濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。濕法還可以用于能源領(lǐng)域，例如濕法脫硫技術(shù)可以減少燃煤電廠的二氧化硫排放。北京工業(yè)濕法去PSG

濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過(guò)濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。成都大產(chǎn)能濕法制絨濕法制絨設(shè)備（Topcon工藝）工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颉?/p>

濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。

濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等設(shè)備；釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級(jí)。其作用是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。濕法還可以用于紡織工業(yè)中的染色和整理等工藝。

濕法是一種常用的化學(xué)反應(yīng)方法，用于合成或轉(zhuǎn)化化合物。它通常涉及將固體或氣體反應(yīng)物與液體溶劑或溶液中的溶質(zhì)反應(yīng)。濕法反應(yīng)機(jī)理可以因反應(yīng)類(lèi)型和反應(yīng)物而異，但一般可以歸納為以下幾個(gè)步驟：1.溶解：反應(yīng)物在溶劑中溶解，形成溶液。這一步驟可以通過(guò)物理吸附、化學(xué)吸附或溶解度平衡來(lái)實(shí)現(xiàn)。2.離子化：如果反應(yīng)物是離子化合物，它們會(huì)在溶液中解離成離子。這是濕法反應(yīng)中常見(jiàn)的步驟，其中溶劑的極性和離子間相互作用起著重要作用。3.反應(yīng)：反應(yīng)物的離子或分子在溶液中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。這可能涉及離子間的交換、配位鍵的形成或斷裂、氧化還原反應(yīng)等。4.沉淀或析出：在反應(yīng)中，產(chǎn)生的產(chǎn)物可能會(huì)形成沉淀或析出物。這是由于反應(yīng)物濃度的變化、溶劑揮發(fā)或溶液中其他物質(zhì)的存在。5.分離和純化：除此之外，反應(yīng)產(chǎn)物需要通過(guò)分離和純化步驟從溶液中提取出來(lái)。這可以通過(guò)過(guò)濾、結(jié)晶、蒸餾等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好；成都大產(chǎn)能濕法制絨

電池濕法設(shè)備在生產(chǎn)過(guò)程中采用先進(jìn)的控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)線的自動(dòng)化和智能化控制，提高產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性。北京工業(yè)濕法去PSG

晶片濕法設(shè)備保證晶片的清潔度主要依靠以下幾個(gè)方面：1.清洗液的選擇：選擇適合的清洗液對(duì)于保證晶片的清潔度至關(guān)重要。清洗液應(yīng)具有良好的溶解性和去除能力，能夠有效去除晶片表面的雜質(zhì)和污染物。2.清洗工藝參數(shù)的控制：在清洗過(guò)程中，需要控制清洗液的溫度、濃度、流速和清洗時(shí)間等參數(shù)。合理的參數(shù)設(shè)置可以提高清洗效果，確保晶片表面的徹底清潔。3.設(shè)備的維護(hù)和保養(yǎng)：定期對(duì)清洗設(shè)備進(jìn)行維護(hù)和保養(yǎng)，保證設(shè)備的正常運(yùn)行和清洗效果的穩(wěn)定性。包括清洗槽的清洗、更換濾芯、檢查管路等。4.操作人員的培訓(xùn)和操作規(guī)范：操作人員需要接受專(zhuān)業(yè)的培訓(xùn)，了解清洗設(shè)備的操作規(guī)范和注意事項(xiàng)。正確的操作方法和操作流程可以更大程度地保證晶片的清潔度。5.環(huán)境的控制：保持清洗環(huán)境的潔凈度，防止灰塵和其他污染物進(jìn)入清洗設(shè)備?？梢圆扇】諝鈨艋㈧o電消除等措施，確保清洗環(huán)境的潔凈度。北京工業(yè)濕法去PSG