圖8說明了時(shí)域和頻域中的這些參數(shù)。-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
在CISPR 25等標(biāo)準(zhǔn)中，通常會將fm設(shè)置在9 kHz左右，以優(yōu)化低頻段，但這恰好也在音頻范圍內(nèi)。為了解決這一問題，您可以進(jìn)一步以偽隨機(jī)方式調(diào)制三角調(diào)制，以傳播可聽能量，而不會對傳導(dǎo)和輻射EMI性能產(chǎn)生重大影響。下頁的圖9說明了時(shí)域和頻域中的這種調(diào)制模式，這是TPS55165-Q1（同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器）上的一個(gè)功能。
EMI不僅限于單個(gè)頻帶（因此也限于單個(gè)RBW），而是多個(gè)頻帶的事實(shí)帶來了困境，因?yàn)閿U(kuò)頻通常只能針對單個(gè)頻帶的改進(jìn)。解決這個(gè)問題的一種新方法是一種稱為雙隨機(jī)擴(kuò)頻（DRSS）的數(shù)字?jǐn)U頻技術(shù)。DRS背后的基本原理是疊加兩個(gè)調(diào)制剖面，每個(gè)調(diào)制剖面針對不同的RBW。有關(guān)更多信息，請參閱應(yīng)用報(bào)告“EMI抑制技術(shù)，雙隨機(jī)擴(kuò)頻”
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什么是TI穩(wěn)壓IC的EMI， 續(xù)。。。
TI穩(wěn)壓IC的EMI如 下頁的圖2顯示了傳導(dǎo)發(fā)射的通用測試設(shè)置，包括電源、線路阻抗穩(wěn)定網(wǎng)絡(luò)（LISN）、EMI接收器、電源線和被測設(shè)備（DUT）。LISN起著關(guān)鍵作用，充當(dāng)?shù)屯V波器，確保重復(fù)性和
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EMI測量的可比性，并為DUT提供精確的阻抗。圖2還說明了一個(gè)重要的細(xì)分
發(fā)射到共模（CM）和差模（DM）電流。DM電流在電源線及其回路之間流動，在低頻率下是主導(dǎo)因素。
CM電流在每條電源線和地面之間流動，是高頻下的主導(dǎo)因素。
圖10顯示了時(shí)域中的DRSS調(diào)制剖面，三角形包絡(luò)瞄準(zhǔn)較低的RBW，疊加偽隨機(jī)序列瞄準(zhǔn)較高的RBW。
穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
圖11顯示了LM5156-Q1的傳導(dǎo)發(fā)射性能，LM5156-Q1是一種非同步boost控制器，有無DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz頻段以及30至108 MHz頻段的頻譜峰值***降低，這是CISPR 25汽車標(biāo)準(zhǔn)的兩個(gè)關(guān)鍵頻段。LM5157-Q1非同步boost轉(zhuǎn)換器還具有DRS功能，并實(shí)現(xiàn)類似的性能。
擴(kuò)頻技術(shù)適用于非隔離拓?fù)浜透綦x拓?fù)洌驗(yàn)檫@兩種拓?fù)涞腅MI源相似，而頻率擴(kuò)展提供了相同的好處。
帶集成變壓器的UCC12040和UCC12050隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器能夠通過CISPR 32 B級EMI測試限值，部分原因是內(nèi)部擴(kuò)頻技術(shù)。
減少低頻發(fā)射的創(chuàng)新-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
讓我們看看TI在構(gòu)建其轉(zhuǎn)換器和控制器時(shí)使用的一些技術(shù)，以解決效率、EMI、尺寸和成本等基本權(quán)衡問題。
擴(kuò)頻-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
擴(kuò)頻利用能量守恒原理，通過在多個(gè)頻率上傳播能量來減少EMI峰值。然而，峰值敏感電路“看到”的能量可能不會減少；這取決于敏感電路的帶寬與方法之間的關(guān)系頻率調(diào)制。測量EMI時(shí)，頻譜分析儀充當(dāng)敏感電路，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置分辨率
帶寬（RBW）。因此，以***的方式對目標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行頻率調(diào)制非常重要。一般的經(jīng)驗(yàn)法則是，調(diào)制頻率fm大約等于目標(biāo)RBW，擴(kuò)展帶寬ΔfC約為±5%至±10%。
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增強(qiáng)型熱棒? QFN公司
增強(qiáng)型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能，并具有更低開關(guān)節(jié)點(diǎn)電容的額外優(yōu)勢，從而大降低了振鈴。在具有增強(qiáng)型熱棒QFN的設(shè)備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導(dǎo)體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器采用增強(qiáng)型熱棒QFN，下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強(qiáng)型HotRod QFN不僅提高了效率，還包括封裝中心有一個(gè)大型模具連接墊（DAP）的封裝外形。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過PCB更好地散熱，并將結(jié)溫升高降低15%以上。此外，VIN、GND和開關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳上較低的RLC寄生也會提高效率并降低EMI。正如預(yù)期的那樣，這會產(chǎn)生更好的EMI，尤其是在交換機(jī)節(jié)點(diǎn)振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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德州儀器 穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
圖13顯示了在400 kHz開關(guān)頻率下運(yùn)行的buck變換器的EMI測量結(jié)果，比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級頻譜屏蔽，無源EMI濾波器需要一個(gè)3.3μH的DM電感和一個(gè)10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實(shí)現(xiàn)相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對于更大電流的轉(zhuǎn)換器，可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進(jìn)一步好處。
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