1)由于太陽能組件的輸出功率取決于太陽輻照度和太陽能電池溫度等因素,因此太陽能電池組件的測量在標(biāo)準(zhǔn)條件下(STC)進(jìn)行,標(biāo)準(zhǔn)條件定義為:大氣質(zhì)量AM1.5,光照強(qiáng)度1000W/m2,溫度25℃。(2)開路電壓:用500W的鹵鎢燈,0~250V的交流變壓器,光強(qiáng)設(shè)定為3.8~4.0萬LUX,燈與測試平臺的距離大約為15-20CM,直接測試值為開路電壓;(3)在該條件下,太陽能電池組件所輸出的最大功率稱為峰值功率,在很多情況下,組件的峰值功率通常用太陽能模擬儀測定。影響太陽能電池組件輸出性能的主要因素有以下幾點(diǎn):1)負(fù)載阻抗2)日照強(qiáng)度3)溫度4)陰影大雨應(yīng)檢查所有的防水密封是否良好,有無漏水現(xiàn)象...
(4)磷擴(kuò)散:采用涂布源(或液態(tài)源,或固態(tài)氮化磷片狀源)進(jìn)行擴(kuò)散,制成PN+結(jié),結(jié)深一般為-。(5)周邊刻蝕:擴(kuò)散時在硅片周邊表面形成的擴(kuò)散層,會使電池上下電極短路,用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴(kuò)散層。(6)去除背面PN+結(jié)。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN+結(jié)。(7)制作上下電極:用真空蒸鍍、化學(xué)鍍鎳或鋁漿印刷燒結(jié)等工藝。先制作下電極,然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。(8)制作減反射膜:為了減少入反射損失,要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2,SiO2,Al2O3,SiO,Si3N4,TiO2,Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法,...