模塊劃分（1）布局格點(diǎn)設(shè)置為50Mil。（2）以主芯片為中心的劃分準(zhǔn)則,把該芯片相關(guān)阻容等分立器件放在同一模塊中。（3）原理圖中單獨(dú)出現(xiàn)的分立器件，要放到對(duì)應(yīng)芯片的模塊中，無(wú)法確認(rèn)的，需要與客戶(hù)溝通,然后再放到對(duì)應(yīng)的模塊中。（4）接口電路如有結(jié)構(gòu)要求按結(jié)構(gòu)要求，無(wú)結(jié)構(gòu)要求則一般放置板邊。主芯片放置并扇出（1）設(shè)置默認(rèn)線(xiàn)寬、間距和過(guò)孔：線(xiàn)寬：表層設(shè)置為5Mil；間距：通用線(xiàn)到線(xiàn)5Mil、線(xiàn)到孔（外焊盤(pán)）5Mil、線(xiàn)到焊盤(pán)5Mil、線(xiàn)到銅5Mil、孔到焊盤(pán)5Mil、孔到銅5Mil；過(guò)孔：選擇VIA8_F、VIA10_F、VIA10等；（2）格點(diǎn)設(shè)置為25Mil，將芯片按照中心抓取放在格點(diǎn)上。（3）BGA封裝的主芯片可以通過(guò)軟件自動(dòng)扇孔完成。（4）主芯片需調(diào)整芯片的位置，使扇出過(guò)孔在格點(diǎn)上，且過(guò)孔靠近管腳，孔間距50Mil，電源/地孔使用靠近芯片的一排孔，然后用表層線(xiàn)直接連接起來(lái)。按照均勻分布、重心平衡、版面美觀(guān)的標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化布局；湖北打造PCB培訓(xùn)功能

目前的電路板，主要由以下組成線(xiàn)路與圖面(Pattern):線(xiàn)路是做為原件之間導(dǎo)通的工具，在設(shè)計(jì)上會(huì)另外設(shè)計(jì)大銅面作為接地及電源層。線(xiàn)路與圖面是同時(shí)做出的。介電層(Dielectric):用來(lái)保持線(xiàn)路及各層之間的絕緣性，俗稱(chēng)為基材。孔(Throughhole/via):導(dǎo)通孔可使兩層次以上的線(xiàn)路彼此導(dǎo)通，較大的導(dǎo)通孔則做為零件插件用，另外有非導(dǎo)通孔(nPTH)通常用來(lái)作為表面貼裝定位，組裝時(shí)固定螺絲用。防焊油墨(Solderresistant/SolderMask):并非全部的銅面都要吃錫上零件，因此非吃錫的區(qū)域，會(huì)印一層隔絕銅面吃錫的物質(zhì)(通常為環(huán)氧樹(shù)脂)，避免非吃錫的線(xiàn)路間短路。根據(jù)不同的工藝，分為綠油、紅油、藍(lán)油。絲印(Legend/Marking/Silkscreen):此為非必要之構(gòu)成，主要的功能是在電路板上標(biāo)注各零件的名稱(chēng)、位置框，方便組裝后維修及辨識(shí)用。表面處理(SurfaceFinish):由于銅面在一般環(huán)境中，很容易氧化，導(dǎo)致無(wú)法上錫(焊錫性不良)，因此會(huì)在要吃錫的銅面上進(jìn)行保護(hù)。保護(hù)的方式有噴錫(HASL)，化金(ENIG)，化銀(ImmersionSilver)，化錫(ImmersionTin)，有機(jī)保焊劑(OSP)，方法各有優(yōu)缺點(diǎn)，統(tǒng)稱(chēng)為表面處理。武漢打造PCB培訓(xùn)功能PCB設(shè)計(jì)應(yīng)考慮許多因素，如外部連接布局、布局設(shè)計(jì)、內(nèi)部電子元件的優(yōu)化布局等。

5V一般可能是電源輸入，只需要在一小塊區(qū)域內(nèi)鋪銅。且盡量粗(你問(wèn)我該多粗——能多粗就多粗，越粗越好)；1.2V和1.8V是內(nèi)核電源(如果直接采用線(xiàn)連的方式會(huì)在面臨BGA器件時(shí)遇到很大困難)，布局時(shí)盡量將1.2V與1.8V分開(kāi)，并讓1.2V或1.8V內(nèi)相連的元件布局在緊湊的區(qū)域，使用銅皮的方式連接，如圖：總之，因?yàn)殡娫淳W(wǎng)絡(luò)遍布整個(gè)PCB，如果采用走線(xiàn)的方式會(huì)很復(fù)雜而且會(huì)繞很遠(yuǎn)，使用鋪銅皮的方法是一種很好的選擇!4、鄰層之間走線(xiàn)采用交叉方式：既可減少并行導(dǎo)線(xiàn)之間的電磁干擾又方便走線(xiàn)。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類(lèi)在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來(lái)制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。PCB培訓(xùn)課程通常從PCB基礎(chǔ)知識(shí)講解開(kāi)始，介紹PCB的起源、發(fā)展歷程以及相關(guān)的物理原理。

關(guān)鍵信號(hào)布線(xiàn)（1）射頻信號(hào)：優(yōu)先在器件面走線(xiàn)并進(jìn)行包地、打孔處理，線(xiàn)寬8Mil以上且滿(mǎn)足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線(xiàn)不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點(diǎn)接地。（2）中頻、低頻信號(hào)：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線(xiàn)寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號(hào)不要進(jìn)入中頻、低頻信號(hào)布線(xiàn)區(qū)域。（3）時(shí)鐘信號(hào)：時(shí)鐘走線(xiàn)長(zhǎng)度＞500Mil時(shí)必須內(nèi)層布線(xiàn)，且距離板邊＞200Mil，時(shí)鐘頻率≥100M時(shí)在換層處增加回流地過(guò)孔。（4）高速信號(hào)：5G以上的高速串行信號(hào)需同時(shí)在過(guò)孔處增加回流地過(guò)孔。設(shè)計(jì)在不同階段需要進(jìn)行不同的各點(diǎn)設(shè)置，在布局階段可以采用大格點(diǎn)進(jìn)行器件布局；深圳哪里的PCB培訓(xùn)多少錢(qián)

·電位差較大的元器件要遠(yuǎn)離,防止意外放電。湖北打造PCB培訓(xùn)功能

整體布局整體布局子流程：接口模塊擺放→中心芯片模塊擺放→電源模塊擺放→其它器件擺放◆接口模塊擺放接口模塊主要包括：常見(jiàn)接口模塊、電源接口模塊、射頻接口模塊、板間連接器模塊等。（1）常見(jiàn)接口模塊：常用外設(shè)接口有：USB、HDMI、RJ45、VGA、RS485、RS232等。按照信號(hào)流向?qū)⒏鹘涌谀K電路靠近其所對(duì)應(yīng)的接口擺放，采用“先防護(hù)后濾波”的思路擺放接口保護(hù)器件，常用接口模塊參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（2）電源接口模塊：根據(jù)信號(hào)流向依次擺放保險(xiǎn)絲、穩(wěn)壓器件和濾波器件，按照附表4-8，留足夠的空間以滿(mǎn)足載流要求。高低電壓區(qū)域要留有足夠間距，參考附表4-8。（3）射頻接口模塊：靠近射頻接口擺放，留出安裝屏蔽罩的間距一般為2-3mm，器件離屏蔽罩間距至少0.5mm。具體擺放參考5典型電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)。（5）連接器模塊：驅(qū)動(dòng)芯片靠近連接器放置。湖北打造PCB培訓(xùn)功能