MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

3.絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進(jìn)的微機(jī)電組件包含精細(xì)的可移動(dòng)性零組件，例如應(yīng)用于加速計(jì)、陀螺儀、偏斜透鏡(tilting mirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細(xì)微加工技術(shù)。而此技術(shù)有一項(xiàng)特點(diǎn)是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對(duì)非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達(dá)成以等向性蝕刻實(shí)現(xiàn)組件與基材間脫離的結(jié)構(gòu)(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 MEMS具有以下幾個(gè)基本特點(diǎn)？發(fā)展MEMS微納米加工之超透鏡定制

MEMS的采樣精度，速度，適用性都可以達(dá)到較高水平，同時(shí)由于其體積優(yōu)勢(shì)可直接植入人體，是醫(yī)療輔助設(shè)備中關(guān)鍵的組成部分。傳統(tǒng)大型醫(yī)療器械優(yōu)勢(shì)明顯，精度高，但價(jià)格昂貴，普及難度較大，且一般一臺(tái)設(shè)備只完成單一功能。相比之下，某些醫(yī)療目標(biāo)可以通過(guò)MEMS技術(shù)，利用其體積小的優(yōu)勢(shì)，深入接觸測(cè)量目標(biāo)，在達(dá)到一定的精度下，降低成本，完成多重功能的整合。以近期所了解的一些MEMS項(xiàng)目為例，通過(guò)MEMS生物傳感器對(duì)體內(nèi)某些指標(biāo)進(jìn)行測(cè)量，同時(shí)MEMS執(zhí)行器（actuator）可直接作用于病變組織進(jìn)行更直接的醫(yī)療，同時(shí)系統(tǒng)可以通過(guò)MEMS能量收集器進(jìn)行無(wú)線供電，多組單元可以通過(guò)MEMS通信器進(jìn)行信息傳輸。個(gè)人認(rèn)為，MEMS醫(yī)療前景廣闊，不過(guò)離成熟運(yùn)用還有不短的距離，尤其考慮到技術(shù)難度，可靠性，人體安全等。貴州MEMS微納米加工代加工MEMS的超透鏡是什么？

微機(jī)電系統(tǒng)是微米大小的機(jī)械系統(tǒng)，其中也包括不同形狀的三維平板印刷產(chǎn)生的系統(tǒng)。這些系統(tǒng)的大小一般在微米到毫米之間。在這個(gè)大小范圍中日常的物理經(jīng)驗(yàn)往往不適用。比如由于微機(jī)電系統(tǒng)的面積對(duì)體積比比一般日常生活中的機(jī)械系統(tǒng)要大得多，其表面現(xiàn)象如靜電、潤(rùn)濕等比體積現(xiàn)象如慣性或熱容量等要重要。它們一般是由類似于生產(chǎn)半導(dǎo)體的技術(shù)如表面微加工、體型微加工等技術(shù)制造的。其中包括更改的硅加工方法如光刻、磁控濺射PVD、氣相沉積CVD、電鍍、濕蝕刻、ICP干蝕刻、電火花加工等等。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn)：

3.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導(dǎo)體平面工藝制作的，所以它具有很好的一致性和重復(fù)性，易于大量生產(chǎn)，而且當(dāng)使用某些單晶材料或復(fù)合材料時(shí)，聲表面波器件具有極高的溫度穩(wěn)定性。

4.聲表面波器件的抗輻射能力強(qiáng)，動(dòng)態(tài)范圍很大，可達(dá)100dB。這是因?yàn)樗玫氖蔷w表面的彈性波而不涉及電子的遷移過(guò)程

此外，在很多情況下，聲表面波器件的性能還遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了很好的電磁波器件所能達(dá)到的水平。比如用聲表面波可以作成時(shí)間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器，在UHF頻段內(nèi)可以作成Q 值超過(guò)五萬(wàn)的諧振腔，以及可以作成帶外抑制達(dá)70dB 、頻率達(dá)1 低Hz 的帶通濾波器 MEMS常見(jiàn)的產(chǎn)品-壓力傳感器。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的原理：

  聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個(gè)聲一電換能器一叉指換能器。所謂叉指換能器就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實(shí)現(xiàn)聲一電換能。聲表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的換能器(輸入換能器)通過(guò)逆壓電效應(yīng)將愉入的電信號(hào)轉(zhuǎn)變成聲信號(hào)，此聲信號(hào)沿基片表面?zhèn)鞑ィ?span>然后由基片右邊的換能器(輸出換能器)將聲信號(hào)轉(zhuǎn)變成電信號(hào)輸出。整個(gè)聲表面波器件的功能是通過(guò)對(duì)在壓電基片上傳播的聲信號(hào)進(jìn)行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來(lái)完成的。 基于柔性PI材料的MEMS太赫茲超表面器件在military project領(lǐng)域和生物科技上應(yīng)用非常有前景。貴州MEMS微納米加工代加工

磁傳感器和MEMS磁傳感器有什么區(qū)別？發(fā)展MEMS微納米加工之超透鏡定制

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機(jī)電組件制造過(guò)程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過(guò)蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上?；贐osch工藝的一項(xiàng)特點(diǎn)，當(dāng)要維持一個(gè)近乎于垂直且平滑的側(cè)壁輪廓時(shí)，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達(dá)到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產(chǎn)生具有輕微傾斜角度的側(cè)壁輪廓。不過(guò)當(dāng)采用這類塊體蝕刻時(shí)，工藝中很少需要垂直的側(cè)壁。

2.準(zhǔn)確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側(cè)壁輪廓平滑性上升為關(guān)鍵因素的組件而設(shè)計(jì)的。就微機(jī)電組件而言，需要該方法的組件包括微光機(jī)電系統(tǒng)及浮雕印模等。一般說(shuō)來(lái)，此類特性要求，蝕刻率的均勻度控制是遠(yuǎn)比蝕刻率重要得多。由于蝕刻劑在蝕刻反應(yīng)區(qū)附近消耗率高，引發(fā)蝕刻劑密度相對(duì)降低，而在晶圓邊緣蝕刻率會(huì)相應(yīng)地增加，整片晶圓上的均勻度問(wèn)題應(yīng)運(yùn)而生。上述問(wèn)題可憑借對(duì)等離子或離子轟擊的分布圖予以校正，從而達(dá)到均鐘刻的目的。 發(fā)展MEMS微納米加工之超透鏡定制