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寧波標(biāo)準(zhǔn)納米硅磨石地坪材料區(qū)別

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-12

    納米硅材料一般認(rèn)為,當(dāng)硅材料的尺寸在1nm至數(shù)十納米時(shí),可以被稱為“納米硅”材料,包括硅納米顆粒(SiQuantumDots)、硅納米線(SiNanowire)、硅納米管(SiNanotube)和硅納米帶(SiNanobelt)等。納米硅是當(dāng)前國(guó)際上硅材料研究的一個(gè)熱點(diǎn),由于其優(yōu)異的光電特性、無(wú)毒性,以及和現(xiàn)有硅集成電路工藝良好的兼容性,未來(lái)納米硅可以應(yīng)用在集成電路、生物成像、鋰離子電池、太陽(yáng)能光伏、發(fā)光器件、探測(cè)器等領(lǐng)域。不同結(jié)構(gòu)的硅納米材料,其制備方法、性質(zhì)和應(yīng)用都不相同。(1)硅納米顆粒:又稱硅量子點(diǎn)。硅納米顆粒是主要的納米硅結(jié)構(gòu)之一,它有兩種存在形式,一種是存在的硅納米顆粒,另一種是鑲嵌在介質(zhì)(如氧化硅或氮化硅等)中的納米硅顆粒。當(dāng)硅納米顆粒尺寸進(jìn)一步變小,小于激子波爾(Bohr)半徑,由于量子限域(QuantumConfinemet)效應(yīng)、表面效應(yīng)和多激子效應(yīng)等原因,硅納米顆粒呈現(xiàn)出更多與體材料不同的性質(zhì)。例如,由于量子限域效應(yīng),硅納米顆粒中的載流子的運(yùn)動(dòng)會(huì)受到限制,隨著其尺寸的減小,其能隙(EnergyGap)變寬。 杭州標(biāo)準(zhǔn)納米硅磨石地坪材料區(qū)別?寧波標(biāo)準(zhǔn)納米硅磨石地坪材料區(qū)別

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    近些年來(lái),將高純度納米晶硅制備成硅電子漿料涂覆在太陽(yáng)能電池基板表面,進(jìn)一步提高硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化效率成為太陽(yáng)能工業(yè)中的一個(gè)重要方向。大規(guī)模、高效地生產(chǎn)高純度的納米硅粉成為提高太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率、生產(chǎn)高效太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。納米硅粉的制備技術(shù)備受關(guān)注,按制備納米硅粉所需原料的不同進(jìn)行分類,可將其分為以硅烷(SiH4)、二氧化硅(SiO2)、多晶硅(Si)和四氯化硅及其衍生物(SiCl4、SiHCl3等)為原料的4大類。01以硅烷為反應(yīng)原料進(jìn)行納米硅粉生產(chǎn)的技術(shù)主要有等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、激光誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積法(LICVD)和流化床法(FBR)等。其中PECVD和LICVD是目前生產(chǎn)納米硅粉主要的工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)。 寧波什么是納米硅磨石地坪報(bào)價(jià)行情品牌納米硅磨石地坪供應(yīng)商家。

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零維納米硅材料納米級(jí)的硅顆粒對(duì)于解決硅基負(fù)極體積膨脹有一定效果,納米硅顆粒具有更高的比表面積,而且表面原子也具有更高的平均結(jié)合能,所以在體積膨脹過(guò)程中能更好地釋放應(yīng)力,避免自身結(jié)構(gòu)的坍塌。此外,微小的納米硅顆粒材料還能夠縮短鋰離子擴(kuò)散時(shí)間,提高電化學(xué)反應(yīng)速率,增加電極的有效反應(yīng)面積:一維納米硅材料一維納米硅材料因其高軸徑比,能夠減小硅在循環(huán)過(guò)程中的軸向體積膨脹,徑向較小的尺寸可有效避免硅的粉化和縮短Li+的擴(kuò)散距離,可在高倍率條件下充分釋放容量,展現(xiàn)出良好的電化學(xué)性能。[10]一維納米硅材料有硅納米線、硅納米纖維、硅納米管等。

    硅納米管:納米硅管也可以作為納電子器件的結(jié)構(gòu)單元,其載流子遷移率遠(yuǎn)高于硅納米線。與硅納米線相比,硅納米管具有更大的比表面積。同時(shí)載流子還具有彈道輸運(yùn)特性,因此在微電子器件、鋰離子負(fù)極材料等領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。由于硅屬于金剛石結(jié)構(gòu),與碳的層狀結(jié)構(gòu)不同,很難形成管狀結(jié)構(gòu),因此硅納米管的制備相對(duì)比較困難,通常需要借助于模板(Template)技術(shù)。常用的模板技術(shù)有兩種,一種是利用具有納米孔洞的Al2O3,模板,通過(guò)SiH4的熱分解,借助局域化的Au等金屬催化劑,在模板孔洞內(nèi)壁沉積硅材料,去除模板制備成納米硅管;另一種是利用Zn0等納米線作為“軟模板",在制備Zn0納米線后,通過(guò)化學(xué)合成、物理濺射、化學(xué)氣相沉積等工藝,在Zn0納米線表面包裹一層硅材料,通過(guò)化學(xué)刻蝕成加溫?zé)g等技術(shù),將Zn0納米線模板去除,從而獲得硅納米管。 上海節(jié)能納米硅磨石地坪供應(yīng)商家。

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在高容量材料方面,由于硅含量較高,其體積膨脹所帶來(lái)的后續(xù)循環(huán)穩(wěn)定性問(wèn)題較大,項(xiàng)目組則是從原材料出發(fā),制備了一種粒徑更?。―50<100nm)的摻雜納米硅作為原材料,并在此基礎(chǔ)上開發(fā)出使表面包覆更加均勻且更加適合于規(guī)模化生產(chǎn)的氣相包覆工藝,提升材料性能。如500mA·h/g的碳包覆納米硅材料,首周效率可達(dá)88%,500周后容量保持80%;其中,低容量材料主要通過(guò)摻混更多的石墨來(lái)緩解應(yīng)變、抑制反彈,同時(shí)結(jié)合液相分散工藝和表面包覆軟碳等措施,使材料與當(dāng)前商業(yè)化的電池體系相容性更高。如400mA·h/g的碳包覆納米硅材料,首周效率可達(dá)91%,600周后容量保持80%天津本地納米硅磨石地坪供應(yīng)商家。杭州標(biāo)準(zhǔn)納米硅磨石地坪設(shè)備工程

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    以多晶硅為反應(yīng)原料制備超細(xì)硅粉的技術(shù)主要有電弧等離子法和墜落法兩種。研究人員通過(guò)電弧等離子法成功制備納米硅粉,其粒度在30nm左右。關(guān)于墜落法,研究者將多晶硅在石英坩堝中完全熔化,然后按一定速率將硅液滴落進(jìn)Ar氣作保護(hù)氣的管道中,利用硅液滴的表面能形成球形,并在下落過(guò)程中快速冷卻形成硅粉,其粉末粒度為。墜落法的生產(chǎn)效率較低,且硅粉的粒度尺寸較大,不適宜用于大規(guī)模生產(chǎn)超細(xì)硅粉。工業(yè)生產(chǎn)多晶硅的主要方法是以SiCl4或SiHCl3為反應(yīng)原料,俗稱“西門子法”。此法是將SiCl4或SiHCl3、H2、Cl2等反應(yīng)氣體通入高溫反應(yīng)器內(nèi)發(fā)生化學(xué)氣相沉積從而生成高純多晶硅。相比于以SiH4為原料生產(chǎn)納米硅粉,以SiCl4及其衍生物為原料需要調(diào)節(jié)各種反應(yīng)氣體的比例,以達(dá)到比較好的生產(chǎn)效率。如反應(yīng)氣體Cl2雖然可起到防止納米硅粉被氧化的作用,但過(guò)多的Cl2會(huì)降低硅的形核率,導(dǎo)致納米硅的產(chǎn)率下降。因此,合理調(diào)控各反應(yīng)氣體的比例對(duì)生產(chǎn)納米硅粉至關(guān)重要。 寧波標(biāo)準(zhǔn)納米硅磨石地坪材料區(qū)別

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