常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括點(diǎn)對(duì)點(diǎn)、菊花鏈、遠(yuǎn)端簇型、星型等。

1、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)拓?fù)鋚oint-to-pointscheduling：該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性容易控制，時(shí)序關(guān)系也容易控制，常見于高速雙向傳輸信號(hào)線。

2、菊花鏈結(jié)構(gòu) daisy-chain scheduling：菊花鏈結(jié)構(gòu)也比較簡(jiǎn)單，阻抗也比較容易控制。

3、fly-byscheduling：該結(jié)構(gòu)是特殊的菊花鏈結(jié)構(gòu)，stub線為0的菊花鏈。不同于DDR2的T型分支拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，DDR3采用了fly-by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以更高的速度提供更好的信號(hào)完整性。fly-by信號(hào)是命令、地址，控制和時(shí)鐘信號(hào)。

4、星形結(jié)構(gòu)starscheduling：該結(jié)構(gòu)布線比較復(fù)雜，阻抗不容易控制，但是由于星形堆成，所以時(shí)序比較容易控制。

5、遠(yuǎn)端簇結(jié)構(gòu)far-endclusterscheduling：遠(yuǎn)端簇結(jié)構(gòu)可以算是星形結(jié)構(gòu)的變種，要求是D到中心點(diǎn)的長(zhǎng)度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)長(zhǎng)于各個(gè)R到中心連接點(diǎn)的長(zhǎng)度。各個(gè)R到中心連接點(diǎn)的距離要盡量等長(zhǎng)，匹配電阻放置在D附近，常用語(yǔ)DDR的地址、數(shù)據(jù)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

在實(shí)際的PCB設(shè)計(jì)過程中，對(duì)于關(guān)鍵信號(hào)，應(yīng)通過信號(hào)完整性分析來決定采用哪一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 層壓是抑制PCB制版電磁干擾的重要手段。襄陽(yáng)定制PCB制版銷售

PCB制版 EMI設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)中很常見的問題是信號(hào)線與地或電源交叉，產(chǎn)生EMI。為了避免這個(gè)EMI問題，我們來介紹一下PCB設(shè)計(jì)中EMI設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)步驟。1.集成電路的電源處理確保每個(gè)IC的電源引腳都有一個(gè)0.1μf的去耦電容，對(duì)于BGA芯片，BGA的四個(gè)角分別有8個(gè)0.1μF和0.01μF的電容。特別注意在接線電源中添加濾波電容器，如VTT。這不僅對(duì)穩(wěn)定性有影響，對(duì)EMI也有很大影響。一般去耦電容還是需要遵循芯片廠商的要求。2.時(shí)鐘線的處理1.建議先走時(shí)鐘線。2.對(duì)于頻率大于或等于66M的時(shí)鐘線，每個(gè)過孔的數(shù)量不超過2個(gè)，平均不超過1.5個(gè)。3.對(duì)于頻率小于66M的時(shí)鐘線，每個(gè)過孔的數(shù)量不超過3個(gè)，平均不超過2.5個(gè)。4.對(duì)于長(zhǎng)度超過12英寸的時(shí)鐘線，如果頻率大于20M，過孔的數(shù)量不得超過2個(gè)。5.如果時(shí)鐘線有過孔，在過孔附近的第二層(接地層)和第三層(電源層)之間增加一個(gè)旁路電容，如圖2.5-1所示，保證時(shí)鐘線改變后參考層(相鄰層)中高頻電流的回路的連續(xù)性。旁路電容所在的電源層必須是過孔經(jīng)過的電源層，并且盡可能靠近過孔，旁路電容與過孔的距離不超過300MIL。6.原則上所有時(shí)鐘線都不能跨島(跨分區(qū))。宜昌PCB制版報(bào)價(jià)根據(jù)客戶的資料，對(duì)GERBER數(shù)據(jù)進(jìn)行審核，有阻抗要求的進(jìn)行阻抗設(shè)計(jì)，保證數(shù)據(jù)滿足生產(chǎn)要求。

PCB中過孔根據(jù)作用可分為：信號(hào)過孔、電源，地過孔、散熱過孔。

1、信號(hào)過孔在重要信號(hào)換層打孔時(shí)，我們多次強(qiáng)調(diào)信號(hào)過孔處附近需要伴隨打地過孔，加地過孔是為了給信號(hào)提供短的回流路徑。因?yàn)樾盘?hào)在打孔換層時(shí)，過孔處阻抗是不連續(xù)的，信號(hào)的回流路徑在就會(huì)斷開，為了減小信號(hào)的回流路徑的面積，比較在信號(hào)換孔處的附近打一下地過孔來減小信號(hào)回流路徑，減小信號(hào)的EMI輻射。

2、電源、地過孔在打地過孔時(shí)，地過孔的間距不能過小，避免將電源平面分割，導(dǎo)致電源平面不聯(lián)系。

3、散熱過孔在電源芯片，發(fā)熱比較大的器件上一般都會(huì)進(jìn)行設(shè)計(jì)有散熱焊盤的設(shè)計(jì)，需要在扇熱焊盤上進(jìn)行打孔。散熱孔通常為通孔，是熱量傳導(dǎo)到背面來進(jìn)一步的散熱。散熱過孔也在PCB設(shè)計(jì)中散熱處理的重要手法之一。在進(jìn)行扇熱處理是，需跟多注意PCB熱設(shè)計(jì)的要求下，結(jié)合散熱片，風(fēng)扇等結(jié)構(gòu)要求。

總結(jié)：過孔的設(shè)計(jì)是高速PCB設(shè)計(jì)的重要因素，對(duì)高速PCB中對(duì)于過孔的合理使用，可以改善其信號(hào)傳輸性能和傳輸質(zhì)量，以及還可以獲得很好的電磁屏蔽效果，就是對(duì)高速穩(wěn)定的數(shù)字系統(tǒng)非常重要設(shè)計(jì)。

SDRAM各管腳功能說明：

1、CLK是由系統(tǒng)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)的，SDRAM所有的輸入信號(hào)都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計(jì)數(shù)器和輸出寄存器；

2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，高電平時(shí)時(shí)鐘有效，低電平時(shí)時(shí)鐘無(wú)效，CKE為低電平時(shí)SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時(shí)包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。

3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效，當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部所有的命令信號(hào)都被屏蔽，同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。

4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效，這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組合定義輸入的命令。

5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)。寫數(shù)據(jù)時(shí)，當(dāng)DQM為高電平時(shí)對(duì)應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)無(wú)效，DQML與DQMU分別對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的低8位與高8位。

6、A<0..12>為地址總線信號(hào)，在讀寫命令時(shí)行列地址都由該總線輸入。

7、BA0、BA1為BANK地址信號(hào)，用以確定當(dāng)前的命令操作對(duì)哪一個(gè)BANK有效。

8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號(hào)，讀寫操作時(shí)的數(shù)據(jù)信號(hào)通過該總線輸出或輸入。 PCB制版技術(shù)工藝哪家好？

常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是指網(wǎng)絡(luò)中各個(gè)站點(diǎn)相互連接的形式。所謂“拓?fù)洹本褪前褜?shí)體抽象成與其大小、形狀無(wú)關(guān)的“點(diǎn)”，而把連接實(shí)體的線路抽象成“線”，進(jìn)而以圖的形式來表示這些點(diǎn)與線之間關(guān)系的方法，其目的在于研究這些點(diǎn)、線之間的相連關(guān)系。PCB制版設(shè)計(jì)中的拓?fù)洌傅氖切酒g的連接關(guān)系。常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括點(diǎn)對(duì)點(diǎn)、菊花鏈、遠(yuǎn)端簇型、星型等，1、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)拓?fù)湓撏負(fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的阻抗特性容易控制，時(shí)序關(guān)系也容易控制，常見于高速雙向傳輸信號(hào)線。2、菊花鏈結(jié)構(gòu)如下圖所示，菊花鏈結(jié)構(gòu)也比較簡(jiǎn)單，阻抗也比較容易控制。3、該結(jié)構(gòu)是特殊的菊花鏈結(jié)構(gòu)，stub線為0的菊花鏈。不同于DDR2的T型分支拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，DDR3采用了fly-by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以更高的速度提供更好的信號(hào)完整性。fly-by信號(hào)是命令、地址，控制和時(shí)鐘信號(hào)。4、星形結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)如下圖所示，該結(jié)構(gòu)布線比較復(fù)雜，阻抗不容易控制，但是由于星形堆成，所以時(shí)序比較容易控制。5、遠(yuǎn)端簇結(jié)構(gòu)far-遠(yuǎn)端簇結(jié)構(gòu)可以算是星形結(jié)構(gòu)的變種，要求是D到中心點(diǎn)的長(zhǎng)度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)長(zhǎng)于各個(gè)R到中心連接點(diǎn)的長(zhǎng)度。各個(gè)R到中心連接點(diǎn)的距離要盡量等長(zhǎng)，匹配電阻放置在D附近，常用語(yǔ)DDR的地址、數(shù)據(jù)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。PCB制版設(shè)計(jì)是與性能相關(guān)的階段。宜昌PCB制版報(bào)價(jià)

PCB制板的正確布線策略。襄陽(yáng)定制PCB制版銷售

SDRAM時(shí)鐘源同步和外同步

1、源同步：是指時(shí)鐘與數(shù)據(jù)同時(shí)在兩個(gè)芯片之間間傳輸，不需要外部時(shí)鐘源來給SDRAM提供時(shí)鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)由CLK來觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)滿足一定的時(shí)序匹配關(guān)系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長(zhǎng)度匹配。

2、外同步：由外部時(shí)鐘給系統(tǒng)提供參考時(shí)鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個(gè)時(shí)鐘，一個(gè)鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個(gè)鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成，對(duì)于SDRAM及其控制芯片，參考時(shí)鐘CLK1、CLK2由外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生，此時(shí)CLK1、CLK2到達(dá)SDRAM及其控制芯片的延時(shí)必須滿足數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線信號(hào)的時(shí)序匹配要求，即CLK1、CLK2必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長(zhǎng)度匹配。 襄陽(yáng)定制PCB制版銷售