集成電路檢測(cè)常識(shí):1、要保證焊接質(zhì)量,焊接時(shí)確實(shí)焊牢,焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時(shí)間一般不超過3秒鐘,烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看,建議用歐姆表測(cè)量各引腳間有否短路,確認(rèn)無(wú)焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。2、不要輕易斷定集成電路...
為什么會(huì)產(chǎn)生集成電路?我們知道任何發(fā)明創(chuàng)造背后都是有驅(qū)動(dòng)力的,而驅(qū)動(dòng)力往往來(lái)源于問題。那么集成電路產(chǎn)生之前的問題是什么呢?我們看一下1946年在美國(guó)誕生的世界上第1臺(tái)電子計(jì)算機(jī),它是一個(gè)占地150平方米、重達(dá)30噸的龐然大物,里面的電路使用了17468只電子管...
隨著IC制造工藝的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展,IC泄漏電流問題仍然是一個(gè)長(zhǎng)期存在的挑戰(zhàn)。未來(lái),隨著器件尺寸的進(jìn)一步縮小和功耗的進(jìn)一步降低,IC泄漏電流問題將更加突出。因此,制造商需要不斷創(chuàng)新和改進(jìn),采用更先進(jìn)的幾何學(xué)和工藝,以提高器件的性能和可靠性。同時(shí),還...
這些年來(lái),IC持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展,使得每個(gè)芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量,可以降低成本和增加功能-見摩爾定律,集成電路中的晶體管數(shù)量,每?jī)赡暝黾右槐丁?傊?,隨著外形尺寸縮小,幾乎所有的指標(biāo)改善了-單位成本和開關(guān)功率消耗下降,速度提高。但...
集成電路是指將多個(gè)電子元器件集成在一起,形成一個(gè)完整的電路系統(tǒng)。它的高集成度是指在一個(gè)芯片上集成了大量的電子元器件,從而實(shí)現(xiàn)了高度的集成化。這種高度的集成化不僅可以很大程度上減小電路的體積,還可以提高電路的可靠性和穩(wěn)定性。此外,高集成度還可以降低電路的功耗,提...
第1個(gè)集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的,其中包括一個(gè)雙極性晶體管,三個(gè)電阻和一個(gè)電容器。根據(jù)一個(gè)芯片上集成的微電子器件的數(shù)量,集成電路可以分為以下幾類:1.小規(guī)模集成電路:SSI英文全名為Small Scale Integration,邏輯門10...
隨著晶體管數(shù)量的增加,芯片的制造成本也會(huì)隨之下降。這是因?yàn)殡S著晶體管數(shù)量的增加,每個(gè)晶體管的成本也會(huì)隨之下降。這種成本降低對(duì)于現(xiàn)代科技的發(fā)展也是非常重要的,因?yàn)樗沟梦覀兡軌蛑圃旄阋说脑O(shè)備,從而使得更多的人能夠享受到現(xiàn)代科技帶來(lái)的好處。這種成本降低也使得我們...
集成電路檢測(cè)常識(shí):1、要保證焊接質(zhì)量,焊接時(shí)確實(shí)焊牢,焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時(shí)間一般不超過3秒鐘,烙鐵的功率應(yīng)用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細(xì)查看,建議用歐姆表測(cè)量各引腳間有否短路,確認(rèn)無(wú)焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。2、不要輕易斷定集成電路...
集成電路的低功耗特性是指在電路運(yùn)行時(shí),電路所消耗的能量非常少。這種低功耗特性可以使得電子設(shè)備更加節(jié)能環(huán)保,同時(shí)也可以延長(zhǎng)電子設(shè)備的使用壽命。此外,低功耗特性還可以降低電路的發(fā)熱量,減少電子設(shè)備的散熱負(fù)擔(dān),從而提高電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。集成電路的低功耗特性是...
集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有...
集成電路也是手機(jī)中不可或缺的一部分,它是由許多電子元件組成的微小芯片,可以在一個(gè)小小的空間內(nèi)完成復(fù)雜的計(jì)算和通信任務(wù)。隨著科技的不斷發(fā)展,集成電路的功能越來(lái)越強(qiáng)大,體積越來(lái)越小,功耗越來(lái)越低,速度越來(lái)越快,成本越來(lái)越低。這些特點(diǎn)使得手機(jī)的性能不斷提升,價(jià)格不斷...
根據(jù)處理信號(hào)的不同,可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路、和兼具模擬與數(shù)字的混合信號(hào)集成電路。集成電路發(fā)展:先進(jìn)的集成電路是微處理器或多核處理器的"中心(cores)",可以控制電腦到手機(jī)到數(shù)字微波爐的一切。存儲(chǔ)器和ASIC是其他集成電路家族的例子,對(duì)于現(xiàn)代信息...
集成電路發(fā)展對(duì)策建議:重在積累,克服急功近利,設(shè)計(jì)業(yè)的復(fù)雜度很高,需要強(qiáng)大的穩(wěn)定的團(tuán)隊(duì)、深厚的積累。積累是一個(gè)不可逾越的發(fā)展過程。中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展如同下圍棋,不能只爭(zhēng)一時(shí)之短長(zhǎng),要比誰(shuí)的氣長(zhǎng),而不是誰(shuí)的空多。集成電力產(chǎn)業(yè)人才尤其是設(shè)計(jì)人才供給問題長(zhǎng)期以來(lái)...
信號(hào)傳輸速度是電子芯片設(shè)計(jì)中需要考慮的另一個(gè)重要因素。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,信號(hào)傳輸速度的快慢直接影響著設(shè)備的響應(yīng)速度和用戶體驗(yàn)。因此,在電子芯片設(shè)計(jì)中,需要盡可能地提高信號(hào)傳輸速度,以提高設(shè)備的響應(yīng)速度和用戶體驗(yàn)。為了提高信號(hào)傳輸速度,設(shè)計(jì)師可以采用多種方法,例...
集成電路技術(shù)是一項(xiàng)高度發(fā)達(dá)的技術(shù),它的未來(lái)發(fā)展方向主要包括三個(gè)方面:一是芯片制造技術(shù)的進(jìn)一步提升,包括晶圓制備、光刻、蝕刻、離子注入、金屬化等多個(gè)環(huán)節(jié)的技術(shù)提升,以及新材料的應(yīng)用和新工藝的開發(fā);二是芯片設(shè)計(jì)技術(shù)的創(chuàng)新,包括電路設(shè)計(jì)、邏輯設(shè)計(jì)、物理設(shè)計(jì)等多個(gè)環(huán)節(jié)...
集成電路發(fā)展對(duì)策建議:打造國(guó)際精英人才的“新故鄉(xiāng)”,充分發(fā)揮海歸人才優(yōu)勢(shì)。海歸人才在國(guó)外做了很多超前的技術(shù)開發(fā)研究,并且在全球一些公司內(nèi)有產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn),回國(guó)后從事很有需求的產(chǎn)品開發(fā)應(yīng)用,容易成功。集成電路產(chǎn)業(yè)的研發(fā)就怕方向性錯(cuò)誤與低水平重復(fù),海歸人才知道如何去做才...
為了解決IC泄漏電流問題,制造商需要采用更先進(jìn)的幾何學(xué)來(lái)優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和制造工藝。一方面,可以通過優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)、引入高介電常數(shù)材料、采用多柵極結(jié)構(gòu)等方法來(lái)降低柵極漏電流。另一方面,可以通過優(yōu)化源漏結(jié)構(gòu)、采用低溫多晶硅等方法來(lái)降低源漏漏電流。此外,還可以通過引入新...
電子元器件普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視機(jī)、汽車電子等。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,電子元器件也在不斷更新?lián)Q代。例如,表面貼裝技術(shù)的應(yīng)用使得電子元器件的尺寸更小、重量更輕、功耗更低,從而提高了電子設(shè)備的性能和可靠性。另外,新型材料的應(yīng)用也為電子元器...
電子元器件參數(shù)的穩(wěn)定性和可靠性的提高對(duì)于電子設(shè)備的發(fā)展具有重要意義。隨著電子設(shè)備的不斷發(fā)展,對(duì)于電子元器件的要求也越來(lái)越高。電子元器件的參數(shù)的穩(wěn)定性和可靠性的提高可以提高電子設(shè)備的性能和可靠性,從而推動(dòng)電子設(shè)備的發(fā)展。例如,電子元器件的參數(shù)的穩(wěn)定性和可靠性的提...
集成電路的制造工藝是一項(xiàng)非常復(fù)雜的技術(shù),需要經(jīng)過多個(gè)步驟才能完成。首先,需要準(zhǔn)備一塊硅片,然后在硅片上涂上一層光刻膠。接下來(lái),使用光刻機(jī)將電路圖案投射到光刻膠上,形成一個(gè)模板。然后,將模板轉(zhuǎn)移到硅片上,通過化學(xué)腐蝕、離子注入等多個(gè)步驟,逐漸形成電路元件和互連。...
隨著IC制造工藝的不斷進(jìn)步和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展,IC泄漏電流問題仍然是一個(gè)長(zhǎng)期存在的挑戰(zhàn)。未來(lái),隨著器件尺寸的進(jìn)一步縮小和功耗的進(jìn)一步降低,IC泄漏電流問題將更加突出。因此,制造商需要不斷創(chuàng)新和改進(jìn),采用更先進(jìn)的幾何學(xué)和工藝,以提高器件的性能和可靠性。同時(shí),還...
芯片制造是集成電路技術(shù)的中心,它需要深厚的專業(yè)技術(shù)和創(chuàng)新能力。芯片制造的過程非常復(fù)雜,需要多個(gè)工序的精密控制,如晶圓制備、光刻、蝕刻、離子注入、金屬化等。其中,晶圓制備是芯片制造的第1步,它需要高純度的硅材料和精密的加工工藝。晶圓制備完成后,就需要進(jìn)行光刻和蝕...
微處理器架構(gòu)是指微處理器內(nèi)部的組織結(jié)構(gòu)和功能模塊的設(shè)計(jì)。不同的架構(gòu)可以對(duì)電子芯片的性能產(chǎn)生重要影響。例如,Intel的x86架構(gòu)是一種普遍使用的架構(gòu),它具有高效的指令集和復(fù)雜的指令流水線,可以實(shí)現(xiàn)高速的運(yùn)算和數(shù)據(jù)處理。而ARM架構(gòu)則是一種低功耗的架構(gòu),適用于移...
近幾年國(guó)內(nèi)集成電路進(jìn)口規(guī)模迅速擴(kuò)大,2010年已經(jīng)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1570億美元,集成電路已連續(xù)兩年超過原油成為國(guó)內(nèi)較大的進(jìn)口商品。與巨大且快速增長(zhǎng)的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)相比,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)雖發(fā)展迅速但仍難以滿足內(nèi)需要求。當(dāng)前以移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、三網(wǎng)融合、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、智能電網(wǎng)...
集成電路的低功耗特性是指在電路運(yùn)行時(shí),電路所消耗的能量非常少。這種低功耗特性可以使得電子設(shè)備更加節(jié)能環(huán)保,同時(shí)也可以延長(zhǎng)電子設(shè)備的使用壽命。此外,低功耗特性還可以降低電路的發(fā)熱量,減少電子設(shè)備的散熱負(fù)擔(dān),從而提高電子設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。集成電路的低功耗特性是...
集成電路技術(shù)是現(xiàn)代電子技術(shù)的中心之一,它的出現(xiàn)極大地推動(dòng)了電子器件的發(fā)展。通過集成電路技術(shù),可以將數(shù)百萬(wàn)個(gè)晶體管、電容器、電阻器等元器件集成在一個(gè)芯片上,從而實(shí)現(xiàn)更小、更快以及更高性能的電子器件。這種技術(shù)的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在集成電路技術(shù)可以很大程度上提高電子器件的...
集成電路是由大量的晶體管、電容、電感等元器件組成的電路板,其性能不僅與電路本身有關(guān),還與供電電壓和溫度等環(huán)境因素密切相關(guān)。從電路本身角度來(lái)看,集成電路的性能與其內(nèi)部元器件的特性參數(shù)有關(guān),例如晶體管的截止頻率、電容的容值、電感的電感值等。這些參數(shù)的變化會(huì)直接影響...
電子元器件的重量也是設(shè)計(jì)者需要考慮的重要因素之一。在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中,重量通常是一個(gè)關(guān)鍵的限制因素。隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展,消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品重量的要求也越來(lái)越高。因此,設(shè)計(jì)者需要在保證產(chǎn)品功能的同時(shí),盡可能地減小產(chǎn)品的重量。在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中,重量的大小直接影響著...
電子元器件的功耗也是設(shè)計(jì)者需要考慮的重要因素之一。在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)里,功耗通常是一個(gè)關(guān)鍵的限制因素。隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展,消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品功耗的要求也越來(lái)越高。因此,設(shè)計(jì)者需要在保證產(chǎn)品功能的同時(shí),盡可能地降低產(chǎn)品的功耗。在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)里,功耗的大小直接影響著...
集成電路的發(fā)展歷程可以追溯到20世紀(jì)50年代。當(dāng)時(shí),美國(guó)的貝爾實(shí)驗(yàn)室和德州儀器公司等企業(yè)開始研究如何將多個(gè)晶體管集成到一個(gè)芯片上。1960年代,集成電路的技術(shù)得到了飛速發(fā)展,出現(xiàn)了大規(guī)模集成電路(LSI)和超大規(guī)模集成電路(VLSI)等技術(shù)。這些技術(shù)使得集成電...