廈門滿裕引導(dǎo)制鞋科技革新,全自動(dòng)連幫注射制鞋機(jī)驚艷亮相
廈門滿裕引導(dǎo)制鞋科技新風(fēng)尚,全自動(dòng)連幫注射制鞋機(jī)震撼發(fā)布
廈門滿裕推出全自動(dòng)連幫注射制鞋機(jī),引導(dǎo)制鞋行業(yè)智能化升級(jí)
廈門滿裕引導(dǎo)智能制造新篇章:全自動(dòng)圓盤PU注射機(jī)閃耀登場(chǎng)
廈門滿裕智能制造再升級(jí),全自動(dòng)圓盤PU注射機(jī)引導(dǎo)行業(yè)新風(fēng)尚
廈門滿裕引導(dǎo)智能制造新風(fēng)尚,全自動(dòng)圓盤PU注射機(jī)備受矚目
廈門滿裕引導(dǎo)智能制造新潮流,全自動(dòng)圓盤PU注射機(jī)受熱捧
廈門滿裕智能科技:專業(yè)供應(yīng)噴脫模劑機(jī)器手,助力智能制造產(chǎn)業(yè)升
廈門滿裕智能科技:專業(yè)供應(yīng)噴脫模劑機(jī)器手,引導(dǎo)智能制造新時(shí)代
廈門滿裕智能科技:噴脫模劑機(jī)器手專業(yè)供應(yīng)商,助力智能制造升級(jí)
PCB板上高速信號(hào)上的AC耦合靠近哪一端效果更好?經(jīng)常看見不同的處理方式,有靠近接收端的,有靠近發(fā)射端的。我們先看看AC耦合電容的作用,無外乎三點(diǎn):①source和sink端DC不同,所以隔直流;②信號(hào)傳輸時(shí)可能會(huì)串?dāng)_進(jìn)去直流分量,所以隔直流使信號(hào)眼圖更好;③AC耦合電容還可以提供直流偏壓和過流的保護(hù)。說到底,AC耦合電容的作用就是提供直流偏壓,濾除信號(hào)的直流分量,使信號(hào)關(guān)于0軸對(duì)稱。那為什么要添加這個(gè)AC耦合電容?當(dāng)然是有好處的,增加AC耦合電容肯定是使兩級(jí)之間更好的通信,可以改善噪聲容限。要知道AC耦合電容一般是高速信號(hào)阻抗不連續(xù)的點(diǎn),并且會(huì)導(dǎo)致信號(hào)邊沿變得緩慢。一些協(xié)議或者手冊(cè)會(huì)提供設(shè)計(jì)要求,我們按照designguideline要求放置。布局應(yīng)盡量滿足以下要求:總的連線盡可能短,關(guān)鍵信號(hào)線短;湖北設(shè)計(jì)PCB培訓(xùn)哪家好
電壓河水之所以能夠流動(dòng),是因?yàn)橛兴徊睿浑姾芍阅軌蛄鲃?dòng),是因?yàn)橛须娢徊睢k娢徊钜簿褪请妷?。電壓是形成電流的原因。在電路中,電壓常用U表示。電壓的單位是伏(V),也常用毫伏(mV)或者微伏(uV)做單位。1V=1000mV,1mV=1000uV。電壓可以用電壓表測(cè)量。測(cè)量的時(shí)候,把電壓表并聯(lián)在電路上,要選擇電壓表指針接近滿偏轉(zhuǎn)的量程。如果電路上的電壓大小估計(jì)不出來,要先用大的量程,粗略測(cè)量后再用合適的量程。這樣可以防止由于電壓過大而損壞電壓表。電阻電路中對(duì)電流通過有阻礙作用并且造成能量消耗的部分叫做電阻。電阻常用R表示。電阻的單位是歐(Ω),也常用千歐(kΩ)或者兆歐(MΩ)做單位。1kΩ=1000Ω,1MΩ=1000000Ω。導(dǎo)體的電阻由導(dǎo)體的材料、橫截面積和長(zhǎng)度決定。武漢哪里的PCB培訓(xùn)原理·電位差較大的元器件要遠(yuǎn)離,防止意外放電。
目前的電路板,主要由以下組成線路與圖面(Pattern):線路是做為原件之間導(dǎo)通的工具,在設(shè)計(jì)上會(huì)另外設(shè)計(jì)大銅面作為接地及電源層。線路與圖面是同時(shí)做出的。介電層(Dielectric):用來保持線路及各層之間的絕緣性,俗稱為基材???Throughhole/via):導(dǎo)通孔可使兩層次以上的線路彼此導(dǎo)通,較大的導(dǎo)通孔則做為零件插件用,另外有非導(dǎo)通孔(nPTH)通常用來作為表面貼裝定位,組裝時(shí)固定螺絲用。防焊油墨(Solderresistant/SolderMask):并非全部的銅面都要吃錫上零件,因此非吃錫的區(qū)域,會(huì)印一層隔絕銅面吃錫的物質(zhì)(通常為環(huán)氧樹脂),避免非吃錫的線路間短路。根據(jù)不同的工藝,分為綠油、紅油、藍(lán)油。絲印(Legend/Marking/Silkscreen):此為非必要之構(gòu)成,主要的功能是在電路板上標(biāo)注各零件的名稱、位置框,方便組裝后維修及辨識(shí)用。表面處理(SurfaceFinish):由于銅面在一般環(huán)境中,很容易氧化,導(dǎo)致無法上錫(焊錫性不良),因此會(huì)在要吃錫的銅面上進(jìn)行保護(hù)。保護(hù)的方式有噴錫(HASL),化金(ENIG),化銀(ImmersionSilver),化錫(ImmersionTin),有機(jī)保焊劑(OSP),方法各有優(yōu)缺點(diǎn),統(tǒng)稱為表面處理。
布局整體思路(1)整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號(hào)流向順暢,布線短”的原則;(2)不同類型的電路模塊分開擺放,相對(duì)、互不干擾;(3)相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局;(4)預(yù)留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間;(5)器件間距滿足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求;(6)當(dāng)密集擺放時(shí),小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求;當(dāng)與客戶的要求時(shí),以客戶為準(zhǔn),并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》。(7)器件擺放完成后,逐條核實(shí)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求,以確保布局滿足客戶要求。發(fā)熱元件要一般應(yīng)均勻分布,以利于單板和整機(jī)的散熱。
⑶間距相鄰導(dǎo)線之間的距離應(yīng)滿足電氣安全的要求,串?dāng)_和電壓擊穿是影響布線間距的主要電氣特性。為了便于操作和生產(chǎn),間距應(yīng)盡量寬些,選擇小間距至少應(yīng)該適合所施加的電壓。這個(gè)電壓包括工作電壓、附加的波動(dòng)電壓、過電壓和因其它原因產(chǎn)生的峰值電壓。當(dāng)電路中存在有市電電壓時(shí),出于安全的需要間距應(yīng)該更寬些。⑷路徑信號(hào)路徑的寬度,從驅(qū)動(dòng)到負(fù)載應(yīng)該是常數(shù)。改變路徑寬度對(duì)路徑阻抗(電阻、電感、和電容)產(chǎn)生改變,會(huì)產(chǎn)生反射和造成線路阻抗不平衡。所以,保持路徑的寬度不變。在布線中,避免使用直角和銳角,一般拐角應(yīng)該大于90°。直角的路徑內(nèi)部的邊緣能產(chǎn)生集中的電場(chǎng),該電場(chǎng)產(chǎn)生耦合到相鄰路徑的噪聲,45°路徑優(yōu)于直角和銳角路徑。當(dāng)兩條導(dǎo)線以銳角相遇連接時(shí),應(yīng)將銳角改成圓形。通過學(xué)習(xí)PCB的結(jié)構(gòu)、材料以及層次設(shè)計(jì),學(xué)員可以逐步了解不同類型的PCB及其特點(diǎn)。湖北打造PCB培訓(xùn)布線
時(shí)鐘、總線、片選信號(hào)要遠(yuǎn)離I/O線和接插件。湖北設(shè)計(jì)PCB培訓(xùn)哪家好
存儲(chǔ)模塊介紹:存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下:DDR采用TSSOP封裝技術(shù),而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大,呈長(zhǎng)方形,其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高,缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差,容易受干擾,散熱不理想,而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧,體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,有效地縮短信號(hào)傳輸距離,在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì),而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量,封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高,從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存,其制造工藝都在不斷改善,更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好,成本更低;DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝,而DDR2采用了0.09微米制造工藝,DDR3則采用了全新65nm制造工藝,而DDR4使用20nm以下的工藝來制造,從DDR~DDR4的具體參數(shù)如下表所示。湖北設(shè)計(jì)PCB培訓(xùn)哪家好