許多初學(xué)者對(duì)二極管很“熟悉”，提起二極管的特性可以脫口而出它的單向?qū)щ娞匦?，說(shuō)到它在電路中的應(yīng)用反應(yīng)是整流，對(duì)二極管的其他特性和應(yīng)用了解不多，認(rèn)識(shí)上也認(rèn)為掌握了二極管的單向?qū)щ娞匦裕湍芊治龆O管參與的各種電路，實(shí)際上這樣的想法是錯(cuò)誤的，而且在某種程度上是害了自己，因?yàn)檫@種定向思維影響了對(duì)各種二極管電路工作原理的分析，許多二極管電路無(wú)法用單向?qū)щ娞匦詠?lái)解釋其工作原理。二極管除單向?qū)щ娞匦酝?，還有許多特性，很多的電路中并不是利用單向?qū)щ娞匦跃湍芊治龆O管所構(gòu)成電路的工作原理，而需要掌握二極管更多的特性才能正確分析這些電路，例如二極管構(gòu)成的簡(jiǎn)易直流穩(wěn)壓電路，二極管構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路等。二極管簡(jiǎn)易直流穩(wěn)壓電路及故障處理二極管簡(jiǎn)易穩(wěn)壓電路主要用于一些局部的直流電壓供給電路中，由于電路簡(jiǎn)單，成本低，所以應(yīng)用比較廣。二極管簡(jiǎn)易穩(wěn)壓電路中主要利用二極管的管壓降基本不變特性。二極管的管壓降特性：二極管導(dǎo)通后其管壓降基本不變，對(duì)硅二極管而言這一管壓降是，對(duì)鍺二極管而言是。如圖9-40所示是由普通3只二極管構(gòu)成的簡(jiǎn)易直流穩(wěn)壓電路。電路中的VD1、VD2和VD3是普通二極管，它們串聯(lián)起來(lái)后構(gòu)成一個(gè)簡(jiǎn)易直流電壓穩(wěn)壓電路。上海寅涵智代理Microsemi美高森美二極管APT2X101DQ100J；遼寧Microsemi美高森美快恢復(fù)二極管型號(hào)齊全

也是一個(gè)PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，不同之處是要求這種二極管的開(kāi)關(guān)特性要好。當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上正向電壓時(shí)，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的通態(tài)；當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上反向電壓時(shí)，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的斷態(tài)。二極管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)完成開(kāi)與關(guān)功能。開(kāi)關(guān)二極管就是利用這種特性，且通過(guò)制造工藝，開(kāi)關(guān)特性更好，即開(kāi)關(guān)速度更快，PN結(jié)的結(jié)電容更小，導(dǎo)通時(shí)的內(nèi)阻更小，截止時(shí)的電阻很大。如表9-41所示是開(kāi)關(guān)時(shí)間概念說(shuō)明。表開(kāi)關(guān)時(shí)間概念說(shuō)明2．典型二極管開(kāi)關(guān)電路工作原理二極管構(gòu)成的電子開(kāi)關(guān)電路形式多種多樣，如圖9-46所示是一種常見(jiàn)的二極管開(kāi)關(guān)電路。圖9-46二極管開(kāi)關(guān)電路通過(guò)觀察這一電路，可以熟悉下列幾個(gè)方面的問(wèn)題，以利于對(duì)電路工作原理的分析：1）了解這個(gè)單元電路功能是步。從圖8-14所示電路中可以看出，電感L1和電容C1并聯(lián)，這顯然是一個(gè)LC并聯(lián)諧振電路，是這個(gè)單元電路的基本功能，明確這一點(diǎn)后可以知道，電路中的其他元器件應(yīng)該是圍繞這個(gè)基本功能的輔助元器件，是對(duì)電路基本功能的擴(kuò)展或補(bǔ)充等，以此思路可以方便地分析電路中的元器件作用。2）C2和VD1構(gòu)成串聯(lián)電路，然后再與C1并聯(lián)。河南英飛凌可控硅二極管?chē)?guó)內(nèi)經(jīng)銷(xiāo)西門(mén)康可控硅二極管批發(fā)采購(gòu)，推薦聯(lián)系上海寅涵智能科技。

其中有一條就是溫度高低變化時(shí)三極管的靜態(tài)電流不能改變，即VT1基極電流不能隨溫度變化而改變，否則就是工作穩(wěn)定性不好。了解放大器的這一溫度特性，對(duì)理解VD1構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路工作原理非常重要。2）三極管VT1有一個(gè)與溫度相關(guān)的不良特性，即溫度升高時(shí)，三極管VT1基極電流會(huì)增大，溫度愈高基極電流愈大，反之則小，顯然三極管VT1的溫度穩(wěn)定性能不好。由此可知，放大器的溫度穩(wěn)定性能不良是由于三極管溫度特性造成的。2．三極管偏置電路分析電路中，三極管VT1工作在放大狀態(tài)時(shí)要給它一定的直流偏置電壓，這由偏置電路來(lái)完成。電路中的R1、VD1和R2構(gòu)成分壓式偏置電路，為三極管VT1基極提供直流工作電壓，基極電壓的大小決定了VT1基極電流的大小。如果不考慮溫度的影響，而且直流工作電壓+V的大小不變，那么VT1基極直流電壓是穩(wěn)定的，則三極管VT1的基極直流電流是不變的，三極管可以穩(wěn)定工作。在分析二極管VD1工作原理時(shí)還要搞清楚一點(diǎn)：VT1是NPN型三極管，其基極直流電壓高，則基極電流大；反之則小。3．二極管VD1溫度補(bǔ)償電路分析根據(jù)二極管VD1在電路中的位置，對(duì)它的工作原理分析思路主要說(shuō)明下列幾點(diǎn)：1）VD1的正極通過(guò)R1與直流工作電壓+V相連。

半導(dǎo)體二極管的主要特點(diǎn)是具有摻雜性，熱敏性，光敏性。1、摻雜性，當(dāng)往純凈的半導(dǎo)體中摻入煤些物質(zhì)時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電性會(huì)增強(qiáng)。二極管、三極管就是摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體制成的。2、熱敏性，當(dāng)溫渡上升時(shí)，導(dǎo)體的導(dǎo)電能力會(huì)增強(qiáng)。利用該特性可以將某些半導(dǎo)體制成熱敏器件。3、光敏性，當(dāng)有光線照射半導(dǎo)體時(shí)，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力也會(huì)增強(qiáng)。利用該特性可以將某些半導(dǎo)體制成光敏器件。二極管是早誕生的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用非常廣。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接，構(gòu)成不同功能的電路，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電整流、對(duì)調(diào)制信號(hào)檢波、限幅和鉗位以及對(duì)電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能。 硅功率開(kāi)關(guān)二極管經(jīng)銷(xiāo)商找哪家，推薦咨詢上海寅涵智能科技。

即信號(hào)幅度沒(méi)有大到讓限幅電路動(dòng)作的程度，這時(shí)限幅電路不工作。2）信號(hào)幅度比較大時(shí)的電路工作狀態(tài)，即信號(hào)幅度大到讓限幅度電路動(dòng)作的程度，這時(shí)限幅電路工作，將信號(hào)幅度進(jìn)行限制。用畫(huà)出信號(hào)波形的方法分析電路工作原理有時(shí)相當(dāng)管用，用于分析限幅電路尤其有效，如圖9-45所示是電路中集成電路A1的①腳上信號(hào)波形示意圖。圖9-45集成電路A1的①腳上信號(hào)波形示意圖圖中，U1是集成電路A1的①腳輸出信號(hào)中的直流電壓，①腳輸出信號(hào)中的交流電壓是“騎”在這一直流電壓上的。U2是限幅電壓值。結(jié)合上述信號(hào)波形來(lái)分析這個(gè)二極管限幅電路，當(dāng)集成電路A1的①腳輸出信號(hào)中的交流電壓比較小時(shí)，交流信號(hào)的正半周加上直流輸出電壓U1也沒(méi)有達(dá)到VD1、VD2和VD3導(dǎo)通的程度，所以各二極管全部截止，對(duì)①腳輸出的交流信號(hào)沒(méi)有影響，交流信號(hào)通過(guò)R1加到VT1中。假設(shè)集成電路A1的①腳輸出的交流信號(hào)其正半周幅度在某期間很大，見(jiàn)圖8-12中的信號(hào)波形，由于此時(shí)交流信號(hào)的正半周幅度加上直流電壓已超過(guò)二極管VD1、VD2和VD3正向?qū)ǖ碾妷褐?，如果每只二極管的導(dǎo)通電壓是，那么3只二極管的導(dǎo)通電壓是。由于3只二極管導(dǎo)通后的管壓降基本不變，即集成電路A1的①腳大為。上海寅涵智能科技專業(yè)供應(yīng)整流橋二極管PSD35-16歡迎咨詢。山東三社功率二極管

上海寅涵智能科技專業(yè)供應(yīng)整流二極管VHF15-16IO5歡迎咨詢。遼寧Microsemi美高森美快恢復(fù)二極管型號(hào)齊全

外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周?chē)墓柙有纬晒矁r(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來(lái)的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。遼寧Microsemi美高森美快恢復(fù)二極管型號(hào)齊全