肖特基二極管（SchottkyBarrierDiode）它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響只為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。當反向施加電壓時，二極管是理想的絕緣體。東莞晶體二極管正負極

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺)制成的一種電子器件，它具有單向導電性能，即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導通。當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止，因此，二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開。而我們講的是一種特殊的二極管，理想二極管。在電子上，它不僅起著安裝、固定、密封、保護芯片及增強電熱性能等方面的作用，而且還通過芯片上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接，從而實現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。因為芯片必須與外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運輸。東莞晶體二極管正負極正向電流理想二極管在端子上施加任何正向電壓時都包括無限的正向電流。

肖特基二極管（SchottkyBarrierDiode）它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響只為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管則可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。

正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A等等屬于這類二極管。是比較大峰值反向電壓和比較大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。由于理想條件，二極管的內(nèi)部電阻將為零。

穩(wěn)壓二極管這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，起到穩(wěn)定電壓的作用。是代替穩(wěn)壓電子二極管的產(chǎn)品。被制作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管。作為控制電壓和標準電壓使用而制作的。二極管工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動態(tài)電阻RZ很小，一般為2CW、2CW56等；將兩個互補二極管反向串接以減少溫度系數(shù)則為2DW型。二極管的電壓與電流不是線性關系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應的電阻。佛山普通二極管市場價

門檻電壓理想二極管沒有閾值電壓。一旦在二極管上施加任何正向電壓，它將立即在其結之間傳導電流。東莞晶體二極管正負極

電源的輸出端口通常會采用一個反向二極管來保護電源避免受到反向電壓的損壞！如下圖所示，幾乎絕大部分的直流電源都會在輸出端口添加一個甚至多個電解電容。這些電容起到濾除輸出紋波和噪聲，而且提供額外的電能用于減小在負載電流動態(tài)變化時電壓突升或突降的幅度。電解電容可以承受一些反向電壓，但也不會很高，一般在1V到1.5V，過高的反向電壓會導致電解電容的泄漏甚至更糟糕的情況。反向保護二極管可以限制電解電容的方向電壓在二極管的導通電壓以內(nèi)，而且保護二極管的耐流值至少應該與電源的輸出最大電流一致。東莞晶體二極管正負極