不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25時反向電流為5uA，溫度升高到75時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。測試二極管的好壞初學(xué)者在業(yè)余條件下可以使用萬用表測試二極管性能的好壞。測試前先把萬用表的轉(zhuǎn)換開關(guān)撥到歐姆檔的RX1K檔位(注意不要使用RX1檔，以免電流過大燒壞二極管)，再將紅、黑兩根表筆短路，進行歐姆調(diào)零。1、正向特性測試把萬用表的黑表筆(表內(nèi)正極)搭觸二極管的正極，，紅表筆(表內(nèi)負極)搭觸二極管的負極。若表針不擺到0值而是停在標(biāo)度盤的中間，這時的阻值就是二極管的正向電阻，一般正向電阻越小越好。若正向電阻為0值，說明管芯短路損壞，若正向電阻接近無窮大值，說明管芯斷路。短路和斷路的管子都不能使用。2、反向特性測試把萬且表的紅表筆搭觸二極管的正極，黑表筆搭觸二極管的負極，若表針指在無窮大值或接近無窮大值，管子就是合格的。二極管的應(yīng)用1、整流二極管利用二極管單向?qū)щ娦裕梢园逊较蚪惶孀兓慕涣麟娮儞Q成單一方向的脈動直流電。2、開關(guān)元件二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān);在反向電壓作用下，電阻很大。 可以通過選擇半導(dǎo)體材料和制造過程中引入材料中的摻雜雜質(zhì)來定制半導(dǎo)體二極管的電流-電壓特性。四川哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊代理商

    正向?qū)щ?，反向不?dǎo)電）晶體二極管是一個由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當(dāng)不存在外加電壓時，因為p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導(dǎo)電的原因）。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0（這也就是不導(dǎo)電的原因）。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時。 新疆艾賽斯IXYS二極管模塊聯(lián)系方式二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管。

    [4]二極管發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發(fā)光二極管極管相似，發(fā)光二極管也是由一個PN結(jié)構(gòu)成。發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi)，外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光二極管的驅(qū)動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優(yōu)點，廣用于信號指示等電路中。[4]在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過電流時會發(fā)出光來，這是由于電子與空穴直接復(fù)合時放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。[4]二極管特性參數(shù)編輯用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)，稱為二極管的參數(shù)。不同類型的二極管有不同的特性參數(shù)。[4]二極管伏安特性二極管具有單向?qū)щ娦?，二極管的伏安特性曲線如圖所示[5]。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時，電流極?。划?dāng)電壓超過，電流開始按指數(shù)規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當(dāng)電壓達到約，二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號UD表示[4]。對于鍺二極管，開啟電壓為。

    載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｖ档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。[4]二極管動態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。[4]二極管電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時的穩(wěn)定電壓的相對變化量。[4]二極管高工作頻率高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢壘電容組成。所以高工作頻率的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。若是超過此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊憽?IXYS先后收購了ZILOG,WESTCODE,DEI,CLARE.MWT等公司。

    二極管的兩根引腳分別稱為陽極和陰極，由P型半導(dǎo)體一側(cè)引出的電極稱為陽極，由N型半導(dǎo)體一側(cè)引出的電極稱為陰極。在二極管符號中，三角形底邊一端為陽極，另一端為陰極。符號形象地表示了二極管電流流動的方向，即電流只能從陽極流向陰極，而不允許反方向流動。二極管是將PN結(jié)封裝起來，并分別引出電極制成的。所謂PN結(jié)是將半導(dǎo)體材料(硅或鍺)利用特殊工藝制成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體，并將這兩塊半導(dǎo)體用專門技術(shù)結(jié)合起來，在它們的交界面上就會形成一個稱為PN結(jié)的特殊結(jié)構(gòu)。這個PN結(jié)對來自兩個方向的電流呈現(xiàn)不同的性質(zhì)，在外加電壓足夠大時(一般約0．3～0．6V)，電流只能從陽極(P型半導(dǎo)體一側(cè))流向陰極(N型半導(dǎo)體一側(cè))，反方向是不能導(dǎo)通的。二極管的電流、電壓關(guān)系是指管內(nèi)流過的電流與其兩端所加電壓之間的關(guān)系。對二極管施加正向電壓和反向電壓兩種情況時，對應(yīng)有二極管的導(dǎo)通狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)。1．正向偏置與導(dǎo)通狀態(tài)二極管陽極接高電位，陰極接低電位，連接電路如圖(a)所示，這種連接稱為二極管的正向偏置。此時調(diào)節(jié)串聯(lián)在電路中的電阻大小可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)二極管VD兩端正向電壓較低時(小于0．5V)，電路中幾乎沒有電流，燈泡也不發(fā)光；當(dāng)二極管兩端正向電壓大于0．5V后。 它在一個方向上具有低電阻（理想情況下為零），在另一個方向上具有高電阻（理想情況下為無限）。廣西進口艾賽斯IXYS二極管模塊哪里有賣的

在高溫的P型雜質(zhì)氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結(jié)。四川哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊代理商

    Schottky）二極管的大特點是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要全考慮。肖特基二極管的作用及其接法肖特基二極管的作用及其接法,肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。1、肖特基二極管的作用及其接法-整流利用肖特基二極管單向?qū)щ娦?，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈沖直流電。在電路中，電流只能從肖特基二極管的正極流入，負極流出。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子，在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加電壓使P區(qū)相對N區(qū)為正的電壓時，位壘降低，位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲存載流子，能通過大電流，具有低的電壓降（典型值為）,稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加，可承受高的反向電壓，流過很小的反向電流（稱反向漏電流），稱為反向阻斷狀態(tài)。肖特基二極管主要用于各種低頻半波整流電路，全波整流。整流橋就是將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個肖特基二極管封在一起。半橋是將四個肖特基二極管橋式整流的一半封在一起。 四川哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊代理商