源模塊高電流模塊，
用于需要高達(dá)50A的應(yīng)用。
?高達(dá)50A的高輸出電流
?渦輪變速器?可調(diào)瞬態(tài)響應(yīng)特性
?均流（50-A版本）
穩(wěn)壓IC-QFN電源模塊易于使用的高功率密度模塊，
適用于占地面積小的應(yīng)用。
?輸入電壓范圍：2.95至60V
?輸出電流高達(dá)30A
?功能豐富靈活
?只需要三個(gè)外部組件
穩(wěn)壓IC-帶導(dǎo)線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊，
適用于需要高達(dá)42V輸入電壓的應(yīng)用。
?單個(gè)外露底部
?支持5-V、12-V和24-V導(dǎo)軌
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TI穩(wěn)壓IC-減少高頻發(fā)射的創(chuàng)新
到目前為止，我們描述的EMI緩解技術(shù)通常會(huì)減少低頻發(fā)射（<30 MHz），相應(yīng)減少所需的無(wú)源濾波量以及相關(guān)的尺寸、體積和成本效益?，F(xiàn)在，讓我們看看設(shè)計(jì)用于緩解高頻發(fā)射（>30 MHz）的技術(shù)。
火棒? 包裹
減少高頻發(fā)射的主要方法之一是非常小化功率回路電感。TI的降壓轉(zhuǎn)換器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
從鍵合線封裝到基于引線框架的倒裝芯片（熱棒）封裝，有助于降低功率回路電感，進(jìn)而減少開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。
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