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正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有兩個(gè)陽極：一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即...

接下來需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽極與控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。 如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開陽極的同時(shí)用表筆尖...

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域 該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等，依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接，結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功用，并可結(jié)束過流、過壓、過溫、缺持平維護(hù)功用。 可控硅模塊的操控辦法 經(jīng)過輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號(hào)，經(jīng)過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤(rùn)調(diào)度，結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。 電壓或電流信號(hào)可取自各種操控外表、核算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分...

相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解。 可控硅模塊的主要參數(shù)有： (1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。 (2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。 (3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電...

斷一個(gè)可控硅元件是否完好，工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開路時(shí)，陽極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。 想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡(jiǎn)單，只需要用萬用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個(gè)...

雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓，就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通，即使失去觸發(fā)電壓，也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí)，雙向可控硅才截?cái)啵藭r(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。 淄博正高電氣有限公司，生產(chǎn)各類規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品，真誠(chéng)期待與各公司和采購人員的合作，提供價(jià)格低廉...

接下來需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽極與控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。 如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開陽極的同時(shí)用表筆尖...

滿足可控硅模塊工作的必要條件： （1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。 ①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。 ②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。 （2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。 （3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子...

可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù) （1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要順次固定，用力要均勻，重復(fù)幾回，直至強(qiáng)健，使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。 （2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后，筆直固定于機(jī)箱合適方位。 （3）用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，然后套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上，并堅(jiān)持超卓的平面壓力觸摸，阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。 （4）為延伸商品運(yùn)用壽數(shù)，主張每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次，替換一次導(dǎo)熱硅脂，鏟除外表塵土，緊固各壓線螺釘。 歡迎各界...

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。 可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹： 可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、**等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。 淄博正高電氣有限公司擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。德州小功率可控硅模塊組件 可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱...

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。 單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在...

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍，焊接工藝獨(dú)特，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好?？煽毓枘K的工作場(chǎng)所應(yīng)干燥、無腐蝕性氣體、通風(fēng)、無塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟： 1、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個(gè)螺釘用力要均等。 2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)或熱水加熱收縮，導(dǎo)線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。 3、 將接...

可控硅模塊選購注意事項(xiàng): (1)注明您需要的產(chǎn)品的型號(hào)、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹臺(tái)、凸臺(tái)）、配置散熱器型號(hào)。 (2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。 (3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚? 可控硅模塊使用注意事項(xiàng)： (1)線路中須有過壓過流保護(hù)措施，串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施。 (2)用萬用表簡(jiǎn)單判斷器件是否損壞： 門陰極間電阻，應(yīng)有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應(yīng)大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻近零時(shí)表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。 (3)嚴(yán)禁用兆歐表...

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。 可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹： 可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、**等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。 淄博正高電氣有限公司在行業(yè)的影響力逐年提升。遼寧快恢復(fù)可控硅模塊組件 可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用，但可控硅使用中必須要注意運(yùn)行環(huán)境和相關(guān)指標(biāo)，防止...

相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解。 可控硅模塊的主要參數(shù)有： (1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。 (2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓。可控硅模塊承受的正向電壓峰值，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。 (3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電...

相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了，現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎？下面為大家講解。 可控硅模塊的主要參數(shù)有： (1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。 (2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓?？煽毓枘K承受的正向電壓峰值，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。 (3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電...

可控硅模塊選購注意事項(xiàng): (1)注明您需要的產(chǎn)品的型號(hào)、結(jié)構(gòu)（螺栓、凹臺(tái)、凸臺(tái)）、配置散熱器型號(hào)。 (2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。 (3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚? 可控硅模塊使用注意事項(xiàng)： (1)線路中須有過壓過流保護(hù)措施，串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施。 (2)用萬用表簡(jiǎn)單判斷器件是否損壞： 門陰極間電阻，應(yīng)有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應(yīng)大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻近零時(shí)表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí)，應(yīng)立即更換。 (3)嚴(yán)禁用兆歐表...

雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)： 1.靈敏度 雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。 2.可控硅過載的保護(hù) 可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件： （1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用； （2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的...

可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等?，F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：首層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。淄博正高電氣有限公司以誠(chéng)信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。煙臺(tái)快恢復(fù)可控硅模塊廠家 ...

斷一個(gè)可控硅元件是否完好，工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查，首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好，其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通，第三是當(dāng)控制極開路時(shí)，陽極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件，才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。 想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求，其實(shí)非常簡(jiǎn)單，只需要用萬用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻，就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個(gè)...

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域 可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場(chǎng)合，如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動(dòng)。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護(hù)功能。 可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門獨(dú)立的學(xué)科。 可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公...

滿足可控硅模塊工作的必要條件： （1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。 ①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。 ②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。 （2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。 （3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子...

雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)： 1.靈敏度 雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。 2.可控硅過載的保護(hù) 可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件： （1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用； （2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的...

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢(shì)，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來詳細(xì)的說下可控硅模塊。 可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 淄博正高電氣...

可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù) （1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊，幾個(gè)螺釘要順次固定，用力要均勻，重復(fù)幾回，直至強(qiáng)健，使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。 （2）把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后，筆直固定于機(jī)箱合適方位。 （3）用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，然后套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上，并堅(jiān)持超卓的平面壓力觸摸，阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。 （4）為延伸商品運(yùn)用壽數(shù)，主張每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次，替換一次導(dǎo)熱硅脂，鏟除外表塵土，緊固各壓線螺釘。 淄博正高...

可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識(shí)中，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。 可控硅模塊的工作條件： 1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時(shí)，不管門級(jí)承受哪種電壓，可控硅模塊都會(huì)處于斷開狀態(tài)。 2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時(shí)，可控硅僅在門級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。 3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導(dǎo)通，如果可控硅導(dǎo)通后，門極將失去其功能。 4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí)，可控硅模塊關(guān)斷。 淄博正高電氣有限公司團(tuán)結(jié)、創(chuàng)新、合作、共贏。濟(jì)...

可控硅模塊的使用注意事項(xiàng) 1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí)，應(yīng)注意的是，除考慮通過元件的平均電流外，還必須注意正常運(yùn)行過程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素，同時(shí)，管殼的溫度不得超過相應(yīng)電流的允許值。 2.使用可控硅模塊時(shí)，使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài)，如有短路或斷路，應(yīng)立即更換。 3.嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。 4.率大于5A的可控硅模塊，應(yīng)安裝散熱器，并保證規(guī)定的冷卻條件。同時(shí)，為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂，以利于更好的散熱。 5.根據(jù)規(guī)定，主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護(hù)裝置。 ...

單向可控硅的檢測(cè) 萬用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑筆接的引腳為控制極G，紅筆接的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G，此時(shí)萬用表指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 淄博正高電氣有限公司銳意進(jìn)取，持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。萊蕪反并聯(lián)可控硅模塊哪家好 可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識(shí)中，您知道...

正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，受到了眾多客戶的喜愛和歡迎。目前，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點(diǎn)，應(yīng)用于各行業(yè)，暢銷省內(nèi)外地區(qū)。 可控硅模塊的分類 可控硅模板從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)專用模塊MTG\...

可控硅模塊的使用注意事項(xiàng) 1.在選擇可控硅模塊的額定電流時(shí)，應(yīng)注意的是，除考慮通過元件的平均電流外，還必須注意正常運(yùn)行過程中傳導(dǎo)角的大小、散熱和通風(fēng)條件等因素，同時(shí)，管殼的溫度不得超過相應(yīng)電流的允許值。 2.使用可控硅模塊時(shí)，使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài)，如有短路或斷路，應(yīng)立即更換。 3.嚴(yán)禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。 4.率大于5A的可控硅模塊，應(yīng)安裝散熱器，并保證規(guī)定的冷卻條件。同時(shí)，為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應(yīng)在兩者之間涂一層有機(jī)硅油或硅脂，以利于更好的散熱。 5.根據(jù)規(guī)定，主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護(hù)裝置。 ...