6、平面型二極管在半導體單晶片（主要地是 N 型硅單晶片）上，擴散 P 型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅單晶片上但選擇性地擴散一部分而形成的 PN 結(jié)。因此，不需要為調(diào)整 PN 結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關(guān)用的型號則很多。 場效應管深圳市凱軒業(yè)科技有限公司，歡迎親咨詢。什么是場效應管優(yōu)勢廠家

3、高反向電阻點接觸型二極管正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A 等等屬于這類二極管。4、高傳導點接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言，有 SD56、1N56A 等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。多功能場效應管批發(fā)廠家只做原裝，場效應管，選深圳市凱軒業(yè)科技有限公司。

整流二極管較突出的作用是其能夠防止電流倒灌。當整流二極管加上正電壓時，正電壓起始部分的正電壓很小，不能有效克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用。當整流二極管的正電流幾乎為零時，這一部分被稱為死區(qū)，不能引導二極管的正電壓稱為死區(qū)電壓。當整流二極管的正電壓大于死區(qū)電壓時，有效克服了PN結(jié)內(nèi)的電場，整流二極管的正電流隨著電壓的增加而迅速上升。在正常電流范圍內(nèi)，整流二極管端電壓幾乎保持不變使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設計好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。

整流二極管還能夠起到保護作用，當整流二極管外加反向電壓不超過一定范圍時，通過整流二極管的電流少數(shù)載流子漂移運動從而形成的反向電流，可以防止接錯正負極。整流二極管的作用中的反向擊穿，反向擊穿按機理原理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。整流二極管在高摻雜濃度的情況下，整流二極管因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大會破壞勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子空穴，整流二極管的作用中的另一種擊穿為雪崩擊穿。當整流二極管反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場會使電子漂移速度加快，從而使整流二極管共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子空穴對。場效應管選深圳市凱軒業(yè)電子，歡迎━(*｀?′*)ノ亻!親的到來。

15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的 PN 結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響但為 RC 時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達 100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。線性穩(wěn)壓電源，參考電壓源功能原理：提供直流穩(wěn)壓系統(tǒng)電子電路所需的高精度參考電壓源和電源。KXY。福建質(zhì)量場效應管

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較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模瑥亩鸱聪驌舸?。通常取反向擊穿電?VB)的一半作為(VR)。較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數(shù)反映了二極管單向?qū)щ娦阅艿暮脡?。這個電流值越小，表明二極管質(zhì)量越好。擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時，則指給定反向漏電流條件下的電壓值。較高工作頻率fm：它是二極管在正常情況下的較高工作頻率。什么是場效應管優(yōu)勢廠家