肖特基二極管（SchottkyBarrierDiode）它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的PN結大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響只為RC時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管則可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。門檻電壓理想二極管沒有閾值電壓。一旦在二極管上施加任何正向電壓，它將立即在其結之間傳導電流。無錫本地二極管正負極

它也是一種具有PN結的二極管。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區(qū)，從而形成"自助電場"。由于PN結在正向偏壓下，以少數(shù)載流子導電，并在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經(jīng)歷一個"存貯時間"后才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極管的"自助電場"縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，并產(chǎn)生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發(fā)生電路。快速關斷（階躍恢復）二極管用于脈沖和高次諧波電路中。福建本地二極管出廠價利用二極管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。

發(fā)光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二極管相似，發(fā)光二極管也是由一個PN結構成。發(fā)光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優(yōu)點，廣用于信號指示等電路中。當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。

光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，以便于接受光照。其特點是，當光線照射于它的PN結時，可以成對地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。理想二極管在端子上施加任何正向電壓時都包括無限的正向電流。這是由于理想條件，二極管的內部電阻將為零。理想的二極管完全沒有內部電阻。由于電流(歐姆定律I=V/R)，將執(zhí)行無限量的電流并將其提供給具有理想二極管的電路。利用二極管特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度限制在一定范圍內。

外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千在二極管的制造工藝上，使它有低壓擊穿特性。穩(wěn)壓二極管的反向擊穿電壓恒定。廣東二極管

理想的二極管沒有擊穿電壓。無錫本地二極管正負極

二極管（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（VaricapDiode）則用來當作電子式的可調電容器。外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。無錫本地二極管正負極

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