DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓撲結(jié)構(gòu)，在布局時保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的，數(shù)據(jù)信號與選通信號是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號將分成8組，每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓撲結(jié)構(gòu)的一致性和長度上匹配，這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關(guān)系，要保證過孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長為20Mil，不同組的等長范圍為200Mil，時鐘線和數(shù)據(jù)線的等長范圍≤1000Mil。培訓(xùn)機構(gòu)通常會加強學(xué)員的團隊協(xié)作能力和創(chuàng)新意識。深圳PCB培訓(xùn)廠家

設(shè)計隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，印制電路板廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，幾乎所有的電子設(shè)備中都包含相應(yīng)的印制電路板。為保證電子設(shè)備正常工作，減少相互間的電磁干擾，降低電磁污染對人類及生態(tài)環(huán)境的不利影響，電磁兼容設(shè)計不容忽視。本文介紹了印制電路板的設(shè)計方法和技巧。在印制電路板的設(shè)計中，元器件布局和電路連接的布線是關(guān)鍵的兩個環(huán)節(jié)。折疊布局布局，是把電路器件放在印制電路板布線區(qū)內(nèi)。布局是否合理不僅影響后面的布線工作，而且對整個電路板的性能也有重要影響。在保證電路功能和性能指標(biāo)后，要滿足工藝性、檢測和維修方面的要求，元件應(yīng)均勻、整齊、緊湊布放在PCB上，盡量減少和縮短各元器件之間的引線和連接，以得到均勻的組裝密度。按電路流程安排各個功能電路單元的位置，輸入和輸出信號、高電平和低電平部分盡可能不交叉，信號傳輸路線短。武漢哪里的PCB培訓(xùn)包括哪些在多層板PCB中，整層都直接連接上地線與電源。所以我們將各層分類為信號層，電源層或是地線層。

布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號流向順暢，布線短”的原則；（2）不同類型的電路模塊分開擺放，相對、互不干擾；（3）相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局；（4）預(yù)留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間；（5）器件間距滿足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求；（6）當(dāng)密集擺放時，小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求；當(dāng)與客戶的要求時，以客戶為準(zhǔn)，并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿足客戶要求。

(3)電源線、地線及印制導(dǎo)線在印制板上的排列要恰當(dāng)，盡量做到短而直，以減小信號線與回線之間所形成的環(huán)路面積。(4)時鐘發(fā)生器盡量*近到用該時鐘的器件。(5)石英晶體振蕩器外殼要接地。(6)用地線將時鐘區(qū)圈起來，時鐘線盡量短。(7)印制板盡量使用45°折線而不用90°折線布線以減小高頻信號對外的發(fā)射與耦合。(8)單面板和雙面板用單點接電源和單點接地；電源線、地線盡量粗。(9)I/O驅(qū)動電路盡量*近印刷板邊的接插件，讓其盡快離開印刷板?！C內(nèi)可調(diào)元件要靠PCB 的邊沿布局,以便于調(diào)節(jié);機外可調(diào)元件、接插件和開關(guān)件要和外殼一起設(shè)計布局。

存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高，缺點是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。布局中應(yīng)參考原理框圖，根據(jù)單板的主信號流向規(guī)律安排主要元器件。武漢打造PCB培訓(xùn)銷售電話

時鐘線垂直于I/O線比平行I/O線干擾小，時鐘元件引腳需遠離I/O電纜。深圳PCB培訓(xùn)廠家

3、地線設(shè)計不合理的地線設(shè)計會使印制電路板產(chǎn)生干擾，達不到設(shè)計指標(biāo)，甚至無法工作。地線是電路中電位的參考點，又是電流公共通道。地電位理論上是零電位，但實際上由于導(dǎo)線阻抗的存在，地線各處電位不都是零。因為地線只要有一定長度就不是一個處處為零的等電位點，地線不僅是必不可少的電路公共通道，又是產(chǎn)生干擾的一個渠道。一點接地是消除地線干擾的基本原則。所有電路、設(shè)備的地線都必須接到統(tǒng)一的接地點上，以該點作為電路、設(shè)備的零電位參考點(面)。一點接地分公用地線串聯(lián)一點接地和單獨地線并聯(lián)一點接地。深圳PCB培訓(xùn)廠家