環(huán)境溫度對(duì)高分子ptc熱敏電阻的影響 高分子ptc熱敏電阻是一種直熱式、階躍型熱敏電阻，其電阻變化過(guò)程與自身的發(fā)熱和散熱情況有關(guān)，因而其維持電流（ihold）、動(dòng)作電流（itrip）及動(dòng)作時(shí)間受環(huán)境溫度影響。當(dāng)環(huán)境溫度和電流處于a區(qū)時(shí)，熱敏電阻發(fā)熱功率大于散熱功率而會(huì)動(dòng)作；當(dāng)環(huán)境溫度和電流處于b區(qū)時(shí)發(fā)熱功率小于散熱功率，高分子ptc熱敏電阻由于電阻可恢復(fù)，因而可以重復(fù)多次使用。圖6為熱敏電阻動(dòng)作后，恢復(fù)過(guò)程中電阻隨時(shí)間變化的示意圖。電阻一般在十幾秒到幾十秒中即可恢復(fù)到初始值1.6倍左右的水平，此時(shí)熱敏電阻的維持電流已經(jīng)恢復(fù)到額定值，可以再次使用了。面積和厚度較小的熱敏電阻恢復(fù)相對(duì)較快；而面積和厚度較大的熱敏電阻恢復(fù)相對(duì)較慢。黃浦區(qū)海水加熱熱敏電阻產(chǎn)品介紹。熱敏電阻公司

表面銀漿、焊接銀漿性能指標(biāo)： 1. 耐高壓大電流能力：無(wú)電極拉??； 2. 室溫存放1000小時(shí)△R/R：≤2%； 3. 水煮24小時(shí)△R/R：≤7%； 4. 附著力：垂直拉力≥1.5Kg； 5. 方阻（mΩ/□）：≤5 虹口區(qū)熱敏電阻價(jià)格熱敏電阻通常為一款高阻抗、電阻性器件，因該器件可以簡(jiǎn)化其中的一個(gè)接口問(wèn)題。

熱敏電阻的主要分類(lèi)：

臨界溫度熱敏電阻CTR（CritiCal Temperature Resistor）若進(jìn)一步還原為三氧化二釩，則急變消失．產(chǎn)生電阻急變的溫度對(duì)應(yīng)于半玻璃半導(dǎo)體物性急變的位置，因此產(chǎn)生半導(dǎo)體-金屬相移．CTR能夠作為控溫報(bào)警等應(yīng)用．熱敏電阻的理論研究和應(yīng)用開(kāi)發(fā)已取得了引人注目的成果．隨著高、精、尖科技的應(yīng)用，對(duì)熱敏電阻的導(dǎo)電機(jī)理和應(yīng)用的更深層次的探索，以及對(duì)性能優(yōu)良的新材料的深入研究，將會(huì)取得迅速發(fā)展．后期會(huì)逐漸和大家進(jìn)行分享；

基本特性：熱敏電阻的電阻－溫度特性可近似地用下式表示：R=R0exp{B（1/T-1/T0)}：R：溫度T(K）時(shí)的電阻值、Ro：溫度T0、（K）時(shí)的電阻值、B:B值、*T(K)=t(ºC)+273.15。實(shí)際上，熱敏電阻的B值并非是恒定的，其變化大小因材料構(gòu)成而異，比較大甚至可達(dá)5K/°C。因此在較大的溫度范圍內(nèi)應(yīng)用式1時(shí)，將與實(shí)測(cè)值之間存在一定誤差。此處，若將式1中的B值用式2所示的作為溫度的函數(shù)計(jì)算時(shí)，則可降低與實(shí)測(cè)值之間的誤差，可認(rèn)為近似相等。上海子譽(yù)電子陶瓷有限公司主營(yíng)熱敏電阻，期待您的來(lái)電。

熱敏電阻的主要問(wèn)題是：要確定熱敏電阻周?chē)臏囟?，您可以借助Steinhart-Hart公式：T=1/(A0+A1(lnRT)+A3(lnRT3))來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中，T為開(kāi)氏溫度；RT為熱敏電阻在溫度T時(shí)的阻值；而 A0、A1和A3則是由熱敏電阻生產(chǎn)廠(chǎng)商提供的常數(shù)。熱敏電阻的阻值會(huì)隨著溫度的改變而改變，而這種改變是非線(xiàn)性的，Steinhart-Hart公式表明了這一點(diǎn)。在進(jìn)行溫度測(cè)量時(shí)，需要驅(qū)動(dòng)一個(gè)通過(guò)熱敏電阻的參考電流，以創(chuàng)建一個(gè)等效電壓，該等效電壓具有非線(xiàn)性的響應(yīng)。如有熱敏電阻需求，歡迎致電上海子譽(yù)電子陶瓷有限公司。閔行區(qū)熱敏電阻價(jià)格

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鈦酸鋇半導(dǎo)瓷的PTC效應(yīng)起因于粒界（晶粒間界）．對(duì)于導(dǎo)電電子來(lái)說(shuō)，晶粒間界面相當(dāng)于一個(gè)勢(shì)壘．當(dāng)溫度低時(shí)，由于鈦酸鋇內(nèi)電場(chǎng)的作用，導(dǎo)致電子極容易越過(guò)勢(shì)壘，則電阻值較?。?dāng)溫度升高到居里點(diǎn)溫度（即臨界溫度）附近時(shí)，內(nèi)電場(chǎng)受到破壞，它不能幫助導(dǎo)電電子越過(guò)勢(shì)壘．這相當(dāng)于勢(shì)壘升高，電阻值突然增大，產(chǎn)生PTC效應(yīng)．鈦酸鋇半導(dǎo)瓷的PTC效應(yīng)的物理模型有海望表面勢(shì)壘模型、丹尼爾斯等人的鋇缺位模型和疊加勢(shì)壘模型，它們分別從不同方面對(duì)PTC效應(yīng)作出了合理解釋?zhuān)疅崦綦娮韫?/p>

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