TO-252封裝的超快速恢復(fù)二極管MUR540、MUR560、MUR580平均整流輸出電流為5A，反向重復(fù)峰值電壓為400v、600v、800v。MUR1040、MUR1060、MUR1080平均整流輸出電流為10A，反向重復(fù)峰值電壓為400v、600v、800v。六款超快速恢復(fù)二極管，均采用TO-252封裝，適用于各種整流應(yīng)用。封裝TO-252屬于貼片式背帶散熱片，該產(chǎn)品可以較好的替代傳統(tǒng)直插DO-27封裝，減少了傳統(tǒng)直插帶來的人工成本及再加工成型帶來的壓力損傷等因素，具有效率更高、產(chǎn)品穩(wěn)定性能更佳、空間占用小等優(yōu)勢。晶體管設(shè)計(jì)，就選深圳市凱軒業(yè)科技，歡迎客戶來電！高效率二極管直銷

橋堆的檢測1．全橋的檢測大多數(shù)的整流全橋上，均標(biāo)注有“+”、“-”、“~”符號(hào)（其中“+”為整流后輸出電壓的正極，“-”為輸出電壓的負(fù)極，“~”為交流電壓輸入端），很容易確定出各電極。檢測時(shí)，可通過分別測量“+”極與兩個(gè)“~”極、“-”極與兩個(gè)“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值（與普通二極管的測量方法相同）是否正常，即可判斷該全橋是否已損壞。若測得全橋內(nèi)鞭只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。2．半橋的檢測半橋是由兩只整流二極管組成，通過用萬用表分別測量半橋內(nèi)部的兩只二極管的正、反電阻值是否正常，即可判斷出該半橋是否正常ESD二極管制造商單電子晶體管每個(gè)存儲(chǔ)元只包含了一個(gè)或少量電子，因此它將較大降低功耗，提高集成電路的集成度。

雙基極二極管的檢測1．電極的判別將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆測量雙基極二極管三個(gè)電極中任意兩個(gè)電極間的正反向電阻值，會(huì)測出有兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ，這兩個(gè)電極即是基極B1和基極B2，另一個(gè)電極即是發(fā)射極E。再將黑表筆接發(fā)射極E，用紅表筆依次去接觸另外兩個(gè)電極，一般會(huì)測出兩個(gè)不同的電阻值。有阻值較小的一次測量中，紅表筆接的是基極B2，另一個(gè)電極即是基極B1。2．性能好壞的判斷雙基極二極管性能的好壞可以通過測量其各極間的電阻值是否正常來判斷。用萬用表R×1k檔，將黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆依次接兩個(gè)基極（B1和B2），正常時(shí)均應(yīng)有幾千歐至十幾千歐的電阻值。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個(gè)基極，正常時(shí)阻值為無窮大。雙基極二極管兩個(gè)基極（B1和B2）之間的正、反向電阻值均為2~10kΩ范圍內(nèi)，若測得某兩極之間的電阻值與上述正常值相差較大時(shí)，則說明該二極管已損壞。

場效應(yīng)管好壞與極性判別:將萬用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時(shí)觸及一下G,D極,場效應(yīng)管應(yīng)呈瞬時(shí)導(dǎo)通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極,場效應(yīng)管應(yīng)無反應(yīng),即表針回零位置不動(dòng).此時(shí)應(yīng)可判斷出場效應(yīng)管為好管.將萬用表的量程選擇在RX1K檔,分別測量場效應(yīng)管三個(gè)管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無窮大時(shí),并且再交換表筆后仍為無窮大時(shí),則此腳為G極,其它兩腳為S極和D極.然后再用萬用表測量S極和D極之間的電阻值一次,交換表筆后再測量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極.檢測晶體三極管時(shí)，選擇反應(yīng)靈敏的指針萬用表。將萬用表的量程調(diào)整至擋，并進(jìn)行調(diào)零校正。

MOS管現(xiàn)在用于高電壓、大電流下基本上都使用MOS管。由于工藝和材料的差異，N溝道的MOS管可以做到耐壓高、導(dǎo)通電流大。IXFK38N80是一款大功率MOS管，稱為HiPerFETPowerMOSFETS。數(shù)據(jù)手冊(cè)給定的參數(shù)為：擊穿電壓Vds=800V，工作電流：38A。下圖是測量該MOS管擊穿電壓與電流曲線，它的擊穿電壓與手冊(cè)規(guī)定的數(shù)值基本一致。IXFK38N80擊穿電壓電流曲線通常情況下，MOS管耐壓越高，導(dǎo)通電阻就越大，使得MOS的功耗增加。將MOS管與雙極性三極管符合，就形成IGBT功率管，它可以在高耐壓和低導(dǎo)通電阻兩方面做到兼容。G40N60是手邊的一款I(lǐng)GBT，手冊(cè)給出的擊穿電壓為。600V。下圖給出的擊穿電壓電流曲線顯示實(shí)際的擊穿電壓在750V左右。G40N60擊穿電壓電流曲線IGBT中由于存在雙極性三極管，它是利用少數(shù)載流子完成電流導(dǎo)通，所以IGBT的截止時(shí)間較長，無法工作在高頻電路中。近年來逐步推廣的碳化硅MOS管可以有效的克服IGBT的頻率低的問題，在高電壓、低電阻、高頻率各方面都具有優(yōu)勢。C2M008012是一款碳化硅MOS管，在《碳化硅MOS管》介紹過它的原理和特性。C2M008012碳化硅MOS管但是在前面推文中對(duì)它的擊穿電壓電流曲線測量存在問題，主要是當(dāng)時(shí)所使用的高壓電源功率太小造成的。晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件。信賴之選深圳市凱軒業(yè)電子科技有限公司。超快恢復(fù)二極管

穩(wěn)壓二極管在使用時(shí)是反向并聯(lián)在負(fù)載兩端的，如果輸入的電壓沒有超過其穩(wěn)壓值。高效率二極管直銷

TO-252封裝尺寸圖電氣特性方面，關(guān)于***比較大額定值，六款二極管的反向重復(fù)峰值電壓均為400v、600v、800v,反向電壓均為400v、600v、800v.平均整流輸出電流為5A/10A，運(yùn)行結(jié)溫均為150℃，儲(chǔ)存溫度均為-55℃~+150℃。正向不重復(fù)峰值電流(浪涌電流)不同。六款直插超快速恢復(fù)二極管的產(chǎn)品特性：.低開關(guān)損耗.低正向電壓.高電流過載能力六款直插超快速恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)：.硅外延平面型.玻璃鈍化PN結(jié)型六款超快速恢復(fù)二極管替代傳統(tǒng)直插DO-27封裝的應(yīng)用:通用的整流應(yīng)用高效率二極管直銷