光催化原理：半導體光催化劑大多是n型半導體材料，都具有區(qū)別于金屬或絕緣物質的特別的能帶結構,即在價帶和導帶之間存在一個禁帶。由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區(qū)域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數的有機物氧化至終產物CO2和H2O,甚至對一些無機物也能徹底分解。光催化技術可以有效的減少室內空氣中的有害氣體，如二氧化碳、一氧化碳等。深圳高密度光催化金鹵燈

聚焦型太陽輻射模擬器系統(tǒng)是一整用于模擬太陽輻射的裝置，由金屬鹵化物燈、智能控制鎮(zhèn)流器（EPS）、開關調光控制器、控制管理軟件等子系統(tǒng)構成。金屬鹵化物燈光譜特性接近太陽光光譜；采用特殊光學系統(tǒng)來滿足了光的均勻性要求；恒功率智能控制鎮(zhèn)流器確保輻射穩(wěn)定性；開關調光控制器每個燈的輻射能量連續(xù)可調；定制控制管理軟件系統(tǒng)。具有優(yōu)越的性能，系統(tǒng)提出了采用7只高效率度氣體放電燈沿橢球面構成蜂窩狀列陣聚焦光源。此光學裝置在能流密度及均勻性上都能很好地滿足所提的要求。同時，在大范圍內調整能流密度和整體裝置的數字控制。模塊化的設計方便安裝及維護。廣東高密度光催化光催化氧化反應以半導體為催化劑，以光為能量，將有機物降解為二氧化碳和水。

光催化氙燈光源是一種利用氙氣放電發(fā)光的電光源。由于燈中的放電材料是惰性氣體氙氣，因此激發(fā)電位和電離電位之間的差異很小。氙燈輻射光譜的能量分布接近太陽光，色溫約為6000K。連續(xù)光譜部分的氙燈光譜分布幾乎與燈光輸入功率的變化無關，光譜能量的分布在使用壽命期間幾乎不變。由于氙燈光源的特殊性，其目前的應用領域主要集中在實驗設備上。例如，各種光催化實驗都離不開氙燈作為光源的使用；還有一個模擬太陽能可見光的加速實驗，加速實驗模擬太陽紫外光等，都需要用氙燈作為光源?？茖W實驗設備似乎離不開這種氙燈發(fā)出的光源。

光催化是光化學和催化科學的交叉點，一般是指在催化劑參與下的光化學反應。半導體材料之所以具有光催化特性，是由它的能帶結構所決定。半導體的晶粒內含有能帶結構，其能帶結構通常由一個充滿電子的低能價帶（valent-band，VB）和一個空的高能導帶（conductionband，CB）構成，價帶和導帶之間由禁帶分開，該區(qū)域的大小稱為禁帶寬度，其能差為帶隙能，半導體的帶隙能一般為0.2~3.0eV。當用能量等于或大于帶隙能的光照射催化劑時，價帶上的電子被激發(fā)，越過禁帶進入導帶，同時在價帶上產生相應的空穴，即生成電子/空穴對。由于半導體能帶的不連續(xù)性，電子和空穴的壽命較長，在電場作用下或通過擴散的方式運動，與吸附在催化劑粒子表面上的物質發(fā)生氧化還原反應，或者被表面晶格缺陷俘獲?？昭ê碗娮釉诖呋瘎﹥炔炕虮砻嬉部赡苤苯訌秃?。光催化一般是指在催化劑參與下的光化學反應。

光催化凈化是根據光催化劑在紫外線照射下所具有的氧化還原作用，對污染物進行凈化。利用光催化凈化技術去除空氣中的有機污染物，特點如下：（1）直接用空氣中的氧作氧化劑，條件溫文，光催化反應儀發(fā)出響聲(常溫常壓)（2）能將有機污染物分解成像二氧化碳和水這樣的無機小分子，且凈化效果良好。（3）半導體光觸媒具有化學性質穩(wěn)定、抗氧化能力強、成本低、無吸附物豐滿、使用壽命長等特點。光催化反應儀能具有常溫深氧、二次污染小、操作成本低、用太陽光作為反射源等優(yōu)點，因此光催化特別適合室內蒸發(fā)有機物的凈化，在深度凈化方面顯示出無限的潛力。光催化系統(tǒng)就是光觸媒在外界光的作用下發(fā)生催化作用。深圳高密度光催化金鹵燈

光催化作用是一種利用光能量來產生化學反應的過程。深圳高密度光催化金鹵燈

光催化氙燈光源的重要參數說明：1、電功率與光功率：許多文獻和產品說明中在描述外罩式氙燈光源時都是提及電功率。事實上，電功率表達的信息比較單一，所以選型時須著重關注光功率和光功率的波段條件。光功率大小與電功率、光學結構、器件材質、儀器構造等諸多因素有關。2、點光源與平行光：匯聚點光源通常用于單色儀分光，光纖導入或使用聚焦點的能量集中效應（如熱效應）。3、光功率與光功率密度：光功率的單位是mw或w；光功率密度單位是mw/cm2或w/m2。在光催化及光電研究中，光功率密度概念甚至比光功率更為重要。因為當提及光功率密度設計到受光面積。深圳高密度光催化金鹵燈

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