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  • 微納傳感器件適用黃金靶材焊接方案
    微納傳感器件適用黃金靶材焊接方案

    可定制尺寸黃金靶材的尺寸規(guī)格可以根據(jù)客戶需求進行定制,因此沒有固定的標準尺寸。不過,根據(jù)行業(yè)內(nèi)的常規(guī)尺寸和參考文章中的信息,黃金靶材的常見尺寸規(guī)格包括但不限于以下幾種:直徑與厚度規(guī)格:φ60*2mm(直徑60毫米,厚度2毫米)φ*1mm(直徑,厚度1毫米)φ57*(直徑57毫米,厚度)φ50*3mm(直徑50毫米,厚度3毫米)φ100*4mm(直徑100毫米,厚度4毫米)特殊定制規(guī)格:除了上述常規(guī)尺寸外,還可以根據(jù)客戶的具體需求進行特殊定制,如、、、。定制注意事項:定制尺寸時,需要考慮到靶材的用途、設(shè)備兼容性、工藝要求等因素,確保定制后的靶材能夠滿足實際應用需求。可定制尺寸黃金靶材...

  • 離子束鍍膜黃金靶材焊接方案
    離子束鍍膜黃金靶材焊接方案

    效節(jié)能真空鍍膜黃金靶材技術(shù)方案主要包括以下幾個方面:靶材組成優(yōu)化:通過精確的配比和制備工藝,將黃金作為主要成分,并適量添加黃銅、青銅、白銅、白銀等金屬材料,以提靶材的色澤均勻性、亮度和硬度,滿足鍍膜需求。靶材制備工藝:采用中頻真空感應熔煉爐等設(shè)備,嚴格控制加熱和精煉溫度與時間,確保金屬元素充分融合,獲得質(zhì)量的合金錠,再通過退火、軋制、剪切和表面處理等工藝,得到性能優(yōu)異的黃金靶材。真空鍍膜技術(shù):選用磁控濺射等效鍍膜技術(shù),通過磁場控制電子軌跡,提濺射率,確保鍍膜過程的均勻性和穩(wěn)定性,同時降低能耗。鍍膜環(huán)境控制:在鍍膜過程中,保持真空環(huán)境的清潔和穩(wěn)定,避免外界雜質(zhì)對鍍膜質(zhì)量的影響,確保薄膜的純凈度和...

  • 濺射速率可調(diào)真空鍍膜黃金靶材特點
    濺射速率可調(diào)真空鍍膜黃金靶材特點

    效節(jié)能真空鍍膜黃金靶材技術(shù)方案主要包括以下幾個方面:靶材組成優(yōu)化:通過精確的配比和制備工藝,將黃金作為主要成分,并適量添加黃銅、青銅、白銅、白銀等金屬材料,以提靶材的色澤均勻性、亮度和硬度,滿足鍍膜需求。靶材制備工藝:采用中頻真空感應熔煉爐等設(shè)備,嚴格控制加熱和精煉溫度與時間,確保金屬元素充分融合,獲得質(zhì)量的合金錠,再通過退火、軋制、剪切和表面處理等工藝,得到性能優(yōu)異的黃金靶材。真空鍍膜技術(shù):選用磁控濺射等效鍍膜技術(shù),通過磁場控制電子軌跡,提濺射率,確保鍍膜過程的均勻性和穩(wěn)定性,同時降低能耗。鍍膜環(huán)境控制:在鍍膜過程中,保持真空環(huán)境的清潔和穩(wěn)定,避免外界雜質(zhì)對鍍膜質(zhì)量的影響,確保薄...

  • 耐腐蝕黃金靶材工作原理是什么
    耐腐蝕黃金靶材工作原理是什么

    半導體傳感器制造過程中,黃金靶材的利用率往往較低,殘靶的回收具有重要的經(jīng)濟和環(huán)境價值。以下是關(guān)于半導體傳感器應用黃金靶材殘靶回收的要點:回收必要性:半導體傳感器制造中,黃金靶材用于濺射鍍膜,但靶材利用率通常較低,一般在30%以內(nèi)。剩余的純殘靶若作為普通廢料處理,將造成稀貴材料的極大浪費?;厥辗椒ǎ耗壳埃环N有效的回收方法包括物理分離靶材的靶面與背板,然后采用酸溶液去除靶面殘存的焊料和雜質(zhì)。這種方法能夠?qū)崿F(xiàn)貴金屬殘靶的再生利用,且回收率達99.8%以上。經(jīng)濟效益:通過回收,可以獲得與殘靶使用前純度相同的黃金,這些黃金可以直接進行熔煉及再加工,降低了生產(chǎn)成本,提了經(jīng)濟效益。環(huán)境效益:回收殘靶不僅節(jié)...

  • 半導體器件薄膜涂層黃金靶材特點
    半導體器件薄膜涂層黃金靶材特點

    自旋電鍍膜黃金靶材的工作原理主要涉及物相沉積(PVD)技術(shù)中的濺射鍍膜過程,具體可以歸納如下:濺射過程:在濺射鍍膜中,通過電場或磁場加速的能離子(如氬離子)轟擊黃金靶材的表面。這種轟擊導致靶材表面的原子或分子被擊出,形成濺射原子流。原子沉積:被擊出的濺射原子(即黃金原子)在真空中飛行,并終沉積在旋轉(zhuǎn)的基底材料上?;椎男D(zhuǎn)有助于確保薄膜的均勻性。自旋作用:基底的自旋運動是關(guān)鍵因素之一,它不僅促進了濺射原子的均勻分布,還有助于減少薄膜中的缺陷和應力。薄膜形成:隨著濺射過程的持續(xù)進行,黃金原子在基底上逐漸積累,形成一層或多層薄膜。這層薄膜具有特定的物理和化學性質(zhì),如導電性、光學性能等。工藝控制:在...

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